4月16日,，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術已完成開發(fā),，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。

　　與7nm相比,，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區(qū)域效率提高了25%,，功耗降低了20%，性能提高了10%,，從而獲得更多創(chuàng)新的標準單元架構,。與7nm LPP一樣，三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技術,，并減少了掩模層,，同時提供更好的保真度。

　　三星表示,，5nm的另一個主要優(yōu)點是可以將所有7nm專利應用到5nm,。因此,，7nm客戶過渡到5nm將極大的降低成本，預先驗證的設計生態(tài)系統(tǒng),，能夠縮短他們5nm產品的開發(fā)時間,。

　　三星電子晶圓代工業(yè)務的執(zhí)行副總裁Charlie Bae 表示：“成功完成5nm開發(fā)，我們已經證明了我們在基于EUV的節(jié)點中的能力,。為響應客戶對先進工藝技術不斷增長的需求,，以區(qū)分其下一代產品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術的批量生產,?！?/p>

　　2018年10月，三星宣布準備并初步生產7nm工藝,，這是其首個采用EUV光刻技術的工藝節(jié)點,。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產品的商業(yè)樣品，并于今年初開始量產7nm工藝,。

　　此外,，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個定制的基于EUV的工藝節(jié)點,，并且已經收到了其首款6nm芯片的流片產品,。

　　Charlie Bae還指：“考慮到包括PPA（功率性能區(qū)域）和IP在內的各種好處，三星基于EUV的先進節(jié)點預計將對5G,、人工智能,、高性能計算（HPC）等新型創(chuàng)新應用有很高的需求，利用我們強大的技術競爭力,，包括我們在EUV光刻技術方面的領導地位,，三星將繼續(xù)為客戶提供最先進的技術和解決方案?！?/p>

　　三星代工廠基于EUV的工藝技術目前正在韓國華城的S3生產線上生產,。此外，三星將把其EUV產能擴大到華城的新EUV生產線,，該生產線預計將在2019年下半年完成,，并從明年開始增產。

　　值得一提的是,，三星在10nm節(jié)點以下的唯一對手臺積電在本月初已經宣布,，其5nm工藝順利進入試產階段，相比之下三星的腳步還是慢了一拍,，但是俗話說好飯不怕晚,，二者之間孰好孰壞還需要等到量產之后才能見真章了。