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美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊

2024-03-25
來源:IT之家

美光(Micron)近日出席英偉達(dá) GTC 2024 大會(huì),展示了 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊,。

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美光表示該內(nèi)存模塊主要為英特爾 Xeon Scalable Granite Rapids 等未來服務(wù)器系統(tǒng)設(shè)計(jì),,并已經(jīng)開始向感興趣的買家發(fā)送樣品。

這款 256GB 單條 MCRDIMM DDR5 內(nèi)存的運(yùn)行速度為 8800 MHz,,專為 1U 服務(wù)器系統(tǒng)設(shè)計(jì),基于 32-gigabit DDR5 芯片,。

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該內(nèi)存模塊每面均有 40 個(gè)內(nèi)存芯片,,一條 256 GB MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊的功耗約為 20W,作為對比美光此前發(fā)布的 DDR5-4800 規(guī)格 128 GB DDR5-8000 RDIMM 模塊的功耗為 10W,,因此功耗相對來說較低,。

IT之家注:MCRDIMM 全名為 Multiplexer Combined Ranks DIMMs(多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組),將多個(gè) DRAM 組合在一塊主板上,,能夠同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列(Rank,,模組處理信息的基本運(yùn)行單位),提高內(nèi)存的速率,。

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從曝光的資料來看,,DDR5 MRDIMM Gen1 將提升到 8800 MT / s,DDR5 MRDIMM Gen2 提升到 12800 MT / s,,2030 年后的 DDR5 MRDIMM Gen3 將提升到 17600 MT / s,。


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