SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)（IRPS）上作了主題演講，講述了SK海力士產(chǎn)品的未來(lái)計(jì)劃，分享了一些概念性技術(shù)，比如用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND。
目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，看起來(lái)600層還很遙遠(yuǎn),，目前他們還只是在研究這種可能性，在達(dá)到600層堆疊前還需要解決各種問(wèn)題,。SK海力士致力于確蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比,，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界所需的高密度技術(shù)，此外他們還推出了原子層沉積技術(shù),，以進(jìn)一步改善單元的電荷存儲(chǔ)性能,，并在需要時(shí)把電荷放出，同時(shí)開(kāi)發(fā)新的導(dǎo)電材料讓電荷在一定程度上保持均勻,。除此之外為了解決薄膜應(yīng)力問(wèn)題,，控制了薄膜的機(jī)械應(yīng)力水平，并優(yōu)化了單元氧化氮材料,。為了應(yīng)對(duì)在有限的高度上堆疊更多電池時(shí)發(fā)生的電池間干擾現(xiàn)象和電荷損失,，SK Hynix開(kāi)發(fā)了隔離電荷陷阱氮化物結(jié)構(gòu)來(lái)增強(qiáng)可靠性。為了對(duì)應(yīng)在有限高度內(nèi)堆疊多層時(shí)發(fā)生的單元間電荷干擾與電荷損失,，SK海力士開(kāi)發(fā)了隔離電荷陷阱氧化物結(jié)構(gòu),，以提高可靠性。
在DRAM方面,，SK海力士引入了EUV光刻設(shè)備來(lái)解決以往DUV光刻的局限性,，制程工藝能輕松達(dá)到10nm以下，以此來(lái)提升生產(chǎn)效率,。當(dāng)然還有問(wèn)題要解決的,，比如為了保持單元電容，他們正試圖改善電介質(zhì)厚度,，開(kāi)發(fā)具有高介電常數(shù)的新材料，并采用新的單元結(jié)構(gòu),。這些單元互連需要盡可能低的電阻,，他們正在尋找新一代電極與絕緣材料,，并推出新工藝。
提議整合CPU及內(nèi)存,，另提出CXL內(nèi)存解決方案
李錫熙還提出了整合CPU以及內(nèi)存的想法,。目前內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在準(zhǔn)從DDR4過(guò)渡到DDR5上，后者相比前者可以帶來(lái)不少的性能增幅,。不過(guò),，無(wú)論DDR內(nèi)存有多快，與HBM相比在速度上還是要落后不少,。這點(diǎn)也是李錫熙認(rèn)為CPU以及內(nèi)存應(yīng)該要合并整合的基礎(chǔ),。
他在研討會(huì)上發(fā)表了對(duì)于一套“融合存儲(chǔ)以及邏輯”、更快的存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的愿景,。
“高帶寬內(nèi)存的速度提升是通過(guò)增加CPU及內(nèi)存之間的通道而來(lái)的,，而在CPU以及內(nèi)存共同處于同一模塊的近內(nèi)存處理（Processing Near Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)PNM）中,，速度提升會(huì)更多,。如果更進(jìn)一步的話，在內(nèi)存內(nèi)處理（Processing In Memory,，簡(jiǎn)稱(chēng)PIM）中,，當(dāng)CPU以及內(nèi)存都處于單一包裹（package）上的時(shí)候，速度可以獲得更大加的提升,。而最終,，CPU以及內(nèi)存整合在同一芯片中的內(nèi)存內(nèi)計(jì)算（Computing in Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)CIM）可以讓內(nèi)存速度提升更加多,?！?/p>
圖片來(lái)源：三星
海力士目前是全球第二大存儲(chǔ)生產(chǎn)商，不過(guò)他們并沒(méi)有開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)任何諸如CPU的芯片,，因此CEO李錫熙呼吁半導(dǎo)體巨頭之間互相合作,，形成一個(gè)可以維持CPU及內(nèi)存集成的生態(tài)圈。
“只有在消費(fèi)者,、供貨商,、學(xué)術(shù)界以及政府之間形成合作及共享的開(kāi)放創(chuàng)新性的戰(zhàn)略合作關(guān)系，我們才可以塑造一個(gè)追求經(jīng)濟(jì)及社會(huì)價(jià)值的新時(shí)代,?！?/p>
另外，李錫熙也提出了一種名為Compute Express Link（CXL）的新標(biāo)準(zhǔn),，它可以與現(xiàn)有的PCIe總線互補(bǔ),。CXL內(nèi)存可以快速且高效地在CPU以及圖形/計(jì)算加速器，或者智能網(wǎng)絡(luò)界面中移動(dòng)數(shù)據(jù),。
“CXL內(nèi)存不僅可以擴(kuò)展帶寬以及容量,，還可以實(shí)現(xiàn)持久性內(nèi)存的價(jià)值,，是一種可以縮小內(nèi)存性能以及行業(yè)要求之間差距的解決方案?！?/p>