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TI的600V GaN FET功率級 提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

TI公布其制造并提供樣片的首款集成高壓GaN FET和驅(qū)動(dòng)器解決方案可實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度,同時(shí)將功率損耗減半
2016-05-04

  2016年5月3日,,北京訊

  基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),,德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片,從而使TI成為首家,,也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商,。與基于硅材料FET的解決方案相比,這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起,,能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小,、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè),、電信,、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息,,敬請?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg3410-pr-cn

  “通過3百萬小時(shí)以上的可靠測試,,LMG3410使電源設(shè)計(jì)人員對GaN的無限潛能充滿信心,并且這也他們用之前認(rèn)為根本不可行的方法重新思考電源架構(gòu)和系統(tǒng),,”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說,,“隨著TI在生產(chǎn)制造能力和大量系統(tǒng)設(shè)計(jì)專業(yè)知識方面的聲譽(yù)不斷擴(kuò)大,全新的功率級成為TI邁向GaN市場的重要一步,?!?/p>

  借助集成驅(qū)動(dòng)器和零反向恢復(fù)電流等特性,,LMG3410提供可靠的性能,,特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中更是如此;在這些應(yīng)用中,它能夠極大地降低開關(guān)損耗,,最多能降低80%,。與獨(dú)立GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了針對溫度,、電流和欠壓閉鎖(UVLO)故障保護(hù)的內(nèi)置智能化等功能,。

  經(jīng)驗(yàn)證的制造和封裝專業(yè)技術(shù)

  LMG3410是第一款包含了由TI生產(chǎn)的GaN FET的半導(dǎo)體集成電路(IC)?;谠谥圃旌凸に囶I(lǐng)域多年形成的專業(yè)技術(shù),,TI在其硅技術(shù)兼容的工廠內(nèi)創(chuàng)造出了GaN器件,并且通過不斷的實(shí)踐,,使這些器件的質(zhì)量超過了電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)的要求,,以確保GaN在嚴(yán)酷的使用環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)健耐用性,。易于使用的封裝將有助于增加功率因數(shù)控制器(PFC) AC/DC轉(zhuǎn)換器,、高壓DC總線轉(zhuǎn)換器和光伏(PV)逆變器等應(yīng)用中GaN電源設(shè)計(jì)的部署和采用率。

  LMG3410的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

  ·使功率密度加倍,。與基于硅材料的先進(jìn)升壓功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器相比,,600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗還要低50%,。減少的物料清單(BOM)數(shù)量和更高的效率最多可以將電源的尺寸減少50%。

  ·減少封裝寄生電感,。與分立式GaN解決方案相比,,全新器件的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI),。

  ·可實(shí)現(xiàn)全新拓?fù)?。GaN的零反向恢復(fù)電荷有益于全新開關(guān)拓?fù)洌渲邪▓D騰柱PFC和LLC拓?fù)?,以增加功率密度和效率?/p>

  拓展GaN生態(tài)系統(tǒng)

  為了能夠讓設(shè)計(jì)人員在他們的電源設(shè)計(jì)中利用GaN技術(shù)所具有的優(yōu)勢,,TI還推出了全新的產(chǎn)品,以擴(kuò)展其GaN生態(tài)系統(tǒng),。LMG5200POLEVM-10,,一個(gè)48V至1V負(fù)載點(diǎn)(POL)評估模塊,將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器,。這個(gè)解決方案可以在工業(yè),、電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高達(dá)92%的效率。

  供貨

  TI將提供包含一個(gè)半橋子板和4個(gè)LMG3410 IC樣片的開發(fā)套件,。第二個(gè)套件包含一個(gè)系統(tǒng)級評估母板,。一起使用時(shí),這兩個(gè)套件可實(shí)現(xiàn)直接工作臺測試和設(shè)計(jì)?,F(xiàn)在,,這兩個(gè)開發(fā)套件在TI商店有售,。

  其它資源:

  ·查看TI的GaN解決方案產(chǎn)品庫。

  ·用數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器提高您的GaN體驗(yàn),。

  ·下載這些白皮書:

  o“用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能,。”

  o“基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC,?!?/p>

  ·閱讀博文,“我們一起來實(shí)現(xiàn)GaN的可靠運(yùn)行”,,并且深入研究Power House博客內(nèi)的更多GaN博文,。

  ·加入德州儀器在線支持社區(qū),尋找解決方案,,獲得幫助,,并與同行工程師和TI專家分享知識和解決難題。


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