哈工大在國家急需時刻從不缺席,，現(xiàn)在國家急需光刻機(jī),。哈工大的DPP-EUV光源出來，真的是史詩級成果,，一流大學(xué)就應(yīng)該有世界頂尖水平,，這是哈工大在超精密加工,，超精密測量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果！

　　中科院長春光機(jī)所在光刻機(jī)所需的透鏡及曝光系統(tǒng)上早已有突破,，而最新的消息也顯示,，長春光機(jī)所在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)搭建出了一套EUV光源設(shè)備。

　　而長春光機(jī)所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光機(jī),，預(yù)計(jì)兩年內(nèi)可推出,。光刻機(jī)的兩大核心部件為雙工件臺和曝光系統(tǒng)。

　　EUV光刻的全稱為極紫外光刻（Extreme Ultra-violet）,，其光源主要有2種：

　　1,、一種是DPP-EUV極紫外光源。放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　　荷蘭ASML光刻機(jī)公司,，哈工大研究的都是這一種,。

　　DPP EUV光源利用放電使負(fù)載（Xe或Sn）形成等離子體，輻射出紫外線,，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜,，獲得1EUV光。

　　DPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)生EUV的能量轉(zhuǎn)換效率高,，造價低,；缺點(diǎn)是電極熱負(fù)載高，產(chǎn)生碎片多,，機(jī)制復(fù)雜,，光學(xué)器件易于受損，光收集角小,。

　　2,、激光等離子體光源（LPP）

　　LPP EUV系統(tǒng)主要包括激光器、匯聚透鏡,、負(fù)載,、光收集器、掩膜,、投影光學(xué)系統(tǒng)和芯片,。

　　其原理是利用高功率激光加熱負(fù)載（Xe或Sn）形成等離子體，等離子體輻射出紫外線,，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜,，獲得1EUV光。

　　LPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是光源尺寸小,，產(chǎn)生碎片或粒子的種類少,，光收集效率高以及較容易放大EUV輸出功率。當(dāng)然它也有缺點(diǎn),，主要是系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜,，價格昂貴,。

　　這2種光源。哈工大都在15年前就研究了,！

　　中國研究EUV極紫外光源的2個主要單位：

　　1,、哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 。

　　2,、中國科學(xué)院上海光機(jī)所（哈工大畢業(yè)的研究員負(fù)責(zé)的項(xiàng)目,、副所長。神光2的負(fù)責(zé)人之一）,。

　　哈工大取的重大突破的是：

　　放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源,。與荷蘭ASML光刻機(jī)公司的是同一種EUV極紫外光源。但是要把它做成為光刻機(jī),，還需要2年時間,！

　　荷蘭光刻機(jī)，目前極紫外光源是美國產(chǎn),，還有一些主要部件是德國等國生產(chǎn),，清洗部件是藍(lán)英裝備生產(chǎn)。如果3-5納米光刻機(jī)兩年內(nèi)國產(chǎn),，則華為有救,！哈工大功勞舉世無雙！

　　下面這個全球領(lǐng)先的成果,。也來自哈工大這個實(shí)驗(yàn)室,。

　　哈工大在祖國需要的時候能沖上去，這就是軍工大學(xué)的擔(dān)當(dāng),！

　　其實(shí)

　　中國在1977年就成功研究了光刻機(jī),。

　　那個時候，還沒有荷蘭ASML光刻機(jī)公司這個公司,。

　　可惜中國80年代,，都是造不如買去了。

　　以前日本人走的是激光等離子體光源,。

　　荷蘭ASML光刻機(jī)公司走的是氣體放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　?。üご髿怏w可調(diào)諧激光技術(shù)國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 研究的東西與他們一樣）。

　　荷蘭人成功了,。