簡(jiǎn)介
雖然人們普遍認(rèn)為電容是解決噪聲相關(guān)問(wèn)題的靈丹妙藥,，但是電容的價(jià)值并不僅限于此,。設(shè)計(jì)人員常常只想到添加幾個(gè)電容就可以解決大多數(shù)噪聲問(wèn)題,，但卻很少去考慮電容和電壓額定值之外的參數(shù)。然而，與所有電子器件一樣，電容并不是十全十美的,，相反，電容會(huì)帶來(lái)寄生等效串聯(lián)電阻(ESR)和電感(ESL)的問(wèn)題,，其電容值會(huì)隨溫度和電壓而變化,，而且電容對(duì)機(jī)械效應(yīng)也非常敏感。

雖然人們普遍認(rèn)為電容是解決噪聲相關(guān)問(wèn)題的靈丹妙藥,，但是電容的價(jià)值并不僅限于此,。設(shè)計(jì)人員常常只想到添加幾個(gè)電容就可以解決大多數(shù)噪聲問(wèn)題,，但卻很少去考慮電容和電壓額定值之外的參數(shù)。然而,，與所有電子器件一樣,，電容并不是十全十美的，相反,，電容會(huì)帶來(lái)寄生等效串聯(lián)電阻(ESR)和電感(ESL)的問(wèn)題，其電容值會(huì)隨溫度和電壓而變化,，而且電容對(duì)機(jī)械效應(yīng)也非常敏感,。

設(shè)計(jì)人員在選擇旁路電容時(shí)，以及電容用于濾波器,、積分器,、時(shí)序電路和實(shí)際電容值非常重要的其它應(yīng)用時(shí)，都必須考慮這些因素,。若選擇不當(dāng),，則可能導(dǎo)致電路不穩(wěn)定、噪聲和功耗過(guò)大,、產(chǎn)品生命周期縮短,，以及產(chǎn)生不可預(yù)測(cè)的電路行為。

電容技術(shù)

電容具有各種尺寸,、額定電壓和其它特性,，能夠滿足不同應(yīng)用的具體要求。常用電介質(zhì)材料包括油,、紙,、玻璃、空氣,、云母,、聚合物薄膜和金屬氧化物。每種電介質(zhì)均具有特定屬性,，決定其是否適合特定的應(yīng)用,。

在電壓調(diào)節(jié)器中，以下三大類電容通常用作電壓輸入和輸出旁路電容：多層陶瓷電容,、固態(tài)鉭電解電容和鋁電解電容,。“附錄”部分對(duì)這三類電容進(jìn)行了比較。

多層陶瓷電容
多層陶瓷電容(MLCC)不僅尺寸小,，而且將低ESR,、低ESL和寬工作溫度范圍特性融于一體，可以說(shuō)是旁路電容的首選,。不過(guò),，這類電容也并非完美無(wú)缺,。根據(jù)電介質(zhì)材料不同，電容值會(huì)隨著溫度,、直流偏置和交流信號(hào)電壓動(dòng)態(tài)變化,。另外，電介質(zhì)材料的壓電特性可將振動(dòng)或機(jī)械沖擊轉(zhuǎn)換為交流噪聲電壓,。大多數(shù)情況下,，此類噪聲往往以微伏計(jì)，但在極端情況下,，機(jī)械力可以產(chǎn)生毫伏級(jí)噪聲,。

電壓控制振蕩器(VCO)、鎖相環(huán)(PLL),、RF功率放大器(PA)和其它模擬電路都對(duì)供電軌上的噪聲非常敏感,。在VCO和PLL中，此類噪聲表現(xiàn)為相位噪聲,；在RF PA中,，表現(xiàn)為幅度調(diào)制；而在超聲,、CT掃描以及處理低電平模擬信號(hào)的其它應(yīng)用中,，則表現(xiàn)為顯示偽像。盡管陶瓷電容存在上述缺陷,，但由于尺寸小且成本低,，因此幾乎在每種電子器件中都會(huì)用到。不過(guò),，當(dāng)調(diào)節(jié)器用在對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用中時(shí),，設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)評(píng)估這些副作用。

