4 月 23 日消息，韓媒 The Elec 在報道中表示,，預測 SK 海力士將在 HBM4 內存的基礎裸片（Base Die）部分采用臺積電 7nm 制程,。
目前臺積電 7nm 系產能大部分已遷移至 6nm 變體,，因此韓媒的表達更適合作為“7nm 系”制程理解。
HBM 內存的基礎裸片是 DRAM 堆疊的底座,，同時也作為控制器負責同處理器進行通信,。
SK 海力士上周同臺積電簽署了 HBM 內存合作諒解備忘錄，雙方的首個合作重點就是 HBM 基礎邏輯芯片的性能改善,。
SK 海力士此前在 HBM 產品中采用存儲半導體工藝制造基礎裸片,；而在 HBM4 中，臺積電將采用先進邏輯工藝為 SK 海力士代工,，以實現(xiàn)更豐富的功能和更加優(yōu)異的功效,，有助于滿足客戶對定制化 HBM 的需求。
SK 海力士目標到 2026 年實現(xiàn) HBM4 內存投產,。
咨詢機構 TrendForce 集邦咨詢持有不同于 The Elec 的看法,，其在去年 11 月認為 HBM4 的基礎裸片將基于 12nm 工藝。
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