三星今天宣布,，它已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 大概為 236 層的 3D NAND 存儲器，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND,。新 IC 具有 2400 MTps 的傳輸速度,，當(dāng)與高級控制器結(jié)合使用時，它們可以實現(xiàn)傳輸速度超過 12 GBps 的客戶端級 SSD,。

　　新的第 8 代 V-NAND 設(shè)備具有 1Tb 容量（128GB）,，三星稱其為業(yè)界最高的位密度，但沒有透露 IC 的尺寸或?qū)嶋H密度,。該 IC 還具有 2400 MTps 的數(shù)據(jù)傳輸速率,，這對于  配備 PCIe 5.0 x4 接口 的最佳 SSD至關(guān)重要， 一旦與適當(dāng)?shù)目刂破髋鋵?，將提供驚人的12.4 GBps （或更高?。?/p>

　　三星聲稱,，與現(xiàn)有相同容量的閃存 IC 相比,，其新一代 3D NAND 存儲器的每晶圓生產(chǎn)率將提高 20%，這降低了公司的成本（在良率相同的情況下）,，這可能意味著更便宜的 SSD ,。

　　同時，該公司沒有提及該設(shè)備的架構(gòu),，但根據(jù)提供的圖片,，我們假設(shè)我們談?wù)摰氖请p平面 3D NAND IC。

　　“隨著市場對更密集,、更大容量的存儲需求推動更高的 V-NAND 層數(shù),，三星采用其先進的 3D 縮放技術(shù)來減少表面積和高度，同時避免通常在按比例縮小時發(fā)生的單元間干擾,，”三星電子閃存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 說,。“我們的第八代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求,，并使我們能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案,，這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)?！?/p>

　　三星尚未宣布任何基于其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存的實際產(chǎn)品，但我們可以推測第一批設(shè)備將迎合客戶應(yīng)用,。

　　三星236層閃存,，終于要來了,！

　　據(jù)外媒介紹，三星正準備開始量產(chǎn)其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存,，該內(nèi)存將具有 200 多層,，并為固態(tài)存儲設(shè)備帶來更高的性能和位密度。

　　報道指出,，三星在 2013 年憑借 24 層 V-NAND 閃存領(lǐng)先競爭對手數(shù)年,，其他公司花了相當(dāng)長的時間才趕上。但從那以后,，這家韓國巨頭變得更加謹慎,，因為構(gòu)建數(shù)百層的 NAND 變得越來越困難。今年,，美光和 SK 海力士憑借 232 層和 238 層 3D TLC NAND 設(shè)備擊敗了三星,。但據(jù)韓國商業(yè)報道，V-NAND 開發(fā)商并沒有停滯不前,，正準備開始批量生產(chǎn) 236 層的 3D NAND 存儲器（當(dāng)然,，將被命名為 V-NAND。.

　　三星在 2021 年年中生產(chǎn)了首批超過 200 層的 V-NAND 內(nèi)存樣品,，因此它現(xiàn)在應(yīng)該有足夠的技術(shù)經(jīng)驗來啟動此類設(shè)備的批量生產(chǎn),。不幸的是，目前很難判斷三星即將推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量,。盡管如此,，我們確信該公司的下一代 NAND 內(nèi)存目標(biāo)之一將是更快的接口速度和其他性能特征，以實現(xiàn)下一代最佳 SSD,。

　　為了為即將推出的具有 PCIe Gen5 接口的臺式機和筆記本電腦以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手機構(gòu)建具有競爭力的固態(tài)存儲解決方案,，三星需要具有高速接口的 NAND 設(shè)備。今天三星的 V7-NAND 已經(jīng)具有高達 2.0 GT/s 的接口速度,，但我們預(yù)計該公司將進一步提高其 V8-NAND 的接口速度,。

　　三星第 8 代 V-NAND 的另一項期望是增加程序塊大小并減少讀取延遲，從而優(yōu)化大容量 3D NAND 設(shè)備的性能,。但不幸的是,，確切的特征是未知的。

