SiC,、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率,、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本,。但同時(shí),SiC,、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn),,稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形,從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確,、電路設(shè)計(jì)的性能和安全,、項(xiàng)目完成的速度。
SiC,、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中,,最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量,包括兩個(gè)部分:開關(guān)過(guò)程和Crosstalk,。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測(cè)量的,,這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn),同時(shí)還會(huì)由于跳變的共模電壓而無(wú)法獲得準(zhǔn)確的結(jié)果,。通常情況下,,我們會(huì)選擇高壓差分探頭來(lái)進(jìn)行測(cè)量。
我們來(lái)使用測(cè)試界的魔法棒--光隔離探頭,,一起破解SiC,、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題。
高壓差分探頭的不足
使用高壓差分探頭對(duì)上橋臂器件開關(guān)過(guò)程VGS進(jìn)行測(cè)量,,其結(jié)果如下:
從上邊的VGS波形可以發(fā)現(xiàn)測(cè)量結(jié)果存在以下幾個(gè)問(wèn)題 :
1. VGS波形的震蕩比較嚴(yán)重,,震蕩尖峰超過(guò)了器件柵極耐壓值,會(huì)對(duì)器件的柵極壽命和安全造成負(fù)面影響,。
2. VGS波形的噪聲很大顯得很粗,。
看到這樣波形會(huì)產(chǎn)生以下困惑:
1. 這樣的 VGS波形震蕩在電路應(yīng)用中不可接受的,那么測(cè)得的震蕩是否測(cè)量正確,?是器件自身的問(wèn)題還是電路設(shè)計(jì)的有誤,?
2. VGS波形顯得很粗,,是驅(qū)動(dòng)供電電源的輸出紋波過(guò)大導(dǎo)致的么?
使用高壓差分探頭對(duì)上橋臂器件 Crosstalk 過(guò)程VGS進(jìn)行測(cè)量,,其結(jié)果如下:
從上邊的 VGS 波形可以發(fā)現(xiàn)測(cè)量結(jié)果存在以下幾個(gè)問(wèn)題:
1. 在正向 Crosstalk 過(guò)程中,,VGS波形的正向尖峰顯著超過(guò)了器件的 VGS (th),理應(yīng)造成器件誤導(dǎo)通進(jìn)而導(dǎo)致橋臂短路,,但測(cè)試中并未發(fā)生,。
2. 在正向 Crosstalk 過(guò)程中,VGS波形出現(xiàn)了很大的負(fù)向尖峰并且也顯著超過(guò)了器件柵極耐壓值,,這與Crosstalk的原理是不相符的,。
3. 在負(fù)向Crosstalk過(guò)程中,VGS波形的負(fù)向尖峰顯著超過(guò)了器件柵極耐壓值,,會(huì)影響器件柵極壽命或?qū)е缕渲苯訐舸?/p>
4. 在負(fù)向Crosstalk過(guò)程中,,VGS 波形出現(xiàn)了很大的正向尖峰,這與Crosstalk的原理是不相符的,。
5. VGS波形的噪聲很大顯得很粗,。
看到這樣波形會(huì)產(chǎn)生以下困惑:
1. 根據(jù)測(cè)量結(jié)果,正向Crosstalk時(shí)應(yīng)該發(fā)生橋臂短路,,但實(shí)際并未發(fā)生,,這是為什么?這樣的結(jié)果是應(yīng)該繼續(xù)改進(jìn)電路設(shè)計(jì)還是能夠被變換器接受,?
2. 正向Crosstalk出現(xiàn)了與理論不符的負(fù)向尖峰,,負(fù)向Crosstalk出現(xiàn)了與理論不符的正向尖峰,這是怎么回事,?是器件自身的問(wèn)題還是電路設(shè)計(jì)的有誤,?
