SK海力士近日公布了第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片,,頻率高達(dá)6400MHz,,是現(xiàn)在多數(shù)DDR4內(nèi)存的兩倍左右,,而單顆容量為16Gb(2GB)。
SK海力士的這種DDR5-6400內(nèi)存采用1ynm工藝制造,,也就是第二代10nm級(jí)別工藝(DRAM工藝現(xiàn)在極少明確到個(gè)位數(shù)),,四個(gè)金屬層,面積為76.22平方毫米,。
這是什么概念呢,?
SK海力士此前的第一代21nm工藝8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存芯片面積是76平方毫米,等于如今在同樣的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了兩倍的容量,,存儲(chǔ)密度翻了一番,。
不過,76.22平方毫米仍然是相當(dāng)大的面積,,成本肯定很高,,后續(xù)仍依賴于工藝的進(jìn)步,比如第二代21nm工藝的8Gb DDR4就縮小到了53.6平方毫米,,足足30%,。
當(dāng)然了,,翻番的存儲(chǔ)密度可以有效抵消上漲的成本,更何況還可以做出更小的4Gb芯片,。
另外,,新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V,相比于DDR4標(biāo)準(zhǔn)的1.2V又降低了大約8%,,而很多高頻DDR4內(nèi)存都要加到1.35V甚至是很危險(xiǎn)的1.5V,。
為了達(dá)成6400MHz高頻率、1.1V低電壓,,SK海力士在電路設(shè)計(jì)上費(fèi)了不少心思,,比如為了減少高頻下的時(shí)鐘抖動(dòng)、時(shí)鐘占空比失真,,加裝了新的延遲鎖定環(huán)DLL,,使用了相位旋轉(zhuǎn)器(phase rotator)、注頻鎖相振蕩器(injection locked oscillator),。
另外還有新的前向反饋均衡(FFE)電路,,以及新的寫入均衡訓(xùn)練算法。
目前,,三星電子,、SK海力士、美光等巨頭都在沖刺DDR5,,但是行業(yè)規(guī)范遲遲沒能定下來,,原計(jì)劃2018年底出爐現(xiàn)已嚴(yán)重超時(shí),而且JEDEC組織一直沒有給出新的時(shí)間表,。
而在另一方面,,針對(duì)智能手機(jī)等低功耗便攜式設(shè)備的LPDDR5都已經(jīng)搞定了。