以SiC和GaN為代表的第三代半導體材料是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點,。美,、日,、歐等各國積極進行戰(zhàn)略部署，第三代半導體材料引發(fā)全球矚目,，并成為半導體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競爭焦點。作為電力電子器件,，SiC器件在低壓領(lǐng)域如高端的白色家電,、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力,。但在高壓領(lǐng)域,，如高速列車、風力發(fā)電以及智能電網(wǎng)等,，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢,。
SiC材料與電力電子器件的發(fā)展
賽迪智庫在充分研究了SiC材料和電力電子器件的發(fā)展歷程之后認為，從2016年開始SiC已經(jīng)進入成熟期,。站在成熟期的“元年”,，去研究各國在政策和產(chǎn)業(yè)的動向，對分析SiC產(chǎn)業(yè)的在我國的后續(xù)發(fā)展有著重要意義,。
美國等發(fā)達國家為了搶占第三代半導體技術(shù)的戰(zhàn)略制高點,，通過國家級創(chuàng)新中心、協(xié)同創(chuàng)新中心,、聯(lián)合研發(fā)等形式,，將企業(yè)、高校,、研究機構(gòu)及相關(guān)政府部門等有機地聯(lián)合在一起,，實現(xiàn)第三代半導體技術(shù)的加速進步,，引領(lǐng)、加速并搶占全球第三代半導體市場,。美國等發(fā)達國家2016年第三代半導體材料相關(guān)部分政策措施：
國內(nèi)也正在積極推進,，著力換道超車。國家和各地方政府也陸續(xù)推出政策和產(chǎn)業(yè)扶持基金發(fā)展第三代半導體相關(guān)產(chǎn)業(yè)：地方政策也在2016年大量出臺,，福建,、廣東、江蘇,、北京,、青海等27個地區(qū)出臺第三代半導體相關(guān)政策（不包括LED）近30條。一方面多地均將第三代半導體寫入“十三五”相關(guān)規(guī)劃,，另一方面不少地方政府有針對性對當?shù)鼐哂幸欢▋?yōu)勢的SiC和GaN材料企業(yè)進行扶持,。福建省更是計劃投入500億，成立專門的安芯基金來建設(shè)第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群,。國內(nèi)第三代半導體材料部分政策：
產(chǎn)業(yè)方面,，SiC的電力電子器件市場在2016年正式形成，市場規(guī)模約在2.1億—2.4億美金之間,。而據(jù)Yole最新預測,，SiC市場規(guī)模在2021年將上漲到5.5億美金。目前全球有超過30家公司在電力電子領(lǐng)域擁有SiC,、GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn),、設(shè)計、制造和銷售能力,。2016年SiC無論在襯底材料,、器件還是在應(yīng)用方面，均有很大進展,，已經(jīng)開發(fā)出耐壓水平超過20KV的IGBT樣片,。
圖：2015-2012年SiC器件市場規(guī)模 數(shù)據(jù)來源：Yole 2016
2016年的半導體領(lǐng)域并購案中直接涉及第三代半導體的有4項，涉及交易金額達100億美元,。其中以Infineon收購Cree分拆的Wolfspeed對產(chǎn)業(yè)格局影響最大,，但該項交易于2017年2月16日因為美國外國投資委員會（CFIUS）關(guān)注的國家安全問題而被迫中止。
2016年,，我國第三代半導體電力電子器件的市場規(guī)模約1.6億元,，其中90%為進口產(chǎn)品。我國在第三代半導體襯底,、外延材料,、器件的整體水平落后于美日歐等發(fā)達國家大于3年左右。在電力電子方面,，日,、美,、歐在地鐵機車、新能源汽車,、白色家電等領(lǐng)域已經(jīng)開展了規(guī)模應(yīng)用,，而我國只在光伏逆變器、PFC電源,、UPS等領(lǐng)域有小規(guī)模應(yīng)用,，可以說還有不小的差距。較差的基礎(chǔ)也決定了我國發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)離不開產(chǎn)業(yè)投資基金的支持,。據(jù)初步統(tǒng)計,，目前各地涉及第三代半導體的地方基金規(guī)模超過1600億人民幣，同時能夠撬動更大規(guī)模的民間資本進入第三代半導體產(chǎn)業(yè),。2016年部分SiC項目投資列表：
目前,，全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲,、日本三足鼎立態(tài)勢,。其中美國全球獨大，居于領(lǐng)導地位,，占有全球SiC產(chǎn)量的70-80%；歐洲擁有完整的SiC襯底,、外延,、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，在全球電力電子市場擁有強大的話語權(quán),；日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對領(lǐng)先者,。我國由于在LED方面已經(jīng)接近國際先進水平，為第三代半導體在其它方面的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用打下堅實的基礎(chǔ),。
縱觀近幾年中國半導體的發(fā)展,，借助產(chǎn)業(yè)扶持基金進行海外收購已經(jīng)成為提升國內(nèi)產(chǎn)業(yè)實力的有力武器。但考慮到第三代半導體產(chǎn)業(yè)的資金和技術(shù)雙密集屬性,，特別是SiC和GaN材料和芯片大量應(yīng)用于軍事領(lǐng)域,，海外收購第三代半導體相關(guān)技術(shù)和公司將會越來越困難，美國政府以“國家安全”為由阻止金沙江收購Lumiled,、宏芯投資基金收購德國Aixtron就是其佐證,。自主研發(fā)，全產(chǎn)業(yè)鏈提升國內(nèi)在第三代半導體的競爭力已經(jīng)是一個不可回避的問題,。對比美歐日等發(fā)達國家,，我們應(yīng)該在以下幾個方面做出更大努力：
1．集中優(yōu)勢資源扶持龍頭企業(yè)和研究機構(gòu)。在我國SiC領(lǐng)域本身就不具備優(yōu)勢的情況下,，國家和地方的投資基金卻又很分散的投入到很多企業(yè)里面去,，大大分散本來就不足的研發(fā)投入,，難以形成規(guī)模效應(yīng)。
2．公共研發(fā)平臺的參與,。第三代半導體涉及多個學科,、跨領(lǐng)域的技術(shù)和應(yīng)用。很多基礎(chǔ)性研發(fā)不是企業(yè)能夠解決的,。國內(nèi)的研究院所大多按照領(lǐng)域劃分,，也很難形成跨領(lǐng)域、多學科合作,?？梢砸試翼椖啃问浇M織多個研究院所共同攻克基礎(chǔ)技術(shù)。
3．產(chǎn)業(yè)規(guī)劃先行,。借助行業(yè)協(xié)會的力量,，先行規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展線路，在標準,、檢測,、認證等方面內(nèi)容。是產(chǎn)業(yè)發(fā)展更趨合理性和指導性,。解決現(xiàn)行標準,、檢測、認證等規(guī)則,、程序和新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點不匹配之處,。