固態(tài)鉭電解電容
與陶瓷電容相比,，固態(tài)鉭電容對(duì)溫度,、偏置和振動(dòng)效應(yīng)的敏感度相對(duì)較低。新興一種固態(tài)鉭電容采用導(dǎo)電聚合物電解質(zhì),，而非常見(jiàn)的二氧化錳電解質(zhì),，其浪涌電流能力有所提高，而且無(wú)需電流限制電阻,。此項(xiàng)技術(shù)的另一好處是ESR更低,。固態(tài)鉭電容的電容值可以相對(duì)于溫度和偏置電壓保持穩(wěn)定，因此選擇標(biāo)準(zhǔn)僅包括容差,、工作溫度范圍內(nèi)的降壓情況以及最大ESR,。

導(dǎo)電聚合物鉭電容具有低ESR特性，成本高于陶瓷電容而且體積也略大，但對(duì)于不能忍受壓電效應(yīng)噪聲的應(yīng)用而言可能是唯一選擇,。不過(guò),，鉭電容的漏電流要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于等值陶瓷電容，因此不適合一些低電流應(yīng)用,。

固態(tài)聚合物電解質(zhì)技術(shù)的缺點(diǎn)是此類鉭電容對(duì)無(wú)鉛焊接過(guò)程中的高溫更為敏感,，因此制造商通常會(huì)規(guī)定電容在焊接時(shí)不得超過(guò)三個(gè)焊接周期。組裝過(guò)程中若忽視此項(xiàng)要求,，則可能導(dǎo)致長(zhǎng)期穩(wěn)定性問(wèn)題,。

鋁電解電容
傳統(tǒng)的鋁電解電容往往體積較大、ESR和ESL較高,、漏電流相對(duì)較高且使用壽命有限（以數(shù)千小時(shí)計(jì)）,。而OS-CON電容則采用有機(jī)半導(dǎo)體電解質(zhì)和鋁箔陰極，以實(shí)現(xiàn)較低的ESR,。這類電容雖然與固態(tài)聚合物鉭電容相關(guān)，但實(shí)際上要比鉭電容早10年或更久,。由于不存在液態(tài)電解質(zhì)逐漸變干的問(wèn)題,，OS-CON型電容的使用壽命要比傳統(tǒng)的鋁電解電容長(zhǎng)。大多數(shù)電容的工作溫度上限為105°C,，但現(xiàn)在OS-CON型電容可以在最高125°C的溫度范圍內(nèi)工作,。

雖然OS-CON型電容的性能要優(yōu)于傳統(tǒng)的鋁電解電容，但是與陶瓷電容或固態(tài)聚合物鉭電容相比,，往往體積更大且ESR更高,。與固態(tài)聚合物鉭電容一樣，這類電容不受壓電效應(yīng)影響,，因此適合低噪聲應(yīng)用,。

為L(zhǎng)DO電路選擇電容輸出電容
ADI公司的低壓差調(diào)節(jié)器(LDO)可以與節(jié)省空間的小型陶瓷電容配合使用，但前提是這些電容具有低等效串聯(lián)電阻(ESR),；輸出電容的ESR會(huì)影響LDO控制環(huán)路的穩(wěn)定性,。為確保穩(wěn)定性，建議采用至少1 µF且ESR最大為1 Ω的電容,。

