2月17日消息,，ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺高NA EUV極紫外光刻機(jī),，將用于2nm工藝以下芯片的制造，臺積電,、三星未來也會陸續(xù)接收,，可直達(dá)1nm工藝左右。

那么之后呢,？消息稱,，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級NA)光刻機(jī)，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,。

ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)只有0.33 NA(孔徑數(shù)值),，臨界尺寸(CD)為13.5nm，最小金屬間距為26nm,，單次曝光下的內(nèi)連接間距約為25-30nm,，適合制造4/5nm工藝。

使用雙重曝光,，可將內(nèi)連接間距縮小到21-24nm,，就能制造3nm工藝了，比如臺積電N3B,。

第二代EUV光刻機(jī)提高到了0.55 NA,，臨界尺寸縮小到8nm，金屬間距最小約為16nm,，可制造3-1nm,，比如Intel就透露會在1.4nm節(jié)點上首次使用,。

ASML CTO Martin van den Brink在接受采訪時確認(rèn)，ASML正在調(diào)查開發(fā)Hyper NA技術(shù),，繼續(xù)推進(jìn)各項光刻指標(biāo),，其中NA數(shù)值將超過0.7，預(yù)計在2030年左右完成,。

它表示,，這種新型EUV光刻機(jī)適合制造邏輯處理器芯片，相比高NA雙重曝光成本更低,，也可用來制造DRAM內(nèi)存芯片。

ASML已披露的數(shù)據(jù)顯示,，低NA光刻機(jī)的成本至少1.83億美元,，高NA光刻機(jī)更是3.8億美元起步。

根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖,，2030年左右應(yīng)該能推進(jìn)到A7 0.7nm工藝,，之后還有A5 0.5nm、A3 0.3nm,、A2 0.2nm,，但那得是2036年左右的事兒了。