　　雖然增加 NAND 層的數(shù)量有時被認為是閃存擴展的一種簡單方法,，但事實并非如此,。使 NAND 層更薄（因此 NAND 單元更?。┬枰褂眯虏牧蟻砜煽康卮鎯﹄姾?。此外，由于蝕刻數(shù)百層具有挑戰(zhàn)性（并且在經(jīng)濟上可能不可行）,，3D NAND 制造商需要采用串堆疊等技術(shù)來構(gòu)建具有數(shù)百層的 3D NAND,。三星尚未在其 176 層 V7-NAND 中采用串堆疊,，但該技術(shù)是否會用于 236 層 V8-NAND 還有待觀察。

　　NAND Flash競爭,，三星掉隊

　　NAND是一個競爭激烈,、不斷進步的市場。制造和出貨的 NAND 位數(shù)以每年 30% 到 35% 的速度增長,，每 2 到 3 年翻一番,。最初的看法是，這需要大量資金專門用于新設(shè)備,，但 NAND 行業(yè)從 2017 年到 2022 年每年僅在晶圓制造設(shè)備上花費了150億到200億美元,，盡管呈指數(shù)級增長，但生產(chǎn)NAND的成本迅速下降,。

　　幾十年前,，類似的成本縮放改進在 DRAM 和邏輯等其他半導(dǎo)體技術(shù)中很常見，但這些子行業(yè)會認為這種改進速度在后摩爾定律宇宙中是不可持續(xù)的,。生產(chǎn)力的提高主要是由 Lam Research 蝕刻和沉積工具的改進以及制造商開發(fā)的工藝節(jié)點推動的,。

　　從歷史上看，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進行如此快速的創(chuàng)新時,，許多公司在技術(shù)上被拋在了塵埃中,。行業(yè)整合出現(xiàn)。只出現(xiàn)了幾個強者,。3D NAND 今天也處于類似的位置,，該行業(yè)的未來經(jīng)濟狀況也在不斷變化。英特爾賣掉了他們的NAND業(yè)務(wù),，鎧俠和西部數(shù)據(jù)出現(xiàn)了很大的動蕩,。

　　在本報告中，我們希望對三星,、SK 海力士,、美光、Solidigm,、長江存儲,、西部數(shù)據(jù)和鎧俠的工藝技術(shù)進行狀態(tài)檢查?？焖倏偨Y(jié)是,，美光、SK 海力士和 YMTC 領(lǐng)先于其他公司,。與此同時,，三星在幾年前還是 NAND 技術(shù)的絕對領(lǐng)導(dǎo)者，卻奇怪地落后了。而來自中國的長江存儲現(xiàn)在出貨密度最高的3D NAND,。

　　SemiAnalysis和Angstronomics編制了下表,。它有許多細微差別,，將在下文中解釋,。

　　長江存儲

　　YMTC 對他們的新一代 NAND 非常低調(diào)，該系列新產(chǎn)品搭載了公司新一代的Xtacking 3.0 技術(shù),。在官方新聞稿中,，他們沒說明新產(chǎn)品的層數(shù)。官方的路線并沒有將 Xtacking 3.0 作為業(yè)界最密集的 1Tb TLC NAND 進行推廣,。

　　但在SemiAnalysis 看來,，Xtacking 3.0 是密度最大的商用 1Tb TLC NAND，15.2Gbit/mm2,；在層數(shù)上,，據(jù)分析，長存產(chǎn)品的層數(shù)“超過230層”,；我們相信232層,；在性能上，該產(chǎn)品可與美光的 232 層 NAND 媲美,，采用類似的 6 平面架構(gòu),，數(shù)據(jù)速率為 2.4Gbps。最后,，它已經(jīng)送樣給合作伙伴,。

　　我們通過在Angstronomics的虛擬幫助下測量物理die來確定這些事實?？梢栽L問物理die也使我們能夠確認它是 6 平面,。我們在第 3 方臺灣公司的展位上發(fā)現(xiàn)了他們采用 SSD 封裝的新 NAND。他們很高興告訴我們其他一些細節(jié),，包括發(fā)貨時間,。

