智能互聯(lián)時(shí)代,，數(shù)據(jù)洪流洶涌而生,，對計(jì)算力的需求前所未有。英特爾始終以領(lǐng)先的制程工藝提供不斷躍升的計(jì)算力,，并將晶體管密度作為引領(lǐng)制程工藝發(fā)展的首要準(zhǔn)則,。英特爾以突破性技術(shù)和持續(xù)創(chuàng)新不斷打破摩爾定律失效“魔咒”，過去15年里在業(yè)界廣泛應(yīng)用的主要制程工藝創(chuàng)新都由英特爾推動(dòng),，并始終擁有至少三年的領(lǐng)先優(yōu)勢,。
晶體管密度：
衡量制程工藝領(lǐng)先性的首要準(zhǔn)則
目前一些競爭友商公司的制程節(jié)點(diǎn)名稱并不準(zhǔn)確，無法正確體現(xiàn)這個(gè)制程位于摩爾定律曲線的哪個(gè)位置,。摩爾定律是指每一代制程工藝的晶體管密度加倍,，縱觀發(fā)展史，業(yè)界在命名新制程節(jié)點(diǎn)時(shí)會(huì)比上一代縮小30%,，這種線性縮放意味著晶體管密度提高一倍,，是符合摩爾定律的。近來,，也許是因?yàn)檫M(jìn)一步的制程升級(jí)越來越難,，一些競爭友商公司背離了摩爾定律的法則，即使晶體管密度增加很少,，或者根本沒有增加,，但他們?nèi)岳^續(xù)推進(jìn)采用新一代制程節(jié)點(diǎn)命名。
晶體管密度是衡量制程工藝領(lǐng)先性的首要準(zhǔn)則,。英特爾提出的指標(biāo)是基于標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度,，包含決定典型設(shè)計(jì)的權(quán)重因素，從而得出一個(gè)之前被廣泛接受的晶體管密度公式：
這個(gè)公式可用于任何制造商的任何芯片晶片,，且已被業(yè)界廣泛使用,，它能夠明確、一致地測量晶體管密度,，并為芯片設(shè)計(jì)者和客戶提供關(guān)鍵信息,，準(zhǔn)確比較不同制造商的制程。通過采用這個(gè)指標(biāo),，業(yè)界可以改變制程節(jié)點(diǎn)命名的亂象,。
英特爾10納米：
晶體管密度是其他競爭友商“10納米”的2倍
英特爾10納米制程采用第三代FinFET技術(shù)，相比其他競爭友商“10 納米”制程領(lǐng)先整整一代,。英特爾10納米制程的晶體管密度達(dá)到每平方毫米1.008 億個(gè)晶體管,，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，是業(yè)界其他競爭友商“10納米”制程的約2倍,。
相比之前的14納米制程,，英特爾10納米制程實(shí)現(xiàn)多達(dá)25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增強(qiáng)版的10納米制程——10++,，可將性能再提升15%并將功耗再降低 30%,。
英特爾10納米制程計(jì)劃于2017年底投產(chǎn),，2018年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
英特爾14納米：
晶體管密度與其他競爭友商“10納米”相當(dāng)
相比于業(yè)界其他競爭友商的16/14納米制程,，英特爾14納米制程的晶體管密度是他們的約1.3倍,。業(yè)界其他競爭友商“10 納米”制程的晶體管密度與英特爾14納米制程相當(dāng)，卻晚于英特爾14納米制程三年,。
英特爾14納米制程采用第二代 FinFET 技術(shù),，正處于量產(chǎn)階段。英特爾14納米制程的持續(xù)優(yōu)化使其性能比最初的14納米制程可以提升多達(dá) 26%,，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗,。英特爾14+制程的性能比最初的14納米制程提升了12%，而英特爾14++制程在此基礎(chǔ)上又將性能提升了24%,，超過業(yè)界最佳的其他14/16納米制程20%,。
超微縮技術(shù)：
提供超乎常規(guī)的晶體管密度
超微縮是英特爾用來描述從14納米到10納米制程，晶體管密度提高2.7倍的術(shù)語,。超微縮為英特爾14納米和10納米制程提供了超乎常規(guī)的晶體管密度,，并延長了制程工藝的生命周期。盡管制程節(jié)點(diǎn)間的開發(fā)時(shí)間超過兩年,，但超微縮使其完全符合摩爾定律,。
22FFL
物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新利器
22FFL是世界上第一個(gè)專門面向低功耗物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品的FinFET技術(shù)，它基于英特爾近年22納米/14納米制程的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),，帶來性能,、功耗、密度和易于設(shè)計(jì)等優(yōu)勢,，特別是將為中國帶來巨大的創(chuàng)新機(jī)遇,。
與先前的22GP(通用)制程相比，全新22FFL制程的漏電量最多可減少100倍,。22FFL制程工藝可提供與14納米制程晶體管相媲美的驅(qū)動(dòng)電流,，同時(shí)實(shí)現(xiàn)比業(yè)界28納米制程更高的面積微縮。
前沿技術(shù)研發(fā)：制勝未來
英特爾擁有完整的前沿研發(fā)計(jì)劃,，一些正處于研究中的前瞻項(xiàng)目包括：納米線晶體管(Nanowire Transistor),、III-V材料( III-V Materials)、3D堆疊(3D Stacking),、高密度內(nèi)存(Dense Memory),、微縮互聯(lián)(Scaling Interconnects)、極紫外(EUV)光刻技術(shù)(Extreme Ultraviolet Lithography),、自旋電子(Spintronics),、神經(jīng)元計(jì)算(Neuromorphic Computing)等。