3nm制程工藝將于今年進(jìn)行試產(chǎn),，不出意外的話,，2022年量產(chǎn)沒(méi)有問(wèn)題。在此基礎(chǔ)上,，業(yè)界對(duì)2nm工藝的進(jìn)展投入了更多的關(guān)注,，特別是臺(tái)積電于2020下半年宣布2nm制程獲得重大突破之后，人們對(duì)其更加期待了,。

　　與此同時(shí),，就在前不久，有19個(gè)歐盟成員國(guó)簽署了一項(xiàng)聯(lián)合聲明,，為“加強(qiáng)歐洲開(kāi)發(fā)下一代處理器和半導(dǎo)體的能力”進(jìn)行合作,。其中包括逐漸向2nm制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展的領(lǐng)先制造技術(shù)。此外,，日本正在與臺(tái)積電一起建立先進(jìn)的IC封裝和測(cè)試工廠,。中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）開(kāi)始與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所（AIST）合作,，開(kāi)發(fā)新型晶體管結(jié)構(gòu)。日本媒體指出,，這有助于制造2nm及更先進(jìn)制程芯片,，他們計(jì)劃將合作成果應(yīng)用在2024年后的新一代先進(jìn)半導(dǎo)體當(dāng)中。而2024年正是臺(tái)積電2nm制程的量產(chǎn)年,。

　　目前,，距離2nm試產(chǎn)還有一段時(shí)間，各方面都在積極籌備當(dāng)中,，圍繞著晶圓廠臺(tái)積電,，各大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商、材料工藝服務(wù)商,、EDA工具廠商,，以及主要客戶，都開(kāi)始將越來(lái)越多的精力向2nm轉(zhuǎn)移,。

　　晶圓廠

　　目前來(lái)看,，在3nm和2nm制程方面,，臺(tái)積電相對(duì)于三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)很明顯,，特別是2nm，還看不到來(lái)自于三星的權(quán)威信息,。

　　2019年,，臺(tái)積電率先開(kāi)始了2nm制程技術(shù)的研發(fā)工作。相應(yīng)的技術(shù)開(kāi)發(fā)的中心和芯片生產(chǎn)工廠主要設(shè)在臺(tái)灣地區(qū)的新竹,，同時(shí)還規(guī)劃了4個(gè)超大型晶圓廠,，主要用于2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)和生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電2019年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā),。在考量成本、設(shè)備相容,、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件之后,，決定采用以環(huán)繞閘極（Gate-all-around，GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題,。MBCFET和FinFET有相同的理念，不同之處在于GAA的柵極對(duì)溝道的四面包裹,，源極和漏極不再和基底接觸,。

　　根據(jù)設(shè)計(jì)的不同，GAA也有不同的形態(tài),，目前比較主流的四個(gè)技術(shù)是納米線,、板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片,、六角形截面納米線、納米環(huán),。與臺(tái)積電一樣,，三星對(duì)外介紹的GAA技術(shù)也是Multi-Bridge Channel FET（MBCFET），即板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片,。不過(guò),，三星在3nm節(jié)點(diǎn)處就使用了GAA，而臺(tái)積電3nm使用的依然是FinFET工藝,。

　　按照臺(tái)積電給出的2nm工藝指標(biāo),，Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch（晶體管柵極間距）縮小到30nm,，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm,，相比于3nm都小了23%。

　　按照規(guī)劃,，臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝試生產(chǎn)階段,，并于一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。2020年9月,，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道,，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前,，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%,。

　　目前，除了晶圓廠建設(shè),、臺(tái)積電2nm人才安排和培育方面的工作也正在有條不紊地進(jìn)行著,，據(jù)報(bào)道，該公司在過(guò)去幾個(gè)月提拔了4名員工,。這些舉措是為了讓這些員工有更多的精力投入到2nm制造工藝的研究和開(kāi)發(fā)當(dāng)中,。據(jù)悉，Geoffrey Yeap現(xiàn)在是2nm制程平臺(tái)研發(fā)部的高級(jí)總監(jiān),。這個(gè)位置在此之前是不存在的,。當(dāng)該公司開(kāi)始專注于2nm制程時(shí)，創(chuàng)造這個(gè)位置是很重要的,。臺(tái)積電對(duì)管理人員的學(xué)術(shù)要求很高,。兩位新提拔的副總經(jīng)理都有博士學(xué)位。

　　設(shè)備

　　對(duì)于芯片制造來(lái)說(shuō),，需要的設(shè)備很多,，但就2nm這樣高精尖地工藝來(lái)講，EUV光刻機(jī)無(wú)疑是最為關(guān)鍵的,。有統(tǒng)計(jì)顯示,，臺(tái)積電2021年底將安裝超50臺(tái)EUV光刻機(jī),。