　　據(jù)報道，長江存儲在新產(chǎn)品上還用上了很多新技術(shù),，例如陣列上的混合鍵合 CMOS,、中心驅(qū)動器 XDEC，以及從前端深溝工藝到后端源連接 (BSSC) 的過渡,。YMTC 還計劃為內(nèi)存處理實現(xiàn)進一步的邏輯,，包括采用堆疊 CMOS 技術(shù)的神經(jīng)形態(tài)類型計算。

　　長江存儲不是模仿者,。他們正在構(gòu)建自己的創(chuàng)新和獨特的產(chǎn)品,，他們在 NAND 領(lǐng)域憑借本土創(chuàng)新領(lǐng)先于其他玩家。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 的制造和技術(shù)開發(fā)方面進行了合作，因此它們被組合在一起,。他們估計,，Zettabyte 的 NAND 將在 2022 年出貨。他們的閃存峰會演講涵蓋了 3D NAND 縮放的一些權(quán)衡,?？s放有 4 個主要向量，垂直縮放,、橫向縮放,、架構(gòu)縮放和邏輯縮放。

　　上面是一張關(guān)于 SLC,、MLC,、TLC、QLC 和 PLC 縮放的有趣幻燈片,。隨著越來越多的位存儲在一個單元中,，讀取延遲會增加，并且程序擦除周期的耐久性會降低,。鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探索使用每個單元 4.5 位或每個 NAND 單元 3.5 位來增加密度和降低成本,，同時不犧牲盡可能多的延遲和耐用性。

　　在 3D NAND 中,，工程選擇通常取決于性能,、成本和耐用性。對于同等容量的 SSD 而言,，更大的容量更具成本效益,，但性能較差。較大的單元尺寸性能更好,，但由于難以擴展到更高的層數(shù),，因此制造成本更高。

　　PCIe 多年來一直停留在 3.0 上,，但近年來代際改進加速,。這導(dǎo)致了許多創(chuàng)新，以使可用帶寬完全飽和,。鎧俠和西部數(shù)據(jù)表示,，他們的 NAND 接口帶寬每一代都增加了 30%。此外,，他們引入了異步獨立平面讀取,，這使得每個平面中的讀取可以更有效地打包（大多數(shù)競爭對手引入了這一點或?qū)⒃谒麄兊囊淮羞@樣做）。由于這些創(chuàng)新,，隨機讀取性能顯著提高,。

　　西部數(shù)據(jù)和鎧俠的路線圖包括擴展層以及非層數(shù)相關(guān)技術(shù),。晶圓鍵合被列為下一個被采用作為提高單元陣列效率的技術(shù)。這是長江存儲第三次迭代的 Xtacking 3.0 的技術(shù),。PLC NAND也在考慮之中,。Western Digital 告訴我們，他們甚至在實驗室中試驗了高達 7 位/單元（128 個電壓等級）,。它存在于他們的實驗室中,，但需要由液氮維持的極低溫度。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)是僅有的在其路線圖中使用 PLC 電荷陷阱存儲器的公司,。CMOS 縮放和單元間距縮放也在路線圖上,。他們討論的最后一項技術(shù)是多堆疊,。CMOS 陣列和多個 NAND 陣列都將采用順序混合鍵合方法進行堆疊,。理論上，這項技術(shù)的成本改進很小,，但密度增益將是巨大的,。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開發(fā)了第二代存儲級內(nèi)存，他們將其作為 XL-Flash-2 銷售,。由于成本較高,，它是否會增加產(chǎn)量還有待觀察，但由于使用 16 平面和 MLC NAND,，它的速度要快得多,。這僅適用于延遲較低的 CXL 總線上的大規(guī)模部署，但 DRAM 池/共享通常更適合這些工作負載,。

