《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星完成基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)

三星完成基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)

2019-04-16
關(guān)鍵詞: 三星 EUV 5nm

  4月16日,,三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開(kāi)發(fā),現(xiàn)已可以為客戶提供樣品,。

  與7nm相比,三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25%,,功耗降低了20%,,性能提高了10%,從而獲得更多創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu),。與7nm LPP一樣,,三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技術(shù),并減少了掩模層,,同時(shí)提供更好的保真度,。

  三星表示,5nm的另一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是可以將所有7nm專利應(yīng)用到5nm。因此,,7nm客戶過(guò)渡到5nm將極大的降低成本,,預(yù)先驗(yàn)證的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng),能夠縮短他們5nm產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)時(shí)間,。

  三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Charlie Bae 表示:“成功完成5nm開(kāi)發(fā),,我們已經(jīng)證明了我們?cè)诨贓UV的節(jié)點(diǎn)中的能力。為響應(yīng)客戶對(duì)先進(jìn)工藝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求,,以區(qū)分其下一代產(chǎn)品,,我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)?!?/p>

  2018年10月,,三星宣布準(zhǔn)備并初步生產(chǎn)7nm工藝,這是其首個(gè)采用EUV光刻技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn),。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品,,并于今年初開(kāi)始量產(chǎn)7nm工藝。

  此外,,三星正在與6nm的客戶合作,,這是一個(gè)定制的基于EUV的工藝節(jié)點(diǎn),并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的流片產(chǎn)品,。

  Charlie Bae還指:“考慮到包括PPA(功率性能區(qū)域)和IP在內(nèi)的各種好處,,三星基于EUV的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將對(duì)5G、人工智能,、高性能計(jì)算(HPC)等新型創(chuàng)新應(yīng)用有很高的需求,,利用我們強(qiáng)大的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,包括我們?cè)贓UV光刻技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位,,三星將繼續(xù)為客戶提供最先進(jìn)的技術(shù)和解決方案,。”

  三星代工廠基于EUV的工藝技術(shù)目前正在韓國(guó)華城的S3生產(chǎn)線上生產(chǎn),。此外,,三星將把其EUV產(chǎn)能擴(kuò)大到華城的新EUV生產(chǎn)線,該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將在2019年下半年完成,,并從明年開(kāi)始增產(chǎn),。

  值得一提的是,三星在10nm節(jié)點(diǎn)以下的唯一對(duì)手臺(tái)積電在本月初已經(jīng)宣布,,其5nm工藝順利進(jìn)入試產(chǎn)階段,,相比之下三星的腳步還是慢了一拍,但是俗話說(shuō)好飯不怕晚,,二者之間孰好孰壞還需要等到量產(chǎn)之后才能見(jiàn)真章了,。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。