10月9日,，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）關(guān)于向特定對象發(fā)行A股股票申請獲得上海證券交易所受理,。

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　　募資100億,，擴充泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

　　根據(jù)募集說明書（申報稿）顯示,，中微公司此次向特定對象發(fā)行A股股票總金額不超過100億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后的凈額將用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目,、中微臨港總部和研發(fā)中心項目,、以及作為科技儲備資金。

　　▲ 來源：中微公司公告截圖

　　其中,，中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目總投資31.77億元，計劃在上海臨港新片區(qū)以及南昌市高新區(qū)新建生產(chǎn)基地,，進一步擴充公司現(xiàn)有集成電路設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品線產(chǎn)能,、開發(fā)公司新產(chǎn)品線、與主流半導(dǎo)體設(shè)備廠商合作,，為公司未來高速穩(wěn)健發(fā)展打下堅實基礎(chǔ),。

　　項目建成并達產(chǎn)后，主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備,、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測設(shè)備,，以及部分零部件等。其中,，臨港產(chǎn)業(yè)化基地將主要承擔公司產(chǎn)品的產(chǎn)能擴充及新產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)工作,；南昌產(chǎn)業(yè)化基地主要承擔較為成熟產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)及部分產(chǎn)品的研發(fā)升級工作。

　　中微臨港總部和研發(fā)中心項目總投資37.56億元,，將在上海臨港新片區(qū)建立中微臨港總部和研發(fā)中心,，搭建從產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、樣品制造與模擬測試到大規(guī)模工業(yè)投產(chǎn)的全周期研發(fā)平臺,。同時,，本項目將根據(jù)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢及市場需求，開展高端半導(dǎo)體,、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品與設(shè)備制造的研發(fā)工作,。

　　該項目建成后，將成為中微公司臨港總部和研發(fā)中心,，集辦公,、研發(fā)、試驗,、服務(wù)等功能于一體,，從硬件設(shè)施層面滿足公司集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備,、關(guān)鍵零部件等的研發(fā)需求,。

　　該項目的研發(fā)投入將用于新產(chǎn)品的研發(fā)工作，除等離子體刻蝕設(shè)備,、薄膜沉積設(shè)備等優(yōu)勢產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化外,，還將開展前瞻性技術(shù)研究,、推動集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件國產(chǎn)化、推進泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等,。

　　中微公司表示,，本次募集資金投資項目緊緊圍繞公司主營業(yè)務(wù)展開，是公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)的提升和擴充,，為公司實現(xiàn)中長期戰(zhàn)略發(fā)展目標奠定堅實的基礎(chǔ),，通過募集資金投資項目的實施，公司產(chǎn)品線將擴充泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,、實現(xiàn)多產(chǎn)品布局,。

　　不過，本次發(fā)行尚待上交所審核通過和證監(jiān)會注冊批復(fù),。

　　02

　　多維度擴展業(yè)務(wù)布局

　　資料顯示,，中微公司從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,，主要為集成電路,、LED芯片、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供等離子體刻蝕設(shè)備,、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備,，目前的產(chǎn)品主要包括CCP刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備,、以及MOCVD設(shè)備,。多年來，通過核心技術(shù)的創(chuàng)新,，中微公司的產(chǎn)品已達到國際先進和國內(nèi)領(lǐng)先水平,。

　　刻蝕設(shè)備技術(shù)方面，在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié),，中微公司開發(fā)的高端等離子體刻蝕設(shè)備已運用在國際知名客戶65納米到5納米的芯片生產(chǎn)線上,，目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝,，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備,；

　　在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，中微公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn),，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝,。

　　此外，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求,，中微公司正在進行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā),，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求,，并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā),。

　　MOCVD設(shè)備技術(shù)方面,，該公司的Prismo D-Blue、Prismo A7能分別實現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力,，其中Prismo A7設(shè)備已在全球氮化鎵基LED MOCVD市場中占據(jù)領(lǐng)先地位,。

　　同時，公司研發(fā)出用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備,，已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端成功驗證,，并獲得多家行主流企業(yè)與科研院所的訂單。此外,，Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進行中,；制造Micro LED、功率器件等應(yīng)用的MOCVD設(shè)備亦正在開發(fā)中,。

　　對于未來發(fā)展戰(zhàn)略，中微公司表示,，公司已形成三個維度擴展未來公司業(yè)務(wù)的布局規(guī)劃：深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域,、擴展在泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機會。

　　具體而言,，中微公司正考慮擴大在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢,，延伸到薄膜、檢測等其他關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域,；計劃擴展在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用,，布局顯示、MEMS,、功率器件,、太陽能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備；擬探索其他新興領(lǐng)域的機會,，考慮從設(shè)備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機會,，以及探索更多集成電路及泛半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)線相關(guān)環(huán)保設(shè)備及醫(yī)療健康智能設(shè)備等領(lǐng)域的市場機會。