　　三星

　　長期以來,，三星在 NAND 市場占有率最高。正如《非易失性存儲,，輝煌70年,！》所示，它們在歷史上引領(lǐng)了許多技術(shù)轉(zhuǎn)型,。這種技術(shù)領(lǐng)先存在于他們的 128 層技術(shù),，這是世界上容量最大的 NAND 工藝節(jié)點。

　　3D NAND 中最關(guān)鍵的工藝步驟是通過多層 NAND 的高縱橫比蝕刻和隨后的沉積步驟,。雖然業(yè)內(nèi)幾乎每個人都在這些關(guān)鍵步驟中使用 Lam Research 的工具,，但三星是唯一一家同時蝕刻超過 120 層的公司。其他公司在其 100 層以上的 NAND 架構(gòu)上使用多個decks,，但三星 128 層僅使用 1 層,。例如，Solidigm 在其 144 層 NAND 上使用 3 層decks,。每個deck額外增加成本,。

　　盡管在 128 層方面處于領(lǐng)先地位,，但三星多年來一直沒有推出新的 NAND 工藝技術(shù)。他們的 176 層和 >200 層 NAND 工藝技術(shù)尚未被逆向工程公司或拆解在任何 SSD 中發(fā)現(xiàn),。盡管他們聲稱會在 2021 年出貨 176 層消費級 SSD,，但迄今沒有看到。雖然官方原因尚未披露,，但據(jù)報道很可能源于文化問題引發(fā)的工藝問題,。

　　三星仍然表示，第 7 代 V-NAND,，176 層 512Gb TLC,，2Gbps，是 2021 年的技術(shù),。他們還注意到 176 層 1Tb QLC 即將推出,。第 8 代 V-NAND 超過 200 層。三星表示,，它將是 2.4Gbps 的 1Tb TLC 裸片,，將于 2022 年發(fā)貨。第 8 代將同時進行橫向收縮,、更多層和外圍收縮,。三星還在 2023 年推出了第 9 代 V-NAND。鑒于第 7 代 V-NAND 的表現(xiàn),，我們對他們的說法持懷疑態(tài)度,。

　　三星處于不穩(wěn)定的境地，曾經(jīng)落后的公司現(xiàn)在正在競相領(lǐng)先,，并開始實現(xiàn)更好的成本結(jié)構(gòu),。層數(shù)并不是 NAND 擴展的全部，許多其他因素都會影響最終的每比特成本,。根據(jù)我們的成本模型,，三星仍然擁有第二最具成本效益的 NAND 工藝技術(shù)，因為它具有高資本效率和良率以及長期存在的 128 層工藝節(jié)點,。我們的理論是三星避免增加其 176 層 NAND,，因為由于轉(zhuǎn)向 2 層架構(gòu)，它的成本效益低于 128 層,。

　　如果三星繼續(xù)推遲其新的工藝節(jié)點,，他們就有可能進一步落后。順便說一句,，我們在閃存峰會上與來自競爭公司的許多工藝工程師進行了交談,，他們對三星在 NAND 工藝節(jié)點轉(zhuǎn)換方面發(fā)生的事情感到非常困惑。

　　SK 海力士和 Solidigm

　　SK海力士在相對定位上一直在提升,。他們在第四季度開始大規(guī)模生產(chǎn) 176 層 1Tb QLC,，從而迅速提升了 176 層 TLC,。我們的成本模型將 SK 海力士列為第三最具成本效益的 NAND 工藝技術(shù)，他們甚至可能很快與三星交換位置,。

　　SK海力士238層明年上半年開始量產(chǎn),，512Gb TLC裸片。SK 海力士表示,，新的 NAND 技術(shù)將在每個晶圓上多生產(chǎn) 34% 的比特,，提高 50% 的 IO 速度，提高 10% 的程序性能,，以及提高 21% 的讀取功率效率,。這個 NAND 速度快到 2.4Gbps。美光和 YMTC 僅計劃在其 232 層數(shù)技術(shù)中使用 1Tb 裸片,，但 SK 海力士可以使用更小的 512Gb 裸片實現(xiàn)相同的速度,，并且僅使用 4 平面而不是 6 平面。

