4 月 25 日消息,,美國政府近日宣布,,根據(jù)雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄,,美國政府將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向美光提供至多 61.4 億美元(當(dāng)前約 445.76 億元人民幣)直接補(bǔ)貼,。
這筆補(bǔ)貼將支持美光到 2030 年在美國投資 500 億美元(當(dāng)前約 3630 億元人民幣),在紐約州克萊建設(shè)兩座先進(jìn) DRAM 內(nèi)存“超級(jí)晶圓廠”,;
并在總部所在地愛達(dá)荷州博伊西建設(shè)一座先進(jìn) DRAM 內(nèi)存大規(guī)模量產(chǎn)工廠,。
美光博伊西晶圓廠將于 2025 年上線投運(yùn),,2026 年啟動(dòng) DRAM 生產(chǎn);美光在克萊的首座晶圓廠 2025 年開始建設(shè),,2028 年上線。
500 億是美光更長期 1250 億美元投資的一部分:美光目標(biāo)在紐約州克萊投資共計(jì) 1000 億美元,,到 2041 年建成四座這樣的“超級(jí)晶圓廠”,;博伊西項(xiàng)目則價(jià)值 250 億美元。
計(jì)劃中的每座晶圓廠的潔凈室面積都將達(dá)到 600000 平方英尺(約 55740 平方米),。
美光預(yù)計(jì),,前三家晶圓廠的投運(yùn)將推動(dòng)美國在全球先進(jìn)內(nèi)存制造領(lǐng)域的份額從現(xiàn)在的不到 2% 成長至 2035 年的約 10%。
未來的二十多年中,,美光的這五家晶圓廠將創(chuàng)造 11000 個(gè)企業(yè)內(nèi)部工作崗位,、9000 個(gè)建筑工作崗位和 55000 個(gè)間接工作崗位。
根據(jù)備忘錄,,美光還可獲得至高 75 億美元(當(dāng)前約 544.5 億元人民幣)的貸款,;美光也有資格獲得美國財(cái)政部的投資稅收抵免;此外紐約州政府也將提供價(jià)值 55 億美元(當(dāng)前約 399.3 億元人民幣)的激勵(lì)措施,。