《電子技術(shù)應(yīng)用》
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0.13 μm CMOS電流模式高精度基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
2017年電子技術(shù)應(yīng)用第5期
彭 何，王 軍
西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,，四川 綿陽(yáng)621000
摘要： 為提升基準(zhǔn)源的精度,，降低功耗,，設(shè)計(jì)了一種新型帶曲率補(bǔ)償?shù)牡凸膸痘鶞?zhǔn)電路。該電路根據(jù)MOS管亞閾值區(qū)固有指數(shù)關(guān)系去補(bǔ)償PNP型晶體管發(fā)射結(jié)電壓的高階溫度特性,，在只增加兩股鏡像電流下,，該帶隙基準(zhǔn)電路與傳統(tǒng)一階低壓帶隙基準(zhǔn)電路相比，具有低功耗和更低的溫漂系數(shù),?；谥行緡?guó)際130 nm COMS工藝，仿真表明,，溫度在-20 ℃～80 ℃范圍內(nèi),，溫漂為4.6 ppm/℃，電源抑制比為60 dB,，輸出基準(zhǔn)電壓為610 mV,，整體電路功耗為820 nW。
中圖分類(lèi)號(hào)： TN433
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.2017.05.007
中文引用格式： 彭何,，王軍. 0.13 μm CMOS電流模式高精度基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,，2017，43(5)：34-37.
英文引用格式： Peng He,，Wang Jun. Design of 0.13 μm CMOS current mode high precision reference source[J].Application of Electronic Technique,，2017,，43(5)：34-37.
Design of 0.13 μm CMOS current mode high precision reference source
Peng He，Wang Jun
School of Information Engineering,，Southwest University of Science and Technology,，Mianyang 621000，China
Abstract： In order to improve the precision of the reference source, and reduce the power consumption, a low power consumption bandgap reference circuit with curvature compensation was designed. The circuit according to inherent exponential relationship of MOS sub-threshold region compensates higher-order temperature characteristics of PNP transistor emitter junction voltage. The circuit increased only two strands of current mirror making the circuit with low power consumption, and lower temperature coefficient compared with the traditional first order low voltage band gap reference circuit. Based on 130 nm COMS technology of SMIC, simulation show that the temperature is in the range of -20 ℃ to 80 ℃, and the temperature coefficient is 4.6 ppm/℃. The power supply rejection ratio is 60 dB, the output reference voltage is 610 mV. The overall circuit power consumption is 820 nW.
Key words : band gap reference,；sub-threshold,；low power consumption；low voltage

0 引言

    隨著可穿戴電子產(chǎn)品及便攜式充電電源的增多,，對(duì)芯片的功耗和性能提出了更苛刻的要求[1],。在模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電源芯片等集成電路設(shè)計(jì)中,，低溫度系數(shù),、低功耗帶隙基準(zhǔn)源越來(lái)越重要。傳統(tǒng)電流模式低壓帶隙基準(zhǔn)電路通過(guò)一階補(bǔ)償?shù)玫降臏仄禂?shù)一般大于20 ppm/℃,，不能滿(mǎn)足高性能系統(tǒng)芯片要求,，還需要做進(jìn)一步補(bǔ)償。文獻(xiàn)[2]提出了一種基于MOS管閾值電壓特性的曲率補(bǔ)償?shù)蛪簬痘鶞?zhǔn)電路,，使基準(zhǔn)溫漂為9 ppm/℃,。文獻(xiàn)[3]通過(guò)增加一條支路消去VBE的高階溫度項(xiàng)，使溫漂系數(shù)降低到7 ppm/℃,。本文根據(jù)MOS管亞閾值電流模型,，提出了一種補(bǔ)償電流產(chǎn)生電路，使基準(zhǔn)電壓在參考溫度附近為一定值,，溫漂可低至4.6 ppm/℃,。

1 補(bǔ)償原理分析與推導(dǎo)

1.1 補(bǔ)償電路分析

    雙極晶體管的基極發(fā)射極電壓VBE不僅包含溫度的一次項(xiàng)，還包含溫度的高次項(xiàng)如下[4]：

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    要得到更低的溫度系數(shù)必須對(duì)基極發(fā)射極電壓的高次項(xiàng)進(jìn)行補(bǔ)償,。TR為參考溫度,，一般為300 K，VBG(TR)為在參考溫度點(diǎn)的能帶電壓V(TR)外推到T=0 K時(shí)的能帶電壓,，約為1.17 V,。VEB(TR)為參考溫度下的基極發(fā)射極電壓，η為工藝相關(guān)的常數(shù),，典型值在2～4之間,，VT=KT/q。本章的補(bǔ)償方案是利用兩個(gè)工作在亞閾值區(qū)NMOS管的VGS電壓差產(chǎn)生一個(gè)近似等于VEB中關(guān)于溫度的非線(xiàn)性電壓,，并把該電壓與VEB相加,，消去基極發(fā)射極電壓的非線(xiàn)性項(xiàng)得到一個(gè)近似與溫度成一次關(guān)系的電壓。相似的補(bǔ)償方法在文獻(xiàn)[5][6]中已有提到。

    本文提出的帶隙基準(zhǔn)電路原理圖如圖1所示,。其中N8,、N9、N0為厚柵,，低閾值電壓MOS管,，且工作在亞閾值區(qū),，I1為與絕對(duì)溫度成正比的電流,，I2為補(bǔ)償電流：

