近日,，產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士＠手機(jī)晶片達(dá)人稱,，由于先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率開始下滑,，而且評估之后下滑時(shí)間會持續(xù)一段周期，臺積電計(jì)劃從年底開始,，將部分EUV設(shè)備關(guān)機(jī),，以節(jié)省EUV設(shè)備巨大的耗電支出。

EUV光刻機(jī)被譽(yù)為芯片制造上的“明珠”,，專門用于生產(chǎn)高端芯片,，該設(shè)備生產(chǎn)一天需要3萬度電左右，一年耗電大約1000萬度,，是十足的“電老虎”,。

據(jù)了解，目前臺積電擁有大約80臺EUV光刻機(jī),，主要用于7nm,、5nm及以下的先進(jìn)工藝，今年9月份還會量產(chǎn)3nm工藝，都需要EUV光刻機(jī),，這也導(dǎo)致了臺積電在電能方面的消耗極大,。

結(jié)合最近產(chǎn)業(yè)曝出的消息來看，臺積電內(nèi)部決定放棄N3工藝,，轉(zhuǎn)而在2023年下半年量產(chǎn)降本的N3E工藝,，原因是N3工藝目前幾乎沒有客戶用得上,。就臺積電目前的大客戶蘋果而言,，在即將發(fā)布的iPhone14系列上的A16處理器不急著上3nm工藝，而是保持采用4nm工藝,，再加上3nm的能效問題,，蘋果連初代3nm芯片的計(jì)劃都取消了。

除了蘋果以外,，華為海思由于某些原因,，也無法繼續(xù)與臺積電合作并從后者處獲得3nm工藝芯片。這也導(dǎo)致了幾乎沒有客戶能夠采用臺積電3nm工藝打造芯片產(chǎn)品,，畢竟一套3nm的光罩費(fèi)用要上億美金,，成本巨大。另一方面,，市場現(xiàn)階段PC,、手機(jī)、顯卡等產(chǎn)品的需求下滑,，先進(jìn)工藝生產(chǎn)的芯片也受到不小影響,。

與DUV（深紫外光）光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)的吞吐量相對較低,，每小時(shí)可曝光處理的晶圓數(shù)量約在120片－175片之間,，技術(shù)改進(jìn)后，速度可以提升至275片每小時(shí),。但相對而言,，EUV生產(chǎn)效率還是更高，原因在于1層EUV晶圓通?？梢源?－4層DUV晶圓,。

據(jù)悉，晶圓制造采用的主流光源是氬氟激光,，波長為193nm,，而極紫外光的波長只有13．5nm，EUV光刻即以其作為光源,。

EUV耗電量高的原因主要有幾個方面：

一,，要激光高功率的極紫外光，需要通過功耗極大的激光器，這個過程會產(chǎn)生大量熱量,，因此也需要優(yōu)秀且完備的冷卻,、散熱系統(tǒng)來保證設(shè)備正常工作，而激發(fā)極紫外光和冷卻散熱都需要消耗大量電力,。

二,、光前進(jìn)到晶圓的過程中，需要經(jīng)過十幾次反射鏡修正光路方向,，而每經(jīng)過一次反射,，會有約30％的損耗，最終大約只有不到2％的光線到達(dá)晶圓,。過程中損耗的能量,，也大量會轉(zhuǎn)化成熱量，這又帶來大量的散熱工作,，又轉(zhuǎn)化成電力消耗,。

三，晶圓廠產(chǎn)能很多時(shí)候吃緊,，為提高產(chǎn)能,，晶圓廠會進(jìn)一步提升光源功率，從而提升曝光的節(jié)奏,，這又帶來更多的用電,。

綜合而言，EUV光刻機(jī)的耗電問題,，本質(zhì)是從光源激發(fā)到晶圓生產(chǎn)過程中極低的能源轉(zhuǎn)換率,。

值得注意的是，盡管EUV光刻機(jī)研發(fā)成本高昂,，但依然受到全球各大晶圓廠的追捧,。據(jù)悉，ASML計(jì)劃在2024年量產(chǎn)出貨新一代的NA EUV光刻機(jī),，助力臺積電,，三星等企業(yè)完成2nm芯片的生產(chǎn)。并且到時(shí)候ASML會大幅度提升現(xiàn)款的EUV光刻機(jī)產(chǎn)能,，預(yù)計(jì)2025年左右可具備年產(chǎn)90臺EUV光刻機(jī)的能力,。

旺盛的市場需求給ASML帶來很大的生產(chǎn)壓力，雖然有大量的訂單涌入,，但由于供應(yīng)鏈“斷供”影響,，ASML的很多訂單難以交付。雖然臺積電和三星今年采購的EUV光刻機(jī)訂單量達(dá)到了40臺,，但ASML在第一季度出貨EUV光刻機(jī)的數(shù)量只有3臺,，按這個出貨量來計(jì)算，ASML全年交付的EUV光刻機(jī)訂單只有十多臺。當(dāng)然,，經(jīng)過ASML對供應(yīng)鏈的調(diào)整,，交付數(shù)量應(yīng)該會有所提升，據(jù)ASML透露,，今年或只能完成60％的訂單量,。

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