　　SK海力士提出的未來路線圖非常有趣,。SK 海力士表示,，他們計劃在 238 層一代之后繼續(xù)使用 Array NAND 下的 CMOS 再發(fā)展 3 代。特別是,，接下來的 xxx 層 NAND 工藝將有更顯著的層數(shù)增加和更快的過渡。

　　SK 海力士因其長期的創(chuàng)新而有一個可怕的營銷名稱——4D^2,。這些涉及共享位線和更多行,。他們討論了使用串聯(lián)的 2 個單元來存儲超過 6 位的數(shù)據(jù)，而不是獨立的單元和存儲 8 個電壓電平用于每個單元 3 位的數(shù)據(jù),。所有這些技術(shù)的重點似乎是每層封裝更多位,。

　　轉(zhuǎn)向 Solidigm（以前是英特爾的 NAND 業(yè)務(wù)），NAND 架構(gòu)有所不同,。Solidigm 使用浮柵架構(gòu),，而 SK Hynix 使用電荷陷阱。SK 海力士計劃將其內(nèi)部電荷陷阱用于性能和主流,，而 Solidigm 將用于價值和 HDD 更換領(lǐng)域,。SK 海力士與英特爾之間的部分交易條款涉及工藝技術(shù)人員在幾年內(nèi)從英特爾轉(zhuǎn)移，而不是立即轉(zhuǎn)移,。Solidigm 大連中國工廠將在英特爾開發(fā)的工藝技術(shù)上運行至少幾年,。

　　下一代 Solidigm 浮柵節(jié)點為 192 層。我們相信這是一個 4 層設(shè)計,，每層deck有 48 層,。對于 TLC 架構(gòu)，該過程的成本效益將備受爭議,。通過在每個單元中使用更多位可以緩解這種成本劣勢,，這是浮動?xùn)艠O架構(gòu)相對于電荷陷阱架構(gòu)的優(yōu)勢,。雖然大多數(shù)電荷陷阱體積是 TLC（每個單元 3 位），但 Solidigm 節(jié)點專注于 QLC 的體積,。

　　192 層 QLC 將配備 1.33Tb 芯片容量,。由于必須準確地保持 16 個電壓電平以每個單元存儲 4 位，QLC 一直受到性能不佳的困擾,，但新節(jié)點聲稱可以解決其中的許多問題,。第 4 代 QLC 有一些非常出色的聲明，即程序?qū)懭霑r間提高 2.5 倍,，隨機讀取提高 5 倍,，在第 99 個百分位時讀取延遲提高 1.5 倍。這些改進將使 Solidigm 192 層 QLC 性能更接近電荷陷阱 TLC,。

　　更令人興奮的變化是,，192 層工藝將成為第一批具有 1.67Tb 裸片容量的 PLC NAND。使用 PLC,，單元必須能夠準確地保持 32 個電壓電平,，以便每個單元存儲 5 位。這將每個晶圓制造的位數(shù)提高了 25%,，但犧牲了性能,。鑒于 SK 海力士將 PLC NAND 作為 HDD 替代技術(shù)，性能受到的影響可能很大,。作為一個有趣的噱頭,，Solidigm 的團隊在使用 192 層 PLC NAND 的外部 SSD 上運行演示文稿。

　　美光

　　美光一直是 NAND 行業(yè)的一顆冉冉升起的新型,。幾年前,，他們在 IMFT 合資企業(yè)中與英特爾結(jié)下了不解之緣。他們使用了浮動?xùn)艠O架構(gòu),，與電荷陷阱相比,，它的每比特成本或性能較差。他們在 DRAM 工藝技術(shù)方面也落后于三星幾年,。

