今日早些時(shí)候，SK海力士發(fā)布公告,，表示公司已經(jīng)在本月開(kāi)始批量生產(chǎn)基于 1anm 工藝的8千兆（Gb）的LPDDR4移動(dòng) DRAM的量產(chǎn)。據(jù)介紹,，這是SK海力士的第四代 10nm 工藝技術(shù),。

　　由于半導(dǎo)體行業(yè)對(duì) 10nm DRAM 產(chǎn)品進(jìn)行分類(lèi)，以字母命名,，因此 1a 技術(shù)是繼 1x、1y 和 1z 的前三代之后的第四代技術(shù),。SK海力士計(jì)劃從2021年下半年開(kāi)始向智能手機(jī)制造商提供最新的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品,。

　　SK海力士強(qiáng)調(diào)，這是公司在1ynm DRAM部分采用,，證明尖端光刻技術(shù)穩(wěn)定性后,，首次采用EUV設(shè)備進(jìn)行DRAM的批量量產(chǎn)。

　　隨著技術(shù)遷移繼續(xù)向超微級(jí)發(fā)展,，越來(lái)越多的半導(dǎo)體公司采用 EUV 設(shè)備進(jìn)行光刻工藝,，在晶圓表面繪制電路圖案。行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為,，一家半導(dǎo)體公司在技術(shù)上的領(lǐng)先地位將取決于它如何充分利用 EUV 設(shè)備,。SK hynix 計(jì)劃將 EUV 技術(shù)用于生產(chǎn)其所有 1anm DRAM 產(chǎn)品，因?yàn)樗呀?jīng)證明了該工藝的穩(wěn)定性,。

　　SK海力士期待新技術(shù)帶來(lái)生產(chǎn)力的提升,，并進(jìn)一步提升成本競(jìng)爭(zhēng)力。該公司預(yù)計(jì),，與之前的 1znm 節(jié)點(diǎn)相比,，1anm 技術(shù)將使相同尺寸的晶圓生產(chǎn)的 DRAM 芯片數(shù)量增加 25%。SK海力士預(yù)計(jì),，隨著全球DRAM需求的增加,，1anm DRAM也可能有助于緩解全球市場(chǎng)的供需狀況,。

　　SK海力士指出，新產(chǎn)品穩(wěn)定運(yùn)行4266Mbps,，是標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4移動(dòng)DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率,，并降低了20%的功耗。對(duì)于 SK 海力士來(lái)說(shuō),，這是一項(xiàng)有意義的成就,，因?yàn)樗荚跍p少二氧化碳排放，作為其對(duì)環(huán)境,、社會(huì)和治理 （ESG） 管理承諾的一部分,。

　　SK 海力士將從明年初開(kāi)始將其 1anm 技術(shù)應(yīng)用于其 DDR5 產(chǎn)品，該產(chǎn)品是2020 年 10 月推出的全球首款下一代 DRAM ,。

　　SK hynix 副總裁Cho Youngmann表示：“隨著生產(chǎn)力和成本競(jìng)爭(zhēng)力的提高,，最新的 1anm DRAM 不僅有助于確保高盈利能力，而且通過(guò)早期采用 EUV 光刻技術(shù),，鞏固 SK 海力士作為領(lǐng)先技術(shù)公司的地位用于批量生產(chǎn),。”

　　為了滿(mǎn)足公司的EUV需求,，在今年二月,，南韓記憶體大廠(chǎng)SK海力士宣布與艾司摩爾（ASML）達(dá)成一項(xiàng)為期5年的采購(gòu)合約，向后者購(gòu)入價(jià)值約43.4億美元的EUV光刻機(jī)設(shè)備,。

　　SK 海力士透過(guò)監(jiān)管文件表示,，這筆交易是為了下一代晶片工藝制程的大規(guī)模生產(chǎn)作準(zhǔn)備。

　　日經(jīng)此前報(bào)導(dǎo)稱(chēng),，為擴(kuò)充芯片產(chǎn)能,，SK海力士已耗資約31.3億美元于首爾打造新產(chǎn)線(xiàn)M16，計(jì)劃今年下半年啟動(dòng)量產(chǎn),。

　　根據(jù)上述報(bào)導(dǎo),，M16產(chǎn)線(xiàn)主要生產(chǎn)第4代10納米制程的DRAM記憶體。當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì),，若包含EUV等設(shè)備成本在內(nèi),，至少需投入140億美元于M16廠(chǎng)。

　　三大DRAM大廠(chǎng)啟動(dòng)EUV制程競(jìng)賽

　　據(jù)Digitimes報(bào)道,，繼南韓記憶體大廠(chǎng)三星電子（Samsung Electronics）,、SK海力士（SK Hynix）相繼導(dǎo)入極紫外光曝光設(shè)備（EUV）量產(chǎn)10納米級(jí)DRAM記憶體生產(chǎn)，原本態(tài)度不明的美光（Micron）也釋出將編列資本支出向荷蘭ASML采購(gòu)EUV設(shè)備,。

　　盡管美光在未使用EUV設(shè)備下,，近來(lái)大幅縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，并正式量產(chǎn)出貨1α制程,，但據(jù)推測(cè),，美光于2024年開(kāi)始采用EUV設(shè)備投入生產(chǎn),，將可望導(dǎo)入于1c或1d制程量產(chǎn)，將掀起記憶體大廠(chǎng)新一波銀彈攻勢(shì)與先進(jìn)技術(shù)競(jìng)逐的角力賽,。