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    電路中通過(guò)鏡像的方式強(qiáng)制使A、B兩點(diǎn)的電壓近似相等,，產(chǎn)生與溫度成正比的電流I1,。考慮減小溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)對(duì)鏡像電流的影響,，P4-P8器件長(zhǎng)度大于2 μm,。

1.2 補(bǔ)償原理推導(dǎo)

    由圖1可知與絕對(duì)溫度成正比的電流I1為：

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    因?yàn)榛鶞?zhǔn)電流等于補(bǔ)償電流和與絕對(duì)溫度成正比的電流之和。把式(3）,、式(4)帶入式(1)可得：

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m變化范圍一般為1.1～1.5,。由上表達(dá)式可以得出，在近似滿(mǎn)足T≈TR的條件下,，補(bǔ)償電流I2中溫度的高次項(xiàng)被補(bǔ)償后,，其值幾乎為零。所以由式(7)得到:

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2 整體電路結(jié)構(gòu)

    帶曲率補(bǔ)償?shù)牡蛪簬痘鶞?zhǔn)電路包括4部分：?jiǎn)?dòng)與偏置電路,、運(yùn)算放大器電路,、與絕對(duì)溫度成正比產(chǎn)生電路、高階補(bǔ)償電路,。整體電路如圖2所示,。

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    其中P0、P1,、P1′和大電阻R構(gòu)成啟動(dòng)電路,，當(dāng)偏置電路處于零態(tài)平衡點(diǎn)時(shí)，P1和P1′導(dǎo)通,，通過(guò)電流鏡P1′會(huì)流過(guò)一個(gè)電流注入N11和N12的柵極,，抬高其電壓，促使電路脫離零態(tài)平衡點(diǎn)[7],。當(dāng)整體電路正常工作后,，P0的電流會(huì)抬高P1和P1′的柵極電壓，關(guān)斷P1′,，完成電路的啟動(dòng),。

    設(shè)定運(yùn)放工作電流小于500 nA，在不負(fù)載大電容的情況下,，米勒補(bǔ)償?shù)亩?jí)運(yùn)放的鏡像極點(diǎn)和輸出極點(diǎn)不易分開(kāi)導(dǎo)致相位裕度不夠[8],，本章在考慮共模輸入范圍后采用NOMS輸入折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),，由圖2可知運(yùn)放的主極點(diǎn)為：

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其中，g為圖2中對(duì)應(yīng)晶體管的跨導(dǎo),， r為對(duì)應(yīng)晶體管電阻,。在穩(wěn)定性和啟動(dòng)時(shí)間上進(jìn)行折中考慮加入一個(gè)較大的負(fù)載電容Cp。

    整體電路基于中芯國(guó)際0.13 μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn),，給出折疊式運(yùn)放和關(guān)鍵器件參數(shù)如表1,。

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3 仿真結(jié)果與分析

    運(yùn)用spectre，在3種典型工藝角(tt,，ff,，ss)下，對(duì)帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行溫度掃描(-40 ℃～125 ℃)得到基準(zhǔn)電壓隨溫度的變化曲線(xiàn)如圖3,。

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    在工藝角tt下,，進(jìn)行直流溫度掃描(-20 ℃～80 ℃)，得到補(bǔ)償電流和與絕對(duì)溫度成正比的電流,，即P13的漏端電流和P14的漏端電流如圖4,。

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    由圖可知補(bǔ)償電流和與絕對(duì)溫度成正比的電流的斜率的絕對(duì)值近似相等。當(dāng)設(shè)定的掃描溫度超出-20 ℃～80 ℃后,，補(bǔ)償電流溫度曲線(xiàn)線(xiàn)性度變差,，由式(9)可知泰勒展開(kāi)式的假設(shè)不成，進(jìn)而導(dǎo)致補(bǔ)償電流的線(xiàn)性度變差,，使得基準(zhǔn)電壓溫度特性變差,。

    電源電壓從0～2 V線(xiàn)性變化，當(dāng)電源電壓達(dá)到1.1 V時(shí),，整體電路基本處于穩(wěn)定工作狀態(tài),，tt工藝角下輸出電壓穩(wěn)定為610 mV。電源線(xiàn)性調(diào)整率為0.12%,。

    帶隙基準(zhǔn)電路版圖如圖6所示,，尺寸為：170 μm×110 μm。采用3層金屬布線(xiàn),，以及無(wú)硅化物的多晶硅電阻與金屬電容,。考慮匹配,，運(yùn)放輸入管N9,、N10采用共質(zhì)心布局，Q2包圍Q1,，電流從上至下,。

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    提出的電流模式高精度帶隙基準(zhǔn)電路與部分低壓帶隙基準(zhǔn)源電路性能參數(shù)比較如表2。

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4 結(jié)論

    本文分析三極管基極發(fā)射極電壓溫度特性，根據(jù)泰勒展開(kāi)式,，推導(dǎo)了MOS管亞閾值模型在一定溫度范圍內(nèi)近似消除VBE高階溫度項(xiàng),，進(jìn)而設(shè)計(jì)了一種高階補(bǔ)償基準(zhǔn)電路。電路溫漂為4.6 ppm/℃,，電源電壓從1.1 V到1.5 V變化,，帶隙基準(zhǔn)電路輸出平均值為610 mV，電源線(xiàn)性調(diào)整率為0.12%,。功耗僅為820 nW,。spectre仿真結(jié)果表明該帶隙基準(zhǔn)電路性能良好，能在模數(shù),、數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片中應(yīng)用,。

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作者信息:

彭  何，王  軍

（西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,，四川 綿陽(yáng)621000）

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