《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)

三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)

2024-06-24
來(lái)源:芯智訊

據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息顯示,韓國(guó)DRAM芯片大廠三星SK海力士都計(jì)劃在即將推出的新一代高帶寬內(nèi)存(HBM)中采用新的混合鍵合(Hybrid Bonding)技術(shù),。

晶圓鍵合也被稱為混合鍵合,,即芯片垂直堆疊,通過(guò)硅穿孔(TSV)或微型銅線連接,,I/O直接連接,沒(méi)有用到凸塊連接。根據(jù)芯片堆疊方式,,還有分為晶圓到晶圓(wafer-to-wafer)、晶圓到裸晶(wafer-to-die)和裸晶到裸晶(die-to-die),。

現(xiàn)在的DRAM是在同一晶圓單元層兩側(cè)周邊元件,,這會(huì)使表面積擴(kuò)大,而3D DRAM則是基于現(xiàn)有的平面DRAM單元來(lái)做垂直堆疊,,就像目前的3D NAND的單元垂直堆疊一樣,。三星和SK海力士都計(jì)劃在不同DRAM晶圓上制造“單元”(Cell)和周邊元件(peripherals),然后再通過(guò)混合鍵合連接,,這將有助于控制器件的面積,、提高單元密度。

SK海力士曾在其第三代8層堆疊的HBM2E上進(jìn)行過(guò)測(cè)試,,使用混合鍵合制程后,,通過(guò)了所有可靠性測(cè)試。SK海力士還評(píng)價(jià)了該HBM在高溫下的使用壽命,,檢查產(chǎn)品出貨后客戶在芯片黏合過(guò)程中可能出現(xiàn)的潛在問(wèn)題,。目前,SK海力士計(jì)劃在新一代的HBM4上采用混合鍵合技術(shù),。

目前三星也在研究4F Square DRAM,,并有望在生產(chǎn)中應(yīng)用混合鍵合技術(shù)。4F Square是一種單元數(shù)組結(jié)構(gòu),,與目前商業(yè)化的6F Square DRAM相比,,可將芯片表面積減少30%。

1.jpg

另外,,三星在其論文中指出,,未來(lái)16層及以上的HBM必須采用混合鍵合技術(shù)(Hybrid bonding),。三星稱,降低堆疊的高度是采用混合鍵合的主因,,內(nèi)存高度限制在775微米內(nèi),,在這高度中須封裝17個(gè)芯片(即一個(gè)基底芯片和16個(gè)核心芯片),因此縮小芯片間的間隙,,是內(nèi)存大廠必須克服的問(wèn)題,。

三星今年4月使用子公司Semes的混合鍵合設(shè)備制作了16層的HBM樣品,并表示芯片運(yùn)作正常,。

另一家DRAM大廠美光此前在COMPUTEX 2024記者會(huì)上表示,,公司也正著手開(kāi)發(fā)HBM4,會(huì)考慮采用包括混合鍵合在內(nèi)等相關(guān)技術(shù),,目前一切都在研究中,。


Magazine.Subscription.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。