3. VGS 波形顯得很粗,是驅(qū)動(dòng)供電電源的輸出紋波過(guò)大導(dǎo)致的么,?
測(cè)試魔法棒 --- 光隔離探頭
我們將上邊的困惑放在一邊,,換一根光隔離探頭測(cè)測(cè)看。
從上圖就可以看到,,采用光隔離探頭后的開關(guān)過(guò)程VGS波形的震蕩明顯減輕了,,都在器件柵極耐壓范圍之內(nèi),同時(shí)波形也變細(xì)了,。
從上圖就可以看到,,采用光隔離探頭后的Crosstalk過(guò)程VGS波形的震蕩明顯減輕了,正向和負(fù)向減分也都在可接受范圍之內(nèi),,沒(méi)有出現(xiàn)與理論不相符的情況,。
可見如果我們繼續(xù)糾結(jié)之前使用高壓差分探頭的測(cè)試結(jié)果,就是在用錯(cuò)誤的波形自尋煩惱,最終只能是白白浪費(fèi)了時(shí)間和精力,,在使用光隔離探頭后所有問(wèn)題就都迎刃而解了,。那么光隔離探頭究竟是施展了什么魔法呢?
1. 高共模抑制比
共模抑制比 (CMRR) 是表征探頭不受共模信號(hào)影響的能力,,單位為dB,,數(shù)值越小,,共模抑制能力越強(qiáng),。高壓差分探頭也是具有共模抑制能力的,只是會(huì)隨著被測(cè)信號(hào)頻率的升高急劇下降,。典型的高壓差分探頭在 1MHz下CMRR有 -50dB,, 但到了1GHz下CMRR降低到了-20dB。而 SiC,、GaN極快的開關(guān)速度就導(dǎo) 致共模電壓跳變速度極快,,這就需要探頭在高頻下也具有很高的 CMRR。光隔離探頭能夠在很寬的頻率范圍內(nèi)具有很高的CMRR,,1MHz下有-160dB,,1GHz下有-90dB。 這就使得光隔離探頭不會(huì)受到高速跳變的共模電壓的影響而產(chǎn)生不存在的波形震蕩,。
2. 最小測(cè)量環(huán)路
高壓差分探頭的前端是兩根十幾cm的接線,,這將導(dǎo)致兩個(gè)問(wèn)題:一是長(zhǎng)接線在測(cè)量回路中可以看作是電感,會(huì)引起被測(cè)電流中不存在的震蕩,;二是長(zhǎng)接線圍成的回路可以看作是一個(gè)天線,,會(huì)接收器件在開關(guān)過(guò)程中快速變化的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng),導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果錯(cuò)誤,。光隔離探頭端部具有一系列可提供高性能和可及性的連接件和附件,,可以盡量使得測(cè)量接線距離更短、測(cè)量接線圍成的面積更小,,從而避免上述問(wèn)題導(dǎo)致的測(cè)量結(jié)果錯(cuò)誤,。
3. 高共模范圍低衰減倍數(shù)
在使用高壓差分探頭時(shí),為了應(yīng)對(duì)SiC,、GaN的高母線電壓,,就需要設(shè)置探頭為高衰減比,而高衰減比就會(huì)導(dǎo)致測(cè)量量化誤差增大,、測(cè)量系統(tǒng)噪聲增大,,這就導(dǎo)致使用高壓差分探頭測(cè)得的波形顯得很粗。而光隔離探頭的共模范圍與衰減比之間是獨(dú)立的,,即在能夠承受高共模電壓時(shí),,也可以通過(guò)選擇小衰減比的探頭前端來(lái)提高測(cè)量的精度,測(cè)得的波形顯得更細(xì)。
通過(guò)以上內(nèi)容可以看到光隔離探頭在對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓 VGS的測(cè)量中具有優(yōu)異的表現(xiàn),,其實(shí),,對(duì)于下橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量也是非常給力的。通過(guò)下圖可以看出,,即使是沒(méi)有快速跳變的共模電壓,,光隔離探頭測(cè)的波形也明顯優(yōu)于高壓差分探頭,真不愧是SiC,、GaN的測(cè)試魔法棒,。
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