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環(huán)球晶圓收獲芯片法案4億美元補貼

還將申請25%投資稅收抵免!
2024-07-18
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 環(huán)球晶圓 芯片法案

當?shù)貢r間7月17日,,美國商務(wù)部宣布與半導體硅片大廠環(huán)球晶圓(GlobalWafers )簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT),,將根據(jù)《芯片和科學法案》向其提供高達4億美元的擬議直接資金,以幫助其在美國國內(nèi)建立首個用于先進芯片的300mm硅片廠,,并擴大絕緣體上硅片的生產(chǎn),加強美國國內(nèi)關(guān)鍵半導體元件的供應(yīng)鏈。

硅晶圓(半導體硅片)是半導體生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,,因為它們是所有芯片制造使用的基礎(chǔ)原材料,。目前,包括環(huán)球晶圓在內(nèi)的五家領(lǐng)先公司占據(jù)了全球300mm硅晶圓制造市場80%以上的份額,,目前約90%的硅晶圓來自東亞,。由于這項擬議的CHIPS投資,環(huán)球晶圓將在美國建立兩座硅晶圓廠:

德克薩斯州謝爾曼:建立第一家用于先進芯片的 300 毫米硅晶圓制造工廠,。值得注意的是,,300mm硅晶圓是晶圓代工廠和集成設(shè)備制造商用來制造前沿芯片、成熟節(jié)點芯片和存儲芯片的關(guān)鍵輸入,。

密蘇里州圣彼得斯:建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅(“SOI”)晶圓的新工廠,。重要的是,SOI晶圓在惡劣環(huán)境中的性能顯著提高,,通常用于國防和航空航天的最終用途,。

此外,作為PMT的一部分,,環(huán)球晶圓計劃將其位于德克薩斯州謝爾曼的現(xiàn)有硅外延晶圓制造工廠的一部分轉(zhuǎn)換為碳化硅(“SiC”)外延晶圓制造,,生產(chǎn)150mm和200mm SiC外延晶圓。碳化硅外延晶圓是高壓應(yīng)用的關(guān)鍵組件,,特別是電動汽車和清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施,。

美國商務(wù)部表示,這是其“投資美國”(Investing in America)議程的一個關(guān)鍵組成部分,,旨在開創(chuàng)美國半導體制造業(yè)的新時代,,帶來振興的國內(nèi)供應(yīng)鏈、高薪工作和對未來產(chǎn)業(yè)的投資,。擬議的投資將支持新晶圓制造設(shè)施的建設(shè),,并創(chuàng)造1,700個建筑工作崗位和880個制造工作崗位。這項擬議的投資將支持兩個州總資本支出約為40億美元的項目,。

“拜登總統(tǒng)正在恢復我們在整個半導體供應(yīng)鏈中的領(lǐng)導地位——從材料到制造,,再到研發(fā)。通過這項擬議的投資,,環(huán)球晶圓將通過提供作為先進芯片支柱的硅晶圓的國內(nèi)來源,,在支持美國的半導體供應(yīng)鏈方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。由于這項擬議的投資,,拜登政府正在幫助確保我們的供應(yīng)鏈安全,,這將在德克薩斯州和密蘇里州創(chuàng)造2000多個就業(yè)機會,并最終降低成本,,改善美國人的經(jīng)濟和國家安全,?!泵绹虅?wù)部長吉娜·雷蒙多(Gina Raimondo)說道。

環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示:“德州新廠第一階段投資額約22億美元,,加上一些與第二階段將相連的部分也預先施作,,這些投資額加起來不到40億美元。另外,,密蘇里新廠的第一階段投資額不到4億美元,。”

對于最高4億美元的補貼資金,,徐秀蘭解釋稱:“超過九成將投給德州新廠,不到一成是對密蘇里新廠,。要分階段達到四個里程碑,,經(jīng)審查通過才能獲得?!?/p>

另外,,環(huán)球晶圓還計劃向美國財政部就旗下子公司GWA與MEMC LLC符合支出條件部份,申請最高達25%的先進制造業(yè)投資稅收抵免,。徐秀蘭指出,,相關(guān)抵免不只是抵稅,也可以申請現(xiàn)金,,與上述一成多的直接資金補貼加起來,,大約可獲得超過35%的補貼。


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