　　在DRAM制程推進(jìn)下,，三星電子2020年率先宣布將采用EUV技術(shù)量產(chǎn)1z納米制程DRAM，但初期僅針對(duì)1個(gè)層（layer）采用EUV制程,；如今三星和SK海力士分別計(jì)劃將于2021年使用EUV應(yīng)用于量產(chǎn)1α納米DRAM,，在國(guó)際三大DRAM巨擘中，僅有美光并未積極推動(dòng)EUV設(shè)備,，外界也不時(shí)傳出美光有意招聘人才,，并研究導(dǎo)入EUV設(shè)備規(guī)劃。

　　隨著美光在第3財(cái)季（截至6月3日）的財(cái)報(bào)表現(xiàn)亮眼,，美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra維持先前樂(lè)觀(guān)看法,，2022年底前NAND Flash以及DRAM供給將依然吃緊，且價(jià)格將維持高檔,。

　　根據(jù)美光資料,，DRAM位元出貨量雖然季增低個(gè)位數(shù)百分比成長(zhǎng)，但ASP單價(jià)卻上漲達(dá)20%,，反應(yīng)出DRAM供給吃緊帶動(dòng)價(jià)格強(qiáng)勁走揚(yáng),，成為2021年產(chǎn)業(yè)獲利成長(zhǎng)的金雞母，業(yè)界認(rèn)為,，三大DRAM廠(chǎng)雖然不愿大幅擴(kuò)充產(chǎn)能打壞市場(chǎng)價(jià)格,，但祭出重金投資DRAM設(shè)備及生產(chǎn)效率才能維持產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的優(yōu)勢(shì)。

　　美光指出,，2021年度整體資本支出將超過(guò)95億美元，其中,，將有部分支出跟采購(gòu)EUV設(shè)備有關(guān),，這也是美光近年來(lái)首度正面釋出EUV設(shè)備投資的看法，主要是考量到EUV設(shè)備需要很長(zhǎng)的交期,，因而必須對(duì)EUV設(shè)備訂單提前下單,，美光高層指出，將會(huì)于2024年開(kāi)始采用EUV設(shè)備投入生產(chǎn),。

　　美光位于臺(tái)灣臺(tái)中后里A3廠(chǎng)近日正式啟用,，并從2021年初進(jìn)入1α奈米制程節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)出貨，據(jù)指出,，美光最早曾在1z納米制程曾討論過(guò)采用EUV設(shè)備,，因此當(dāng)初A3廠(chǎng)進(jìn)行內(nèi)部設(shè)計(jì)規(guī)劃時(shí)，不僅預(yù)先準(zhǔn)備EUV制程的空間,，甚至特地將整體廠(chǎng)房的樓層打掉后再全面調(diào)高,，而自動(dòng)運(yùn)輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)也配合進(jìn)行調(diào)整,，不過(guò)基于成本考量，美光至今仍采用浸潤(rùn)式設(shè)備及配合其他制程來(lái)提升量產(chǎn)效率,。

　　由于EUV曝光機(jī)每臺(tái)要價(jià)約達(dá)1.8億美元左右,，在近年來(lái)謹(jǐn)慎擴(kuò)產(chǎn)的營(yíng)運(yùn)策略下，美光也指出,，目前臺(tái)灣美光的晶圓廠(chǎng)已具備導(dǎo)入EUV制程的能力與條件,，但內(nèi)部仍在研究與評(píng)估階段，將依照生產(chǎn)成本,、效率,、投資回報(bào)率等條件配合才考慮導(dǎo)入。

　　記憶體業(yè)界指出,，美光采用EUV設(shè)備態(tài)度是三家DRAM大廠(chǎng)中最為保守,，但近年來(lái)全球EUV設(shè)備產(chǎn)能確實(shí)是供不應(yīng)求，雖然三星電子提前業(yè)界采用EUV設(shè)備量產(chǎn)1z納米,，不過(guò)1z納米推動(dòng)進(jìn)度卻并未維持領(lǐng)先,，反導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手趁隙追趕。

　　雖然相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,，EUV技術(shù)有利于提升三星生產(chǎn)效率,，并縮小DRAM 的節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)尺寸，但原本領(lǐng)先業(yè)界開(kāi)發(fā)先進(jìn)制程的腳步卻也逐漸被拉近,。

　　在EUV設(shè)備需求強(qiáng)勁下,，ASML預(yù)期2021年EUV設(shè)備出貨介于45~50臺(tái)，2022年預(yù)估出貨量達(dá)到55臺(tái),，并全面改為新一代設(shè)備,，新設(shè)備可協(xié)助客戶(hù)的每天晶圓曝光量提升15~20 %。

　　隨著臺(tái)積電提升資本支出至300億美元,，用于建置5奈米及3奈米EUV產(chǎn)能,，三星晶圓代工及記憶體同步擴(kuò)充EUV生產(chǎn)線(xiàn)，SK海力士加碼投資M16工廠(chǎng),，目前已安裝完成首條EUV生產(chǎn)線(xiàn),，從2021年下半正式量產(chǎn)1α制程DRAM，而美光可望于2023年~2024年進(jìn)行轉(zhuǎn)換至1c制程,，屆時(shí)可望加入眾家國(guó)際大廠(chǎng)EUV設(shè)備量產(chǎn)的行列,。