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中國臺灣:臺積電2nm大突破

2020-07-14
來源:半導體行業(yè)觀察
關鍵詞: 臺積電 2nm GAA FinFET

    臺積電沖刺先進制程,,在2納米研發(fā)有重大突破,,已成功找到路徑,,將切入GAA(環(huán)繞閘極)技術,為臺積電發(fā)展鰭式場效電晶體(FinFET)取得全球絕對領先地位之后,,邁向另一全新的技術節(jié)點,。盡管勁敵三星已早一步切入GAA,,臺積電仍有信心以2納米切入GAA技術,,在全球晶圓代工市場持續(xù)維持絕對領先地位,。
   

臺積電圖標.jpg

    這是臺積電繼去年9月正式對外宣告投入2納米技術研發(fā)之后,,在2納米技術的重大進展,凸顯臺積電強大的研發(fā)實力,,預料臺積電最快會在下月舉行的技術論壇,宣告這項重大的技術成果,。臺積電并未對此評論,。
    臺積電3納米預定明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),,業(yè)界以此推斷,,臺積電2納米推出時間將落在2023年到2024年間。
臺積電在今年4月法說會時,,宣布3納米仍會沿用FinFET技術,,主要考量是客戶在導入5納米制程后,采用同樣的設計即可導入3納米制程,,可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力,、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。
    不過,,面對三星已決定在3納米率先導入GAA技術,,并宣稱要到2030年超車臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,,臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,,積極投入2納米研發(fā),并獲得技術重大突破,,成功找到切入GAA路徑,,臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,,感謝研發(fā)工程師全心投入,,為臺積電在先進技術布局,做了重大的貢獻,。
羅唯仁目前是臺積電最資深的副總經(jīng)理,,原本計劃在三年前退休,被董事會慰留,,持續(xù)領導臺積電研發(fā)向前沖刺,。
    雖然臺積電對此刻意保持低調,也未宣布2納米將采用何種制程技術,。不過,,臺積電供應鍵透露,由于FinFET在3納米以下即會碰到瓶頸,,因此臺積電選擇切入GAA技制,,腳步雖比三星晚,,但臺積電有信心會領先競爭對手,持續(xù)站稱全球晶圓代工龍頭地位,。
    臺積電目前集重兵在5納米制程與三星決戰(zhàn),,從客戶端導入5納米制程塞爆臺積電產(chǎn)能,再次驗證臺積電先進制程再度成功完封三星,,獨攬?zhí)O果新世代A14處理器代工大單,,未來3納米即使沿用FinFET技術,仍以優(yōu)越的成本優(yōu)勢,,獨家為蘋果代工生產(chǎn)A15處理器,。

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