應(yīng)用材料公司日前宣布其在材料工程方面取得重大突破，該技術(shù)可大幅提升大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代的芯片性能。

　　過去,，把少量易于集成的材料根據(jù)經(jīng)典的摩爾定律來微縮加工就可以改善芯片性能、功耗和面積/成本（PPAC）,。而如今,，諸如鎢和銅之類的材料已無法在10nm代工節(jié)點(diǎn)以下進(jìn)行微縮，因?yàn)樗鼈兊碾妼W(xué)性能已達(dá)到晶體管通孔和本地互連的物理限制,。這已經(jīng)成為無法發(fā)揮FinFET晶體管全部性能的主要瓶頸,。鈷消除了這一瓶頸，但也需要在工藝系統(tǒng)上進(jìn)行策略的改變,。隨著業(yè)界將器件結(jié)構(gòu)微縮到極限尺寸,，材料的性能表現(xiàn)會(huì)有所不同，因而必須在原子層面系統(tǒng)地進(jìn)行工程,，通常需要在真空環(huán)境下進(jìn)行,。

　　為了能夠在晶體管接觸和互聯(lián)使用鈷作為新的導(dǎo)電材料，應(yīng)用材料公司已在Endura?平臺(tái)上整合了多個(gè)材料工程步驟：預(yù)清潔,、PVD,、ALD以及CVD。此外,，應(yīng)用材料公司還推出了一套集成的鈷套件,，其中包括Producer?平臺(tái)上的退火技術(shù)、Reflexion? LK Prime CMP平臺(tái)上的平坦化技術(shù),、PROVision?平臺(tái)上的電子束檢測(cè)技術(shù),。憑借這項(xiàng)經(jīng)過驗(yàn)證的集成材料解決方案，客戶可以縮短其產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間,，并提高7納米制程及以下的芯片性能,。

　　應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁珀拉布?拉賈（Prabu Raja）博士表示：“五年前,，應(yīng)用材料公司就預(yù)計(jì)晶體管接觸和互聯(lián)會(huì)有所變革，因此我們開始開發(fā)替代的材料解決方案,，借此突破10納米制程的限制,。應(yīng)用材料公司匯集其化學(xué)、物理,、工程和數(shù)據(jù)科學(xué)領(lǐng)域的專家,，深入探索應(yīng)用材料公司的廣泛技術(shù)，為業(yè)界開創(chuàng)突破性的集成材料解決方案,。隨著大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代的來臨,，這樣的變革將會(huì)越來越多。我們很高興能夠與客戶盡早開展更為深入的合作,，從而幫助客戶加速其發(fā)展藍(lán)圖并助力實(shí)現(xiàn)那些我們?cè)鴫?mèng)寐以求的高性能器件,。”

　　雖然在集成方面仍具挑戰(zhàn),，但鈷為芯片性能及芯片制造帶來了顯著的好處——在較小的尺寸下實(shí)現(xiàn)更低更穩(wěn)定的電阻,；可在非常精細(xì)的尺寸下改進(jìn)材料填充；能提高材料可靠性,。應(yīng)用材料公司集成的鈷套件目前正發(fā)往世界各地的晶圓代工廠/邏輯芯片客戶手中,。