K海力士宣布,，開始啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片。

具體來看,，已經(jīng)于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移動端DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品,。

此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）,、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點,。SK海力士預(yù)計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)采用1a nm級技術(shù)的移動端 DRAM。

在此之前，SK海力士曾在生產(chǎn)1y nm級產(chǎn)品中部分采用了EUV技術(shù),，完成了對其穩(wěn)定性的驗證,。這對采用EUV技術(shù)進行量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品具有非凡的意義。

相比于前一代1z nm級工藝,，1a nm級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25％,，帶來了生產(chǎn)效率的提升和更高的成本競爭力。1a nm級DRAM穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps）,，并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20％,。SK海力士認為此次新產(chǎn)品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少,，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG（環(huán)境,、社會,、公司治理）經(jīng)營的精神理念,。

啟用EUV技術(shù)光刻機閃存內(nèi)存芯片的還包括三星和美光，不過美光時間上要更晚一些,，預(yù)計在2024年生產(chǎn)新的EUV內(nèi)存芯片,。