　　美光做出了一些根本性的改變,，現(xiàn)在他們是內(nèi)存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。Sanjay Mehrotra 是 SanDisk 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官,，該公司以190億美元的價格賣給了 Western Digital,。不久之后，他被任命為美光的首席執(zhí)行官,。英特爾合資公司（IMFT）解散,，NAND架構(gòu)從浮柵過渡到電荷陷阱，3D XPoint 內(nèi)存開發(fā)也停止了,。

　　修復(fù)了美光的一些潛在工藝和培養(yǎng)問題,。美光從 3D NAND 中最差的成本結(jié)構(gòu)變成了 3D NAND 中最好的成本結(jié)構(gòu),。同樣，它們從密度最低,、成本最高的工廠到每比特 DRAM 的晶圓廠,，再到成本結(jié)構(gòu)第二好的出貨密度最高的 DRAM。

　　美光的大部分產(chǎn)能是 176 層,，他們正在加速和出貨 232 層 NAND,。美光的策略是保持晶圓開工率基本相同，并專注于更好的工藝技術(shù)以增加位出貨量,。這使他們能夠降低資本支出,，但仍保持市場份額。由于“芯片飯”,，該策略可能會改變,，因為在美國可能會發(fā)生總計400億美元的制造投資。

　　美光的 6 平面 2.4Gbps 1Tb TLC 232 層 NAND 出現(xiàn)在多個 SSD 和控制器公司的展位上,。這些第 3 方公司告訴我,，他們預(yù)計增長速度會很快，232 層將成為美光明年產(chǎn)量的主要部分,。

　　三星分享存儲芯片最新路線圖

　　本周,，三星 Safe 活動隆重舉行。第一個主題演講來自晶圓業(yè)務(wù)發(fā)展團隊執(zhí)行副總裁 Moonsoo Kang,。第二場演講由系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)產(chǎn)品團隊負責(zé)人 Hyeokman Kwon 和內(nèi)存銷售 Jim Elliot 主持,。在我看來，三星今年最令人難忘（雙關(guān)語）的演講來自內(nèi)存組,。

　　“1 萬億 GB 是三星自 40 多年前創(chuàng)立以來所制造的內(nèi)存總量，但僅在過去三年,，三星就生產(chǎn)了其中的一版,，這表明數(shù)字化轉(zhuǎn)型的進展速度有多快，”三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負責(zé)人 Jung-bae Lee 說,?！半S著內(nèi)存帶寬、容量和功率效率的進步使新平臺成為可能,，而這些反過來又刺激了更多的半導(dǎo)體創(chuàng)新,，我們將在數(shù)字共同進化的過程中越來越多地推動更高水平的集成?！?/p>

　　Jim Elliot 從事內(nèi)存業(yè)務(wù)已有 25 年,，其中有 20 年在三星。僅這一點在硅谷就是一項令人印象深刻的壯舉,。Jim 很投入,，并為內(nèi)存業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了美好的前景,。

　　Jim 強調(diào)了 PC、手機以及我們今天所處的數(shù)據(jù)驅(qū)動（可用性和可靠性）時代的行業(yè)驅(qū)動力,。據(jù)報道,，世界上 90% 的數(shù)據(jù)是在過去兩年中創(chuàng)建的，并且這種高速增長將繼續(xù)下去,。

　　對于增長趨勢,，Jim 提到了元宇宙、汽車和人工智能機器人,。我認為,，對于內(nèi)存和邏輯，人工智能都將成為大多數(shù)半導(dǎo)體細分市場的潛在增長驅(qū)動力,，并且需要大量先進的內(nèi)存和邏輯,。需要明確的是，人工智能將觸及大量的芯片,，這些芯片永遠不會有足夠的邏輯或內(nèi)存性能和密度,。

　　一個價值七千億美元的問題是：“內(nèi)存技術(shù)能否跟上數(shù)據(jù)爆炸的需求？” 答案當(dāng)然是肯定的,，Jim 解釋了原因,。

　　根據(jù) Jim 的說法，內(nèi)存節(jié)點轉(zhuǎn)換已從 90nm 推進到10nm,。為了應(yīng)對即將到來的挑戰(zhàn),，Jim 更詳細地談到了三星內(nèi)存。

