4 月 25 日消息,，據(jù)韓媒 Viva100 報(bào)道，SK 海力士在今日舉行的一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示其 12 層堆疊（12Hi）HBM3E 內(nèi)存開(kāi)發(fā)有望三季度完成,，而下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足,。

目前三星電子已發(fā)布其 12Hi HBM3E 產(chǎn)品，該內(nèi)存單堆棧容量達(dá) 36GB,，目前已開(kāi)始向客戶出樣,，預(yù)計(jì)下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

SK 海力士表示,，今年客戶主要聚焦 8Hi HBM3E 內(nèi)存,，SK 海力士將為明年客戶對(duì) 12Hi HBM3E 需求的全面增長(zhǎng)做好準(zhǔn)備。

HBM3E 內(nèi)存在價(jià)格方面相較 HBM3 更為昂貴,，因?yàn)樾庐a(chǎn)品可提供更大的帶寬和容量,。

電話會(huì)議上，SK 海力士稱,，其將優(yōu)先確保擁有更高附加值且需求能見(jiàn)度更高的 HBM 內(nèi)存供應(yīng),；HBM 內(nèi)存芯片尺寸又是常規(guī) DRAM 的兩倍。

這些因素會(huì)相對(duì)擠壓常規(guī) DRAM 的晶圓投片量,，預(yù)計(jì)下半年產(chǎn)能將受到限制,。

SK 海力士預(yù)估，如果下半年 PC 和智能手機(jī)需求復(fù)蘇導(dǎo)致現(xiàn)有庫(kù)存耗盡,，內(nèi)存市場(chǎng)將面臨緊張局勢(shì),。

對(duì)于未來(lái)的 HBM4 內(nèi)存，SK 海力士表示混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用將被推遲,，因?yàn)樵摷夹g(shù)存在較大難度,，貿(mào)然引入會(huì)對(duì)產(chǎn)能和質(zhì)量帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。

SK 海力士將在 16Hi HBM 中沿用現(xiàn)有的 MR-MUF（批量回流模制底部填充,，Mass reflow molded underfill）鍵合技術(shù)，待到混合鍵合成熟后再進(jìn)行使用,。