ASML 首席財務官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪,。在采訪中，Dassen 回應了分析機構 SemiAnalysis 的質疑,，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經(jīng)濟的選擇,。

SemiAnalysis 之前刊發(fā)文章，認為 High-NA 光刻技術將使用更高的曝光劑量,，從而明顯降低單位時間內(nèi)的晶圓吞吐量,。這就意味著，相較于沿用現(xiàn)有的 0.33NA EUV 光刻機并搭配多重曝光,，引入 High-NA 在近期不會帶來成本優(yōu)勢,。

Dassen 認為，SemiAnalysis 的觀點輕視了多重曝光路線的復雜程度,，英特爾 10nm 制程難產(chǎn)的關鍵原因之一就是其 DUV+SAQP（IT之家注：Self-Aligned Quadruple Patterning,，即自對準四重曝光）技術路線過于復雜，正因此英特爾積極布局 High-NA EUV 技術,，買下了第一臺 High-NA 光刻機,。

Dassen 表示，不同客戶對于引入 High-NA 的時間點有不同評估是很自然的,，不過 AMSL 每季度都獲得了數(shù)個 High-NA EUV 光刻機新訂單,。