3 月 14 日消息,，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道,，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法,，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存,。

HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF,。

MR-RUF 即批量回流模制底部填充,，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙,；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜,，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。

隨著 HBM 中 DRAM 層的增加,，DRAM 晶圓也需要隨之變薄,，而整體壓力卻會進(jìn)一步增大，因此晶圓翹曲會加劇,，SK 海力士的 MR-RUF 路線被部分人士認(rèn)為能更好解決翹曲問題,。

路透社之前援引分析師的話說，三星的 HBM3 內(nèi)存芯片良率僅有 10~20%,，明顯低于 SK 海力士的 60~70%,，因此三星求變，正考慮向日本企業(yè)購買 MR-RUF 所用模塑料,。

三星電子表示路透社報道不正確,，并回應(yīng)稱：“我們正在利用 NCF 方法制定最佳解決方案?！?/p>

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,，三星在 NCF 材料的研發(fā)和擴產(chǎn)上進(jìn)行了大規(guī)模投資，因此目前在 HBM 上無法轉(zhuǎn)向 MR-RUF,。據(jù)IT之家此前報道,，三星將在 3DS RDIMM 上進(jìn)行 MR-RUF 的應(yīng)用嘗試,。