美國眼見著中國已量產(chǎn)14納米,，開始不斷收緊限制,，最近更是拉攏了ASML,、尼康等光刻機(jī)企業(yè),，試圖從先進(jìn)光刻機(jī)上著手,，阻止中國研發(fā)更先進(jìn)的10納米,、7納米技術(shù),，然而近期中國有芯片企業(yè)卻公布了一項(xiàng)新技術(shù),，可以用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)就能量產(chǎn)10納米乃至7納米工藝。

據(jù)悉中國一家芯片企業(yè)已研發(fā)了一項(xiàng)SAQP技術(shù),，這項(xiàng)技術(shù)可以利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)出10納米工藝,，證明中國基于現(xiàn)有的芯片設(shè)備在芯片制造工藝方面又邁出了重要一步。

業(yè)界人士指出SAQP技術(shù)不僅可以利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)10納米工藝,，還能進(jìn)一步開發(fā)出7納米工藝,。這是完全有可行性的，日本的NIL工藝就無需EUV光刻機(jī)可以開發(fā)出5納米工藝,，美光開發(fā)的1－beta工藝也無需EUV光刻機(jī),，臺(tái)積電第一代7納米工藝同樣是以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)。

SAQP全稱是四重曝光技術(shù),，即使以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)經(jīng)過多重曝光,，最終實(shí)現(xiàn)10納米乃至7納米的量產(chǎn)，這樣的方式可以有效降低成本,，畢竟EUV光刻機(jī)的價(jià)格可是DUV光刻機(jī)的數(shù)倍,，美光選擇繞開EUV光刻機(jī)就是為了節(jié)省成本，而性能方面卻能接近EUV光刻機(jī)的工藝,。

如今中國也成功研發(fā)出無需EUV光刻機(jī)的先進(jìn)工藝,，對(duì)于中國芯片來說無疑是巨大的進(jìn)步，尤其是這種方式還能大幅降低先進(jìn)工藝的成本,，有助于增強(qiáng)中國芯片的競(jìng)爭(zhēng)力,，此前美國家電制造商就認(rèn)可了中國芯片的超低成本優(yōu)勢(shì)，這是中國芯片所特有的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。

中國開發(fā)的SAQP技術(shù),，說到底還是基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，而硅基芯片以美國為首的西方經(jīng)濟(jì)體近百年的積累,，讓他們擁有了足夠的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),，中國在硅基芯片技術(shù)上終究只能成為跟隨者，為了真正實(shí)現(xiàn)趕超,，中國已開始研發(fā)更先進(jìn)的芯片技術(shù),。

中國已分別籌建了全球第一條光子芯片生產(chǎn)線,、量子芯片生產(chǎn)線，這將推動(dòng)這兩項(xiàng)先進(jìn)芯片技術(shù)早日實(shí)現(xiàn)商用,，這些芯片技術(shù)可以將芯片性能提升千倍,，而功耗大幅下降，這才是未來的先進(jìn)芯片技術(shù),。

另一項(xiàng)先進(jìn)芯片技術(shù)被稱為石墨烯技術(shù),，中國同樣也在推進(jìn)，并已有多家中國企業(yè)取得石墨烯技術(shù)專利,；美國也在力推石墨烯芯片技術(shù),，美國一家初創(chuàng)芯片企業(yè)表示在現(xiàn)有硅基芯片注入碳納米管，以90納米生產(chǎn)的芯片性能卻比7納米芯片提升50倍性能,。

這些先進(jìn)芯片的技術(shù)商用,，將徹底變革當(dāng)下的硅基芯片技術(shù)，將再也無需EUV光刻機(jī)等先進(jìn)光刻機(jī),，這對(duì)于ASML無疑將是巨大的打擊,。事實(shí)上ASML也已認(rèn)識(shí)到它的第二代EUV光刻機(jī)量產(chǎn)，基本就已經(jīng)到了硅基芯片的極限,，全球芯片行業(yè)需要引入更先進(jìn)的芯片技術(shù),，而中國加速了這些先進(jìn)芯片技術(shù)的推進(jìn)，將讓ASML的輝煌提前結(jié)束,。

中國芯片這幾年的表現(xiàn)顯示出中國芯片所具有的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力,，如今在美國的壓迫下，中國芯片行業(yè)已被激發(fā)了巨大的潛力,，不斷加速各種先進(jìn)芯片技術(shù)的發(fā)展,，一旦這些先進(jìn)芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用，那么中國將取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),，將再也不會(huì)受制于美國,。

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