7 月 10 日消息,，工商時報今天報道稱,，在 SK 海力士,、三星,、美光三巨頭的大力推動下,，2025 年高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬顆,，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆,，同比增長 105%,。

高帶寬內(nèi)存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,，與高性能圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備（如路由器,、交換器）,、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI 特殊應用集成電路結(jié)合使用，可以大幅減少半導體的功率和面積,。

HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件,，有媒體拆解英偉達 H100 芯片，物料成本約為 3000 美元（注：當前約 21847 元人民幣）,，其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元（當前約 14565 元人民幣）,，占比 66%。

三大巨頭現(xiàn)狀

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商,，兩家公司都采用 1beta 納米工藝,，并已向英偉達出貨,。

集邦咨詢認為采用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證，并于今年年中開始供貨,。

三大巨頭擴產(chǎn)計劃

三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L,、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM,。

同時,，華城工廠（13/15/17 號生產(chǎn)線）正在升級到 1 α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產(chǎn)能,，以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求,。

SK 海力士以南韓利川市 M16 產(chǎn)線生產(chǎn) HBM，并著手將 M14 產(chǎn)線升級為 1 α／1 β 制程,，以供應 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品,。

此外，無錫廠目前正積極將制程由 1y／1z 升級到 1z／1 α,，分別用于生產(chǎn) DDR4 及 DDR5 產(chǎn)品,。

美光 HBM 前段在日本廣島廠生產(chǎn)，產(chǎn)能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆,；長期將引入 EUV 制程（1 γ,、1 δ），并建置全新無塵室,。