輸出電容還會(huì)影響調(diào)節(jié)器對(duì)負(fù)載電流變化的響應(yīng),。控制環(huán)路的大信號(hào)帶寬有限,，因此輸出電容必須提供快速瞬變所需的大多數(shù)負(fù)載電流,。當(dāng)負(fù)載電流以500 mA/µs的速率從1 mA變?yōu)?00 mA時(shí)，1µF電容無(wú)法提供足夠的電流,，因而產(chǎn)生大約80 mV的負(fù)載瞬態(tài),，如圖1所示。當(dāng)電容增加到10 µF時(shí)，負(fù)載瞬態(tài)會(huì)降至約70 mV,，如圖2所示,。當(dāng)輸出電容再次增加并達(dá)到20 µF時(shí)，調(diào)節(jié)器控制環(huán)路可進(jìn)行跟蹤,，主動(dòng)降低負(fù)載瞬態(tài),，如圖3所示。這些示例都采用線性調(diào)節(jié)器ADP151,，其輸入和輸出電壓分別為5 V和3.3 V,。

圖1. 瞬態(tài)響應(yīng)(C_OUT = 1 μF)

圖2. 瞬態(tài)響應(yīng)(C_OUT = 10 μF)

圖3. 瞬態(tài)響應(yīng)(C_OUT = 20 μF)

輸入旁路電容
在V_IN和GND之間連接一個(gè)1 μF電容可以降低電路對(duì)PCB布局的敏感性，特別是在長(zhǎng)輸入走線或高信號(hào)源阻抗的情況下,。如果輸出端上要求使用1 μF以上的電容,，則應(yīng)增加輸入電容，使之與輸出電容匹配,。

輸入和輸出電容特性
輸入和輸出電容必須滿足預(yù)期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求,。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造，溫度和電壓不同,，其特性也不相同,。對(duì)于5 V應(yīng)用，建議采用電壓額定值為6.3 V至10 V的X5R或X7R電介質(zhì),。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳,，因此不適合與LDO一起使用。

圖4所示為采用0402封裝的1 μF,、10 V X5R電容與偏置電壓之間的關(guān)系,。電容的封裝尺寸和電壓額定值對(duì)其電壓穩(wěn)定性影響極大。一般而言,，封裝尺寸越大或電壓額定值越高,，電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40℃至+85°C溫度范圍內(nèi)為±15%,，與封裝或電壓額定值沒(méi)有函數(shù)關(guān)系,。

圖4. 電容與電壓的特性關(guān)系

要確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容,，可用溫度變化率和容差來(lái)調(diào)整標(biāo)稱電容,，
如公式1所示：C_EFF = C_BIAS × (1 – TVAR) × (1 –TOL)(1)

其中，C_BIAS是工作電壓下的標(biāo)稱電容,；TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率（百分率）,；TOL是最差情況下的元件容差（百分率）。

本例中,，X5R電介質(zhì)在–40°C至+85°C范圍內(nèi)的TVAR為15%,；TOL為10%；CBIAS在1.8 V時(shí)為0.94 μF，如圖4所示,。將這些值代入公式1,， 即可得出：CEFF = 0.94 μF × (1 – 0.15) × (1 – 0.1) = 0.719 μF

在工作電壓和溫度范圍內(nèi)，ADP151的最小輸出旁路電容額定值為0.70 μF,，因而此電容符合該項(xiàng)要求,。

總結(jié)
為保證LDO的性能，必須正確認(rèn)識(shí)并嚴(yán)格評(píng)估旁路電容的直流偏置,、溫度變化率和容差,。在要求低噪聲、低漂移或高信號(hào)完整性的應(yīng)用中,，也必須考慮電容技術(shù),。所有電容都存在一些不夠理想的行為效應(yīng)，因此所選的電容技術(shù)必須與應(yīng)用需求相適應(yīng),。

附錄

 
圖A. 用于電源旁路的常用電容

從頂部開(kāi)始沿順時(shí)針?lè)较蛞来螢椋潭葹楹撩祝?br /> 100 μF/6.3 V聚合物固態(tài)鋁電容
1 μF/35 V和10 μF/25 V固態(tài)鉭電容
1 μF/25 V,、4.7 μF/16 V和10 μF/25 V多層陶瓷電容
10 μF/16 V和22 μF/25 V鋁電解電容