7 月 10 日消息，工商時(shí)報(bào)今天報(bào)道稱，在 SK 海力士,、三星、美光三巨頭的大力推動(dòng)下,，2025 年高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆,，同比增長(zhǎng) 105%,。

高帶寬內(nèi)存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合,，與高性能圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器,、交換器）,、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI 特殊應(yīng)用集成電路結(jié)合使用，可以大幅減少半導(dǎo)體的功率和面積,。

HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件,，有媒體拆解英偉達(dá) H100 芯片,，物料成本約為 3000 美元（注：當(dāng)前約 21847 元人民幣），其中 SK 海力士供應(yīng)的 HBM 成本就高達(dá) 2000 美元（當(dāng)前約 14565 元人民幣）,，占比 66%,。

三大巨頭現(xiàn)狀

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應(yīng)商，兩家公司都采用 1beta 納米工藝,，并已向英偉達(dá)出貨,。

集邦咨詢認(rèn)為采用 1Alpha nm 工藝的三星預(yù)計(jì)將在第二季度完成認(rèn)證，并于今年年中開始供貨,。

三大巨頭擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

三星正在逐步升級(jí)其在韓國(guó)的平澤工廠（P1L,、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM,。

同時(shí),，華城工廠（13/15/17 號(hào)生產(chǎn)線）正在升級(jí)到 1 α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產(chǎn)能,，以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求,。

SK 海力士以南韓利川市 M16 產(chǎn)線生產(chǎn) HBM，并著手將 M14 產(chǎn)線升級(jí)為 1 α／1 β 制程,，以供應(yīng) DDR5 和 HBM 產(chǎn)品,。

此外，無錫廠目前正積極將制程由 1y／1z 升級(jí)到 1z／1 α,，分別用于生產(chǎn) DDR4 及 DDR5 產(chǎn)品,。

美光 HBM 前段在日本廣島廠生產(chǎn)，產(chǎn)能預(yù)計(jì)今年第四季提升至 2.5 萬顆,；長(zhǎng)期將引入 EUV 制程（1 γ,、1 δ），并建置全新無塵室,。