《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片

SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片

進(jìn)一步提升容量
2024-05-15
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: SK海力士 HBM4E 1cnm 32GBDRAM

5 月 14 日消息,,SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 國際存儲研討會上不僅分享了 HBM4E 內(nèi)存開發(fā)周期將縮短到一年的預(yù)期,,也介紹了該內(nèi)存的更多細(xì)節(jié),。

SK 海力士技術(shù)人員 Kim Kwi Wook 表示,,這家企業(yè)計(jì)劃使用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片構(gòu)建 HBM4E 內(nèi)存。

Untitled.png

事實(shí)上,,三大內(nèi)存廠商目前均尚未量產(chǎn) 1c nm(第六代 10+nm 級)制程的 DRAM 內(nèi)存顆粒,。

此前曾報(bào)道,三星電子,、SK 海力士的首批 1c nm DRAM 預(yù)計(jì)將于今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,美光方面稍晚,要等到明年,。新一代顆粒有望帶來密度和能效方面的改進(jìn),。

目前 SK 海力士在 HBM3E 內(nèi)存上使用 1b nm 制程的 DRAM 顆粒,尚未確認(rèn) HBM4 是否將更新 DRAM 裸片制程,。

韓媒 The Elec 在近日的報(bào)道中認(rèn)為,,SK 海力士已將 HBM4 量產(chǎn)時(shí)間提前到 2025 下半年,因此沿用 1b nm 顆粒更符合研發(fā)節(jié)奏,。

目前的主流 HBM3E 產(chǎn)品均采用 24Gb DRAM 顆粒,,這使得 HBM3E 內(nèi)存可在 8 層堆疊下達(dá)到 24GB 單堆棧容量,如果采用 12 層堆疊,,那 HBM3E 堆棧就可達(dá)到 36GB,。

未來的 HBM4E 內(nèi)存更新到 32Gb DRAM 裸片后,12 層堆疊版本就能實(shí)現(xiàn) 48GB 單顆容量,,16 層版本更是可達(dá)到 64GB 的超大規(guī)模,,為 AI 用例創(chuàng)造更多可能。

Kim Kwi Wook 預(yù)計(jì),,HBM4E 內(nèi)存可較 HBM4 在帶寬上提升 40%,、密度提升 30%,同時(shí)能效也提高 30%,。

在談到對鍵合技術(shù)路線的看法時(shí),這位研究人員稱混合鍵合仍面臨良率不佳的問題,,SK 海力士在下代 HBM4 產(chǎn)品中采用混合鍵合的可能性不大,。


Magazine.Subscription.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]