近日,，產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士＠手機晶片達人稱,，由于先進制程產(chǎn)能利用率開始下滑，而且評估之后下滑時間會持續(xù)一段周期,，臺積電計劃從年底開始,，將部分EUV設備關機，以節(jié)省EUV設備巨大的耗電支出,。

EUV光刻機被譽為芯片制造上的“明珠”,，專門用于生產(chǎn)高端芯片，該設備生產(chǎn)一天需要3萬度電左右,，一年耗電大約1000萬度,，是十足的“電老虎”。

據(jù)了解,，目前臺積電擁有大約80臺EUV光刻機,，主要用于7nm、5nm及以下的先進工藝,，今年9月份還會量產(chǎn)3nm工藝,，都需要EUV光刻機，這也導致了臺積電在電能方面的消耗極大。

結(jié)合最近產(chǎn)業(yè)曝出的消息來看,，臺積電內(nèi)部決定放棄N3工藝,，轉(zhuǎn)而在2023年下半年量產(chǎn)降本的N3E工藝，原因是N3工藝目前幾乎沒有客戶用得上,。就臺積電目前的大客戶蘋果而言,，在即將發(fā)布的iPhone14系列上的A16處理器不急著上3nm工藝，而是保持采用4nm工藝,，再加上3nm的能效問題,，蘋果連初代3nm芯片的計劃都取消了。

除了蘋果以外,，華為海思由于某些原因,，也無法繼續(xù)與臺積電合作并從后者處獲得3nm工藝芯片。這也導致了幾乎沒有客戶能夠采用臺積電3nm工藝打造芯片產(chǎn)品,，畢竟一套3nm的光罩費用要上億美金,，成本巨大。另一方面,，市場現(xiàn)階段PC、手機,、顯卡等產(chǎn)品的需求下滑,，先進工藝生產(chǎn)的芯片也受到不小影響。

與DUV（深紫外光）光刻機相比,，EUV光刻機的吞吐量相對較低,，每小時可曝光處理的晶圓數(shù)量約在120片－175片之間，技術(shù)改進后,，速度可以提升至275片每小時,。但相對而言，EUV生產(chǎn)效率還是更高,，原因在于1層EUV晶圓通?？梢源?－4層DUV晶圓。

據(jù)悉,，晶圓制造采用的主流光源是氬氟激光,，波長為193nm，而極紫外光的波長只有13．5nm,，EUV光刻即以其作為光源,。

EUV耗電量高的原因主要有幾個方面：

一，要激光高功率的極紫外光,，需要通過功耗極大的激光器,，這個過程會產(chǎn)生大量熱量，因此也需要優(yōu)秀且完備的冷卻、散熱系統(tǒng)來保證設備正常工作,，而激發(fā)極紫外光和冷卻散熱都需要消耗大量電力,。

二、光前進到晶圓的過程中,，需要經(jīng)過十幾次反射鏡修正光路方向,，而每經(jīng)過一次反射，會有約30％的損耗,，最終大約只有不到2％的光線到達晶圓,。過程中損耗的能量，也大量會轉(zhuǎn)化成熱量,，這又帶來大量的散熱工作,，又轉(zhuǎn)化成電力消耗。

三,，晶圓廠產(chǎn)能很多時候吃緊,，為提高產(chǎn)能，晶圓廠會進一步提升光源功率,，從而提升曝光的節(jié)奏,，這又帶來更多的用電。

綜合而言,，EUV光刻機的耗電問題,，本質(zhì)是從光源激發(fā)到晶圓生產(chǎn)過程中極低的能源轉(zhuǎn)換率。

值得注意的是,，盡管EUV光刻機研發(fā)成本高昂,，但依然受到全球各大晶圓廠的追捧。據(jù)悉,，ASML計劃在2024年量產(chǎn)出貨新一代的NA EUV光刻機,，助力臺積電，三星等企業(yè)完成2nm芯片的生產(chǎn),。并且到時候ASML會大幅度提升現(xiàn)款的EUV光刻機產(chǎn)能,，預計2025年左右可具備年產(chǎn)90臺EUV光刻機的能力。

旺盛的市場需求給ASML帶來很大的生產(chǎn)壓力,，雖然有大量的訂單涌入,，但由于供應鏈“斷供”影響，ASML的很多訂單難以交付,。雖然臺積電和三星今年采購的EUV光刻機訂單量達到了40臺,，但ASML在第一季度出貨EUV光刻機的數(shù)量只有3臺，按這個出貨量來計算,，ASML全年交付的EUV光刻機訂單只有十多臺,。當然,，經(jīng)過ASML對供應鏈的調(diào)整，交付數(shù)量應該會有所提升,，據(jù)ASML透露,，今年或只能完成60％的訂單量。

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