《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 第三代半導(dǎo)體又突破了,!意法半導(dǎo)體造出首批8英寸SiC

第三代半導(dǎo)體又突破了,!意法半導(dǎo)體造出首批8英寸SiC

2021-07-30
來源:光電資訊
關(guān)鍵詞: 第三代 半導(dǎo)體 8英寸 SiC

  從半導(dǎo)體的斷代法來看,硅(Si),、鍺(Ge)為第一代半導(dǎo)體,,特別是 Si,,構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ),,我們的 CPU,、GPU 的算力,都離不開 Si 的功勞,;砷化鎵(GaAs),、磷化銦(InP)為第二代半導(dǎo)體的代表,其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色,,InP 在光通信器件中應(yīng)用廣泛……

  而到了半導(dǎo)體的第三代,,就涌現(xiàn)出了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN),、氧化鋅(ZnO),、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料,。第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化,也需要在各個(gè)方面尋找到平衡,。

  一代,、二代、三代半導(dǎo)體之間,,并非簡單的取代關(guān)系,,行業(yè)足夠大、需求足夠多樣,,每一種材料都會(huì)找到適合的需求空間,。

  對于第三代半導(dǎo)體材料而言,,一般射頻器件主要采用 GaN,功率器件主要采用 SiC 和 GaN,。

  在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下,,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大,。

  另外,制備技術(shù)的進(jìn)步使得碳化硅和氮化鎵器件成本不斷下降,,碳化硅和氮化鎵的性價(jià)比優(yōu)勢將充分顯現(xiàn),。初步判斷,第三代半導(dǎo)體未來的核心增長點(diǎn)將集中在碳化硅和氮化鎵各自占優(yōu)勢的領(lǐng)域,。

  27日,,意法半導(dǎo)體(ST)宣布,其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm(8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,,將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型,。

  該公司表示,SiC晶圓升級到200mm標(biāo)志著意法半導(dǎo)體面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功,,與150mm晶圓相比,,200mm晶圓可增加產(chǎn)能,將制造集成電路可用面積幾乎擴(kuò)大一倍,,合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8-1.9倍,。

  此外,意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝,。

  意法半導(dǎo)體是國際功率半導(dǎo)體大廠,,且專注于車規(guī)級功率半導(dǎo)體。據(jù)Strategy Analytics新發(fā)布的《2020年汽車半導(dǎo)體廠商市場份額報(bào)告》顯示,,意法半導(dǎo)體與英飛凌,、恩智浦、瑞薩,、德州儀器為全球Top 5汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商,,2020年這五家供應(yīng)商共占據(jù)了全球汽車半導(dǎo)體市場近49%的份額。




電子技術(shù)圖片.png

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。