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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

新款100V MOSFET問世,,F(xiàn)airchild極具開創(chuàng)性的 PowerTrench® MOSFET產(chǎn)品組合又添新成員
2016-03-22

  美國加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V  N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET,。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件,能夠使需要100V MOSFET的電源,、電機(jī)驅(qū)動和其他應(yīng)用極大地提升效率,、降低電壓振鈴并減弱電磁干擾(EMI),。

  近25年前,F(xiàn)airchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功,。新一代PowerTrench產(chǎn)品將會讓我們繼續(xù)處于MOSFET技術(shù)研發(fā)的最前沿,,領(lǐng)先于競爭對手,并滿足客戶嚴(yán)苛的要求。

  Fairchild副總裁兼iFET業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Suman Narayan表示:“相對于此前產(chǎn)品,,我們的新型100V N溝道FET已取得巨大進(jìn)步,。從能效到可靠性,新一代PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品在各個性能類別的表現(xiàn)幾乎都優(yōu)于競爭對手,,堪稱行業(yè)領(lǐng)先,。”

  新型FDMS86181的主要優(yōu)點分別為:Rdson減少了40%,,從而降低了導(dǎo)通損耗,;最大程度降低柵極電荷(Qg),從而減少了開關(guān)損耗,。FDMS86181極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)幾乎消除了產(chǎn)生振鈴的電壓過沖隱患,,這就允許在產(chǎn)品設(shè)計時少用或者不用緩沖器并降低電磁干擾(EMI)。 利用FDMS86181的這一獨特優(yōu)勢,,設(shè)計人員不但減小了產(chǎn)品的尺寸,,同時還降低了物料(BOM)成本。


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