　　對(duì)于臺(tái)積電先進(jìn)制程所需的EUV設(shè)備，有日本專家做過(guò)推理和分析：在EUV層數(shù)方面,，7nm+為5層,，5nm為15層，3nm為32層,，2nm將達(dá)45層,。因此，到2022年,，當(dāng)3nm大規(guī)模生產(chǎn),、2nm準(zhǔn)備試產(chǎn)，需要的新EUV光刻機(jī)數(shù)量預(yù)計(jì)為57臺(tái),。2023年,，當(dāng)3nm生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大、2nm開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)時(shí),，所需新EUV光刻機(jī)數(shù)達(dá)到58臺(tái),。到2024年，啟動(dòng)2nm的大規(guī)模生產(chǎn),，2025年生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大,，到時(shí)所需新EUV光刻機(jī)數(shù)預(yù)計(jì)為62臺(tái)。

　　盡管EUV也將被用于DRAM（尤其是1a技術(shù)節(jié)點(diǎn)及以下）,，但采用先進(jìn)制程的邏輯芯片仍是主要需求方,。High-NA EUV光刻系統(tǒng)將始于2nm制程節(jié)點(diǎn),，其量產(chǎn)時(shí)間預(yù)估將是2025-2026年,。據(jù)悉，ASML將在2022年完成第1臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的驗(yàn)證,，并計(jì)劃在2023年交付給客戶,，主要就是臺(tái)積電。

　　對(duì)于EUV技術(shù),，臺(tái)積電表示,，要減少光刻機(jī)的掩膜缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本,。今年在2nm及更先進(jìn)制程上,，將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。之前有消息稱,，臺(tái)積電正在籌集更多的資金,，為的是向ASML購(gòu)買(mǎi)更多更先進(jìn)制程的EUV光刻機(jī)，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備,。

　　對(duì)于2nm和更先進(jìn)制程工藝來(lái)說(shuō),，EUV光刻機(jī)的重要性越來(lái)越高,，但是EUV設(shè)備的產(chǎn)量依然是一大難題，而且其能耗也很高,。

　　在不久前舉辦的線上活動(dòng)中,，歐洲微電子研究中心IMEC首席執(zhí)行官兼總裁LucVandenhove表示，在與ASML公司的合作下,，更加先進(jìn)的光刻機(jī)已經(jīng)取得了進(jìn)展,。

　　LucVandenhove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NAEUV光刻技術(shù)商業(yè)化,。由于此前的光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場(chǎng),，使得ASML把握著全球主要的先進(jìn)光刻機(jī)產(chǎn)能，近年來(lái),，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機(jī),，目標(biāo)是將工藝規(guī)模縮小到1nm及以下,。

　　目前,，ASML已經(jīng)完成了NXE:5000系列的高NAEUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，至于設(shè)備的商業(yè)化,。至少要等到2022年,，而等到臺(tái)積電和三星拿到設(shè)備，要到2023年了,。

　　前不久,，中國(guó)中科院的研究人員宣布，已經(jīng)突破了設(shè)計(jì)2nm芯片的瓶頸,，成功地掌握了設(shè)計(jì)2nm芯片的技術(shù),，這樣的發(fā)展進(jìn)程雖然讓人們欣喜，但其實(shí)還是存在著比較多的問(wèn)題,。雖然我們已經(jīng)有了這方面的技術(shù)研究突破,，但是沒(méi)有EUV設(shè)備的話，是不能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)的,。這從一個(gè)側(cè)面反應(yīng)出了EUV光刻機(jī)的重要性,。也正是因?yàn)槿绱耍澜缬邢冗M(jìn)制程能力的晶圓廠都將注意力集中到了ASML身上,。

　　材料和工藝

　　對(duì)于像2nm這樣先進(jìn)的制程工藝來(lái)說(shuō),，互連技術(shù)的跟進(jìn)是關(guān)鍵。傳統(tǒng)上,，一般采用銅互連,，但是，發(fā)展到2nm，相應(yīng)的電阻電容（RC）延遲問(wèn)題非常突出,，因?yàn)?，行業(yè)正在積極尋找銅的替代方案。

　　目前,，面向2nm及更先進(jìn)制程的新型互連技術(shù)主要包括：混合金屬化或預(yù)填充,，將不同的金屬嵌套工藝與新材料相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)更小的互連和更少的延遲,；半金屬嵌套,，使用減法蝕刻，實(shí)現(xiàn)微小的互連,；超級(jí)通孔,、石墨烯互連和其他技術(shù)。這些都在研發(fā)中,。

