《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > ASML堵了EUV光刻機的路,,但國產光刻機有3大新方向

ASML堵了EUV光刻機的路,但國產光刻機有3大新方向

2023-02-24
來源:互聯網亂侃秀
關鍵詞: ASML EUV 光刻機

眾所周知,,當前全球只有ASML一家能夠生產EUV光刻機,,甚至可以說很長一段時間內,全球也只有ASML能夠生產光刻機,,不會有第二家,。

原因在于ASML把EUV光刻機的路堵住了,這條路別人是走不通的,。

ASML與全球眾多的供應鏈,,形成了捆綁關系,像蔡司等與ASML形成了利益共同體,,EUV光刻機中,,蔡司等廠商至關重要,掌握核心科技,,缺少這些供應鏈,,其它廠商不可能制造出EUV光刻機。

所以,,目前眾多的其它光刻機企業(yè),,并不打算走EUV光刻機這條路,在另尋它路,。

同樣的,,國產光刻機基本上也走不通EUV這條路,只能另尋他路,,而從現在的情況來看,,目前主流上有三條路,這三條路都能實現EUV光刻機的效果,。

第一條路是電子束光刻——用電子束在硅片上進行雕刻,。

這條路的優(yōu)點是精細,分辨率高,比EUV光刻機還要高,,美國公司Zyvex Labs生產出了這樣的光刻機,,實現0.768nm芯片的光刻,但缺點是產能低,,效率低,,無法大規(guī)模量產芯片,只能實驗室用,,但也不失為一條新的路,。

第二條路是納米壓印,也稱NIL技術,。原理是電路圖設計出來后,,刻在納米板上,再像印書一樣壓印在硅片上,。

這種的優(yōu)點非常多,,比如功率遠比EUV光刻機低,一臺EUV光刻機一年要用1000萬度電,,但這種NIL技術能耗減少90%,,且制造成本比EUV光刻機低40%。

缺點是目前精度不夠,,遠遠達不到7nm,、5nm的級別,大約還處于28-40nm及以上,,但未來精度提高后,,替代EUV完全可行。

還有一種是自組裝(DSA)光刻,,這種技術比較神奇,就是用一些化學材料,,直接在硅晶圓上,,操縱這些材料,把芯片的電路圖刻畫出來,,比如不要的部分用材料腐蝕掉……

但這種技術,,目前還遠遠看不到量產的希望,這種神奇的化學材料不好找,,但美國,、歐洲等實驗室據說有了進展,不過短時間內肯定沒戲,,只能在科幻劇中看到,。

很明顯,目前看起來最可靠的,還是NIL納米壓印技術,,完全有替代EUV光刻機的可能性,,目前國內也在研究這個技術。

不過研究最好的還是日本的佳能,,佳能在NIL技術上專利全球最多,,且已經有了量產機器,目前在改進精度,,希望國產加油,,也能夠趕緊推出NIL光刻機出來,那樣我們的芯片就不怕被卡脖子了,。




更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<

本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點,。轉載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者,。如涉及作品內容、版權和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失,。聯系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]