《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品
為低功率應(yīng)用提供靈活,、高性價(jià)比的解決方案
摘要: 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件,,適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用,。
Abstract:
Key words :

 

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝,、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件,適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān),、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用,。

全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),能夠大幅降低傳導(dǎo)損耗,。新產(chǎn)品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件,,最大柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs到20Vgs不等。

 

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列,,與采用SOT-23和SO-8封裝的現(xiàn)有器件相輔相成,,為客戶設(shè)計(jì)系統(tǒng)提供了更大的靈活性。這個(gè)平臺(tái)擁有極低的導(dǎo)通電阻,,因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET,,有助于減少電路板面積和系統(tǒng)成本。”

 

所有新器件均達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度(MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS),,不含鉛、溴化物和鹵素,。

 

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào)

(- TRPbF)

BVDSS

VGS最大值

25ºC時(shí)的最大Id

典型/最大導(dǎo)通電阻(mΩ)

10V

4.5V

2.5V

IRFTS9342

-30V

20V

5.9A

31/39

53/66

NA

IRLTS2242

-20V

12V

6.9A

N/A

26/32

45/55

IRLTS6342

30V

12V

7.8A

12/20

15/24

IRFTS8342

30V

20V

8.2A

15/19

22/29

N/A

 

新器件正接受批量訂單,。相關(guān)數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選型工具,請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站www.irf.com,。

 

 

商標(biāo)

IR®和HEXFET®是國(guó)際整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo),。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。

 

 

- 完-

 


 

IR簡(jiǎn)介

 

國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR,,紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商,。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件,、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗(電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,,是眾多國(guó)際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器,、照明設(shè)備,、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng),、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn),。

 

IR 成立于1947 年,總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯,,在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處,。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國(guó)網(wǎng)站:www.irf.com.cn,。

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