香港, Apr 6, 2016 - (ACN Newswire) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司（「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,，連同其附屬公司,，統(tǒng)稱「集團」，股份代號：1347.HK）今天宣布公司90納米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小,、功耗低,、性能高的特點，具有很強的市場競爭優(yōu)勢,。

　　華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)的90納米低功耗（LP）嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺,，是國內(nèi)最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術(shù)，可與標準邏輯工藝完全兼容,；在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上,，提供了極小面積的低功耗Flash IP；具有極高集成度的基本單元庫,，與0.11微米eFlash工藝相比,，門密度提升30%以上?；谶@些優(yōu)點,，華虹半導(dǎo)體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺，減小30%以上,，再加上較低的光罩成本優(yōu)勢,，能夠為SIM卡、Ukey,、SWP、社?？?、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及MCU產(chǎn)品提供極佳性價比的芯片制造技術(shù)解決方案。

　　華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺之一,，從0.35微米,、0.18微米、0.11微米,，到現(xiàn)在的90納米,，一路走來，始終保持著業(yè)界領(lǐng)先地位,，穩(wěn)定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,，受到客戶廣泛認可。同時,，公司通過持續(xù)在該技術(shù)領(lǐng)域的深耕發(fā)展,，已成為智能卡IC生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、全球最大的智能卡IC代工者,。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示,，華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術(shù)方面的專家，能夠在相對更小的芯片上發(fā)揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產(chǎn)將推動新一代應(yīng)用的快速發(fā)展,。公司將通過進一步縮小Flash基本存儲單元,、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數(shù),，持續(xù)追求具有更小芯片和更低成本的解決方案,，繼續(xù)成為智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲器應(yīng)用的首選半導(dǎo)體代工公司。