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2nm以下節(jié)點(diǎn)裝備競(jìng)賽打響 臺(tái)積電魏哲家密訪ASML總部

2024-05-29
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 2nm 臺(tái)積電 ASML

5 月 28 日消息,根據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道,,臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家撇開了 5 月 23 日自家舉辦的“臺(tái)積電 2024 技術(shù)研討會(huì)”,,前往荷蘭訪問位于 Eindhoven 的 ASML 總部,以及訪問德國 Ditzingen 的工業(yè)激光專業(yè)公司 TRUMPF,。

ASML 首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet 和 TRUMPF 首席執(zhí)行官 Nicola Leibinger-Kammüller 通過社交媒體透露了魏總秘密出訪的行蹤。

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首席執(zhí)行官 Fuke 表示:“我們向魏總介紹了我們的最新技術(shù)和新產(chǎn)品,包括高數(shù)值孔徑(High NA)EUV 設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來的半導(dǎo)體微處理技術(shù)”,。

據(jù)此前5月14日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電張曉強(qiáng)博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹舉辦的技術(shù)研討會(huì),,他直言:“ASML 的 High-NA EUV 太貴了,,我非常喜歡 High-NA EUV 的能力,但不喜歡它的價(jià)格”,。

臺(tái)積電正考慮為劃于 2026 年下半年量產(chǎn)的 1.6 納米產(chǎn)品 A16 之后的工藝引入 High NA EUV 設(shè)備,,同時(shí)在此之前使用現(xiàn)有 Low NA EUV 設(shè)備。


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