本月中旬,在日本東京舉辦了ITF論壇,。論壇上,與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié),。

至少就目前而言,ASML對于3m,、2nm,、1．5nm,、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃,且1nm時代的光刻機(jī)體積將增大不少,。

▲IMEC的邏輯器件小型化路線圖

據(jù)稱在當(dāng)前臺積電,、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0．33的EUV曝光設(shè)備,2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備,也就是NA=0．55,。好在ASML已經(jīng)完成了0．55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計(即NXE:5000系列),預(yù)計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化,。

至于上文提到的尺寸為何大幅增加就是光學(xué)器件增大所致,潔凈室指標(biāo)也達(dá)到天花板。

阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,3600D計劃明年年中出貨,生產(chǎn)效率將提升18%,。