　　三星推出了其第五代 10nm 級 DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND),。今天,，三星有 567 個 DRAM 訂單和 617 個 NAND 訂單。讓我們面對現(xiàn)實吧,，三星是排名第一的半導(dǎo)體公司是有原因的,，而內(nèi)存是三星半導(dǎo)體王朝背后的驅(qū)動力，所以我認為這種情況不會很快發(fā)生變化,。

　　Jim 的演講涵蓋了合作伙伴關(guān)系,、替代商業(yè)模式以及即將到來的開放式創(chuàng)新三星內(nèi)存研究中心。他還介紹了 DRAM 和 NAND 的路線圖：

　　Jim 總結(jié)了關(guān)于移動,、服務(wù)器,、云以及汽車發(fā)展（車輪上的服務(wù)器）的應(yīng)用說明。三星目前有 400 個汽車項目正在進行中,，并與 60 多家汽車客戶進行量產(chǎn),。

　　全球芯片需求放緩，三星利潤三年來首次下滑

　　三星電子宣布近三年來首次出現(xiàn)利潤下滑，這表明隨著電子設(shè)備需求的消退,，行業(yè)衰退正在加深,。

　　這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機生產(chǎn)商周五估計，截至 9 月底的三個月營業(yè)利潤為 108 億韓元（77 億美元）,，同比下降 32%,。

　　這遠低于彭博社對 Won12.1tn 的估計，這標(biāo)志著自 2020 年以來利潤首次下降,。銷售額為 Won76tn,，同比增長 3%。

　　在美國芯片制造商美光科技和日本鎧俠控股削減支出以應(yīng)對供應(yīng)過剩之后,，該利潤指引低于預(yù)期,。美國芯片制造商 Advanced Micro Devices 周四將其第三季度收入預(yù)期從 8 月份的預(yù)期下調(diào)了約 11 億美元。

　　“由于宏觀經(jīng)濟逆風(fēng),，智能手機,、個人電腦和電視需求下降的速度非常快,。由于庫存高,，削減芯片訂單的速度更快，”新韓證券分析師 Choi Do-yeon 表示,。

　　但本周早些時候,，三星一位高管在美國告訴記者，公司目前還沒有考慮減產(chǎn),。

　　該公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責(zé)人 Kyung Kye-hyun 預(yù)計內(nèi)存市場將持續(xù)低迷,，直到明年年底。據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道,，他最近在一次內(nèi)部活動中告訴員工,，三星將其下半年的芯片銷售預(yù)期從 4 月份的預(yù)測下調(diào)了 32%。

　　今年迄今為止,，悲觀的前景已推動三星股價下跌約 30%,。但摩根士丹利本周升級了半導(dǎo)體板塊，推高了三星和 SK 海力士的股價,，因預(yù)期明年下半年市場會反彈。

　　Kiwoom Securities 分析師 Park Yuak 表示：“在對經(jīng)濟前景日益擔(dān)憂的情況下,，客戶突然調(diào)整庫存,，令半導(dǎo)體行業(yè)感到不安?！?“盡管庫存調(diào)整可能在明年第一季度結(jié)束,，但下半年的芯片價格將遠低于預(yù)期?！?/p>

　　地緣政治風(fēng)險是芯片制造商關(guān)注的另一個領(lǐng)域,。預(yù)計華盛頓將于周五宣布對中國存儲芯片制造商的新限制,，以遏制北京的技術(shù)進步。

　　然而,，分析師表示,，此舉可能會影響韓國公司在中國的業(yè)務(wù)。

　　三星在西安市擁有一家 Nand 閃存芯片工廠,，而 SK 海力士在無錫擁有一家 Dram 芯片工廠,，在大連擁有一家兩年前從英特爾購買的 Nand 工廠。

　　作為喬·拜登總統(tǒng)《芯片與科學(xué)法案》的一部分,，韓國公司最近宣布了一系列在美國建造新工廠的交易,。

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