3月25日消息,，據(jù)媒體透露，有消息人士稱,，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實現(xiàn)了三倍的提高,，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間,，然而，這仍然落后于競爭對手臺積電,。

除此之外,，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會,。

報道指出,，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗,、性能和邏輯區(qū)域方面進行了改進,。

然而，這并沒有為三星吸引更多客戶,。一份報告指出,，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%,。而這些企業(yè)在可預見的未來將繼續(xù)選擇臺積電,。

本月初,，韓國媒體報道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴,，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝,。

一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知,，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米,，因此我們近期需要重新簽訂合同,。”