　　以混合金屬化為例,，該工藝在互連中使用兩種不同的金屬。對(duì)于2nm來(lái)說(shuō),，這很有意義,，至少對(duì)一層來(lái)說(shuō)是這樣。與雙金屬嵌套相比,，通孔電阻更低,，可靠性會(huì)提高，同時(shí)可以保持互連中銅的低電阻率,?！?/p>

　　業(yè)界還一直探索在互連中使用釕材料作為襯墊。釕以改善銅的潤(rùn)濕性和填充間隙而聞名,，雖然釕具有優(yōu)異的銅潤(rùn)濕性,，但它也有其他缺點(diǎn)，例如電遷移壽命較短,，以及化學(xué)機(jī)械拋光等單元工藝挑戰(zhàn),。這減少了行業(yè)中釕襯墊的使用。

　　其它新的互連解決方案也會(huì)陸續(xù)出現(xiàn),，但它們可能要到2023/2024年的2nm量產(chǎn)時(shí)才會(huì)商用。根據(jù)IMEC的路線圖,，行業(yè)可以從今天的雙金屬嵌套工藝轉(zhuǎn)移到下一代技術(shù),，稱為2nm混合金屬化。接下來(lái)將還會(huì)有半金屬嵌套和其它方案,。

　　臺(tái)積電在材料上的研究,，也讓2nm及更先進(jìn)制程量產(chǎn)成為可能。據(jù)悉，臺(tái)積電和臺(tái)灣地區(qū)交大聯(lián)手,，開(kāi)發(fā)出全球最薄,、厚度只有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體，可望借此進(jìn)一步開(kāi)發(fā)出2nm,，甚至是1nm的電晶體通道,。

　　EDA工具

　　新的制程工藝離不開(kāi)EDA工具的支持，2nm也不例外,，業(yè)內(nèi)兩大EDA廠商也早有相應(yīng)的布局,。

　　面對(duì)如此高精尖的制程工藝，Cadence和Synopsys創(chuàng)建了全新的EDA工具堆棧,，并開(kāi)發(fā)全新的IP庫(kù),。2nm制程要求芯片開(kāi)發(fā)人員必須采用全新的設(shè)計(jì)規(guī)則和流程，并重新制作他們以前可能使用過(guò)的所有內(nèi)容,。就像在2014年至2015年轉(zhuǎn)向FinFET結(jié)構(gòu)一樣,，增加芯片設(shè)計(jì)成本的同時(shí)，采用GAAFET可能會(huì)再次增加設(shè)計(jì)成本,。

　　Synopsys表示,，Liberty 技術(shù)顧問(wèn)委員會(huì)（LTAB）和互連建模技術(shù)顧問(wèn)委員會(huì)（IMTAB）批準(zhǔn)了新的建模結(jié)構(gòu)，用以解決工藝節(jié)點(diǎn)低至 2nm 的時(shí)序和寄生參數(shù)提取問(wèn)題,。移動(dòng)設(shè)備對(duì)超低功耗的要求以及各種制造挑戰(zhàn),，需要新的方法來(lái)確保在 signoff 時(shí)達(dá)到最佳精度，同時(shí)支持設(shè)計(jì)工具針對(duì)最低功耗進(jìn)行優(yōu)化,。此外,，這些節(jié)點(diǎn)上的器件架構(gòu),、掩模和成像技術(shù)促使工件必須通過(guò)互連工藝文件（ITF）中的新擴(kuò)展來(lái)建模,。

　　Synopsys還推出了DTCO設(shè)計(jì)方法學(xué)，用以整合各種先進(jìn)工藝,。據(jù)悉,，DTCO已經(jīng)幫助客戶實(shí)現(xiàn)2nm工藝設(shè)計(jì),。

　　客戶

　　不久前，臺(tái)積電總裁魏哲家表示,，臺(tái)積電制程每前進(jìn)一個(gè)世代,，客戶的產(chǎn)品速度效能提升30%- 40%，功耗可以降低20%-30%,。這或許是該公司不斷追求先進(jìn)制程的關(guān)鍵所在,。

　　目前來(lái)看，臺(tái)積電將在業(yè)內(nèi)率先量產(chǎn)2nm制程芯片已無(wú)懸念,。而作為其近些年的頭號(hào)客戶,，蘋(píng)果成為最先嘗鮮2nm芯片的廠商，也在情理之中。此外,，2024年之后,，高通、英偉達(dá),、AMD等都會(huì)成為其2nm技術(shù)的客戶,。

　　目前，以臺(tái)積電的2nm研發(fā)進(jìn)度來(lái)看,，2024年正式量產(chǎn)沒(méi)有問(wèn)題,。也有報(bào)道指出，臺(tái)積電已經(jīng)在研究2024年的2nm iPhone處理器,，并且已經(jīng)開(kāi)始研究1nm制程節(jié)點(diǎn)技術(shù),。