2月17日消息,，ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī)，將用于2nm工藝以下芯片的制造,，臺(tái)積電,、三星未來(lái)也會(huì)陸續(xù)接收，可直達(dá)1nm工藝左右,。

那么之后呢,？消息稱，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級(jí)NA)光刻機(jī),，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,。

ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)只有0.33 NA(孔徑數(shù)值)，臨界尺寸(CD)為13.5nm,，最小金屬間距為26nm,，單次曝光下的內(nèi)連接間距約為25-30nm，適合制造4/5nm工藝,。

使用雙重曝光,，可將內(nèi)連接間距縮小到21-24nm，就能制造3nm工藝了,，比如臺(tái)積電N3B,。

第二代EUV光刻機(jī)提高到了0.55 NA，臨界尺寸縮小到8nm,，金屬間距最小約為16nm,，可制造3-1nm,，比如Intel就透露會(huì)在1.4nm節(jié)點(diǎn)上首次使用。

ASML CTO Martin van den Brink在接受采訪時(shí)確認(rèn),，ASML正在調(diào)查開(kāi)發(fā)Hyper NA技術(shù),，繼續(xù)推進(jìn)各項(xiàng)光刻指標(biāo)，其中NA數(shù)值將超過(guò)0.7,，預(yù)計(jì)在2030年左右完成,。

它表示，這種新型EUV光刻機(jī)適合制造邏輯處理器芯片,，相比高NA雙重曝光成本更低,，也可用來(lái)制造DRAM內(nèi)存芯片。

ASML已披露的數(shù)據(jù)顯示,，低NA光刻機(jī)的成本至少1.83億美元,，高NA光刻機(jī)更是3.8億美元起步。

根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖,，2030年左右應(yīng)該能推進(jìn)到A7 0.7nm工藝,，之后還有A5 0.5nm、A3 0.3nm,、A2 0.2nm,，但那得是2036年左右的事兒了。