橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺在測試中取得又一項重大階段性成功。繼去年12月公司宣布系統(tǒng)級芯片（SoC）集成電路成功投產(chǎn)后，意法半導(dǎo)體又宣布其法國Crolles工廠生產(chǎn)的應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。

   此前，多家企業(yè)相繼推出了FD-SOI處理器。根據(jù)摩爾定律，芯片上的晶體管數(shù)量約每兩年增加一倍，過去50年來半導(dǎo)體工業(yè)始終遵循摩爾定律，連續(xù)縮減晶體管的尺寸。晶體管本質(zhì)上是微型通斷開關(guān)。隨著晶體管尺寸縮減導(dǎo)致芯片密度提高，消費電子產(chǎn)品增加了很多令人興奮的功能，且產(chǎn)品價格降至消費者預(yù)期水平。同時，這些新功能的運行時鐘速度非常快，用戶通過鍵盤、觸摸屏、語音發(fā)布命令，手機(jī)可即刻做出響應(yīng)。

    現(xiàn)在，當(dāng)這些晶體管縮減至納米級別時，在大小相當(dāng)于頭發(fā)直徑的面積上，可容納約450個晶體管，物理學(xué)向采用平面CMOS技術(shù)制造的體效應(yīng)晶片的傳統(tǒng)高速和低功耗優(yōu)勢發(fā)出挑戰(zhàn)。在電路小型化的發(fā)展過程中，F(xiàn)D-SOI技術(shù)是一個重大的技術(shù)突破，應(yīng)用處理器引擎運行速度達(dá)到3GHz，預(yù)示FD-SOI技術(shù)將被應(yīng)用于便攜設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)及各種應(yīng)用ASIC。在下一代制程中，只有FD-SOI被證明能夠滿足移動工業(yè)的最高性能和最低功耗要求，這兩項要求對于提供令人震撼的圖形和多媒體功能且不影響電池壽命至關(guān)重要。

   意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)制造官Jean-Marc Chery表示：“如我們當(dāng)初預(yù)想，測試證明FD-SOI是一項簡易、快速、高能效的技術(shù)，我們完全預(yù)期到這項技術(shù)的工作速度能夠達(dá)到3GHz，而且設(shè)計方法與體效應(yīng)CMOS相同。受益于全耗盡型溝道和反偏壓，低功耗要求也符合我們的預(yù)期。”

    意法半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)從28納米體效應(yīng)CMOS向28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP十分簡易，因為不存在MOS歷史效應(yīng)，使用傳統(tǒng)CAD工具和方法設(shè)計FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)級芯片的過程與體效應(yīng)完全相同，從而進(jìn)一步提高了研發(fā)設(shè)計的簡易性。FD-SOI能夠制造高能效的器件，必要時，動態(tài)體偏壓讓器件能夠立即進(jìn)入高性能模式，而在其余時間保持在低泄漏電流模式，這對于應(yīng)用軟件、操作系統(tǒng)和高速緩存系統(tǒng)均是完全透明的。與體效應(yīng)CMOS相比，F(xiàn)D-SOI性能更高，工作電壓更低，能效更高。