西部數(shù)據(jù)公司今日宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術BiCS3,,具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數(shù)據(jù)公司與制造商東芝公司聯(lián)合開發(fā),,初步的閃存容量為256GB,,且在單芯片上的容量最高可達0.5TB。目前,,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其位于日本四日市的合資企業(yè)開始試產(chǎn),,預計今年晚些時候完成初產(chǎn)。公司計劃在2017年上半年開始商業(yè)化量產(chǎn),。
西部數(shù)據(jù)存儲技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram先生表示:“在我們64位架構基礎上發(fā)布下一代3D NAND技術,,將增強我們在NAND閃存技術領域的領導地位,。BiCS3采用了3位元型技術,并在高深寬比半導體處理上實現(xiàn)進展,,能夠以更優(yōu)成本提供更高容量,、出色性能,并具有更高的可靠性,。這項技術與BiCS2一道,,大幅擴寬了我們的3D NAND產(chǎn)品組合,,提升了我們滿足零售,、移動和數(shù)據(jù)中心整體客戶應用需求的能力?!?/p>
西部數(shù)據(jù)希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3,,本季度開始OEM取樣檢驗。同時,,公司將繼續(xù)為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產(chǎn)品,。
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