三星在2017年前，在芯片代工領(lǐng)域,，其實(shí)是排第四名的,，臺積電、格芯,、聯(lián)電都比三星強(qiáng),。

后來三星在2017年時提了一個目標(biāo)，那就是要超過格芯,、聯(lián)電,、臺積電，未來要成為全球芯片代工的第一名。

在2018年時,，三星成功地超過了格芯,、聯(lián)電，排名全球第二,，然后三星的目標(biāo)只有一個，那就是超過臺積電,。

但時至今日,，三星與臺積電的差距還是相當(dāng)大的，按照2021Q4的數(shù)據(jù),，臺積電的份額為53％,，而三星只有17％，臺積電份額約為三星的3倍,。

事實(shí)上,，三星這幾年一直在努力，特別是在5nm,、4nm時更是鉚足了勁,，還拉攏了高通，意欲與臺積電爭霸一下,。

不過,，或許因?yàn)槿翘庇诔晒α耍栽?nm時陷入了良率困境,，按照媒體的說法,，三星4nm良率僅為35％，而臺積電可達(dá)到70％,，是三星的兩倍,。

而良率低會造成什么樣的后果？那就是產(chǎn)能太低,，成本過高,，35％的率良，意味著生產(chǎn)100塊晶圓,，其中只有35塊是正常的,，另外的65塊用不得。

所以三星晶圓代工的主要客戶正在流失,，比如高通,，就決定將驍龍8 Gen1訂單轉(zhuǎn)向臺積電生產(chǎn)，后續(xù)3nm芯片也全量委托給臺積電……

對于三星而言,，目前GAA技術(shù)的3nm工藝,，成為了三星翻身的機(jī)會了，如果GAA工藝的3nm表現(xiàn)不給力,，那么三星將很難超直臺積電,，如果GAA工藝表現(xiàn)給力,，那還是有機(jī)會的。

GAA技術(shù)真的這么大的魅力,？還真的有,，詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)，我多說,，我只簡單地講一下,，大家就會明白了。

所有的芯片,，都要進(jìn)行通電,，然后進(jìn)行運(yùn)算，而芯片由幾十上百億晶體管構(gòu)成,，而耗電分為兩個部分,。

一部分是運(yùn)算本身產(chǎn)生的耗電，叫動態(tài)功耗,。另外一部分則是CMOS晶體管各種泄露電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗（又稱漏電流功耗）,。別小看了漏電，在芯片中,，這個漏電功耗其實(shí)比動態(tài)功耗更大,。

而GAA技術(shù)，相比于之前的FinFET技術(shù),，加到晶體管上的電壓變小,，這樣導(dǎo)致漏電功率也變小。而功耗變小后,，這樣芯片的發(fā)熱會變得更小,，芯片的效率更高，性能更棒,。

所以如果三星真的在GAA技術(shù)下的3nm上表現(xiàn)給力,，那么生產(chǎn)出來的芯片，功耗小,、發(fā)熱少,，你覺得客戶會不會選擇？畢竟臺積電還在使用FinFET,，技術(shù)是真的不如GAA技術(shù)的,。