經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的漫長(zhǎng)等待之后，三星電子（Samsung Electronics）采用極紫外光（EUV）微影工藝的D1z DRAM終于量產(chǎn)了,！
三星電子在今年稍早發(fā)表了號(hào)稱業(yè)界首創(chuàng),，同時(shí)分別采用氟化氬浸潤(rùn)式微影（ArF-i）工藝與EUV微影技術(shù)的D1z DRAM，而TechInsights很興奮地宣布,，我們針對(duì)三星最新/最先進(jìn)D1z DRAM的拆解分析有一些“新發(fā)現(xiàn)”,，并確認(rèn)了該技術(shù)的一些細(xì)節(jié)。
三星電子已經(jīng)開發(fā)了D1z 8Gb DDR4,、D1z 12Gb LPDDR5與16Gb LPDDR5 DRAM組件，并號(hào)稱性能更高,；我們發(fā)現(xiàn)后面兩款（LPDDR5）組件都應(yīng)用于三星在2021年1月剛上市的Galaxy S21 5G系列（包括S21 5G,、S21+ 5G與S21 Untra 5G）智能手機(jī)中,。12Gb的LPDDR5芯片被應(yīng)用于Galaxy S21 Ultra 5G的SM-G998B/DS 12GB RAM，16Gb的LPDDR5芯片則可見于S21 5G與S21+ 5G的8GB RAM中,。
在D1z技術(shù)節(jié)點(diǎn)部份,，三星的D1z 12Gb LPDDR5比前一代的D1y 12Gb版本在產(chǎn)量上多了15%，設(shè)計(jì)規(guī)則（D/R）則從（前一代D1y工藝） 17.1納米,，微縮至15.7納米,。整體裸晶尺寸也減少，從53.53mm2 （D1y）縮小至43.98mm2 （D1z）,，新一代芯片比前一代約縮小18%,。
表1：8Gb、12Gb與16Gb的三星D1y與D1z LPDDR5芯片比較,。
三星電子標(biāo)記為K4L2E165YC的12Gb內(nèi)存芯片是利用最先進(jìn)D1z技術(shù)結(jié)合EUV微影,，而芯片標(biāo)記為K4L6E165YB的16Gb LPDDR DRAM芯片則是采用非EUV技術(shù)。三星似乎是在一開始同時(shí)開發(fā)在SNLP （storage node landing pad）/BLP （bit line pad）采用ArF-i與EUV兩種微影技術(shù)的D1z LPDDR5,，現(xiàn)在則是全面以EUV SNLP/BLP微影生產(chǎn)D1z LPDDR5,。
2019年底，三星發(fā)表了采用D1x EUV微影技術(shù)的100萬(wàn)個(gè)模塊樣品,，現(xiàn)在已經(jīng)針對(duì)全球DRAM產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)推出采用EUV微影技術(shù)的大量生產(chǎn)（HVM） DRAM產(chǎn)品,。三星電子的D1z芯片應(yīng)該是在韓國(guó)平澤市（Pyeongtaek）的第二條生產(chǎn)線制造。
圖1：比較三星的DRAM儲(chǔ)存單元BLP圖案：（a）是不采用EUV微影技術(shù)的版本,，（b）是采用EUV微影技術(shù)的版本,。
在D1z 12Gb LPDDR5組件的工藝整合上，三星電子只在一層光罩上采用EUV微影技術(shù),，單一SNLP （在內(nèi)存單元數(shù)組上）/BLP （在S/A感測(cè)放大器電路區(qū)）的臨界尺寸（CD/pitch）約40納米,，S/A區(qū)域的BLP線寬為13.5納米。
圖1顯示的是三星采用ArF-i微影技術(shù)的D1z 16Gb LPDDR5芯片（a）與采用EUV微影技術(shù)的D1z 12Gb LPDDR5芯片（b）的S/A BLP圖案比較,。藉由利用EUV微影,，在S/A區(qū)域的BLP線的邊緣粗糙度（edge roughness，LER）有所改善,，可能也因此減少橋接/短路缺陷,。
表2：D1z DRAM比一比：美光D1z LPDDR4 vs. 三星D1z LPDDR5。
比較來(lái)自美光（Micron）的D1z競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品（表2）,，三星的內(nèi)存單元（0.00197μm2,，美光為0.00204μm2 ）與D/R （三星為15.7納米，美光為15.9納米）尺寸更小,。美光D1z p產(chǎn)品是在所有光罩步驟都采用ArF-i微影,，可能在一段時(shí)間內(nèi)都不會(huì)采用EUV微影，包括D1α與D1β。
圖2：三星DRAM （從D3x到D1z）內(nèi)存單元尺寸變化趨勢(shì),。
三星從D3x到D1z的DRAM內(nèi)存單元尺寸與D/R趨勢(shì)變化分別如圖2與圖3所示,。DRAM內(nèi)存單元與D/R微縮近年變得越來(lái)越艱難，但三星還是將D1z的D/R縮小到15.7納米,，比前一代D1y減少了8.2%,。
圖3：三星DRAM （從D3x到D1z）設(shè)計(jì)規(guī)則變化趨勢(shì)。
三星將繼續(xù)為下一代DRAM產(chǎn)品增加采用EUV微影的光罩層數(shù),，像是預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)的D1a與2022年量產(chǎn)的D1b,。