《電子技術(shù)應(yīng)用》
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EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)

2017-01-22
關(guān)鍵詞: EUV 制程

半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)入10nm之后,,難度越來越大,,Intel為此多次調(diào)整了產(chǎn)品策略,10nm工藝的產(chǎn)品推遲到今年底,,以致于很多人認(rèn)為摩爾定律將死。推動科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會停滯不前嗎,?這也不太可能,,7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝,研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年,,部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了,。

此前的報(bào)道中我們也解釋了半導(dǎo)體芯片制造過程中,光刻是非常關(guān)鍵的一步,,決定了芯片的技術(shù)水平,。目前使用的是沉浸式光刻工藝,未來則是EUV(即紫外光刻)工藝,。不過EUV工藝研發(fā)實(shí)在太難了,,早在2006年業(yè)界就開始聯(lián)合研發(fā)EUV工藝,直到10年后的今天,,EUV光刻機(jī)才開始小批量生產(chǎn),,荷蘭ASML公司日前在財(cái)報(bào)中提到去年底他們售出6臺EUV光刻機(jī),總數(shù)達(dá)到了18臺,,總價值超過20億歐元,。

今年半導(dǎo)體公司將升級到10nm節(jié)點(diǎn),,不過還是用不上EUV工藝,ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工藝節(jié)點(diǎn)上,,EUV工藝才會正式啟用,,那時候傳統(tǒng)的沉浸式光刻工藝也會遭遇極限。

現(xiàn)在半導(dǎo)體公司提到的新一代制程工藝除了7nm之外,,還有5nm,、3nm,那么更遠(yuǎn)的未來呢,?ASML公司CEO Peter Wennink在接受采訪時表示EUV工藝不僅能降低7nm,、5nm的成本,他們還看的更遠(yuǎn),,可支撐未來15年,,也就是考慮2030年前后的工藝了,ASML表示已經(jīng)有客戶在討論未來的1.5nm工藝路線圖了,。

如ASML所說,,EUV工藝未來也會升級,現(xiàn)在的EUV工藝數(shù)值孔徑還是0.33,,可用兩三代工藝,,不過去年他們宣布20億美元入股卡爾蔡司子公司SMT,雙方將合作開發(fā)0.5孔徑的EUV工藝,,還可以再支撐兩三代工藝,,不過這樣的EUV光刻機(jī)要等到2024年才能問世。


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