賓夕法尼亞,、MALVERN — 2010 年 6 月 12 日 — 日前,， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本,，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻,，展示SiZ700DT PowerPAIR®雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案,。
　
　　傳統(tǒng)上,，設(shè)計者要在筆記本電腦,、VRM、電源模塊,、圖形卡,、服務(wù)器和游戲機，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源,、POL,、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用中所需的低導(dǎo)通電阻和高電流，就不得不使用兩片分立MOSFET,。
　
　　新視頻展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通過將一個低邊和高邊MOSFET組合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中,，減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中電源架構(gòu)所需的空間，增加轉(zhuǎn)換器的功能,，開發(fā)更小的終端產(chǎn)品,，同時保持低導(dǎo)通電阻和最大電流。
　
　　SiZ700DT的低邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為5.8mΩ,，在+70℃下的最大電流為13.9A,，高邊MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻為8.6mΩ，在+70℃下的最大電流為10.5A,。這些指標(biāo)使設(shè)計者能夠使用一個器件完成設(shè)計,，節(jié)約方案的成本和空間，包括在兩個分立MOSFET之間的間隙和標(biāo)注面積,。
　
　　兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部進行連接,，使得布局變得更加簡潔，同時減少PCB印制線的寄生電感,，提高效率,。此外，SiZ700DT的輸入引腳排列在一側(cè),，輸出引腳排列在另一側(cè),，可進一步簡化布局。
　
　　欲觀看此視頻,，請訪問：
　　http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html,。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、整流器,、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一,，這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。
　
　　TrenchFET®和PowerPAIR®是Siliconix公司的注冊商標(biāo),。