8月3日消息，據(jù)etnews報(bào)道,，SK海力士計(jì)劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后,，在2025年底開始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過渡到大規(guī)模生產(chǎn),。

然而,，要想量產(chǎn)高達(dá)400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過程中需要用到多種鍵合技術(shù),。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料,，并研究各種技術(shù),，這些技術(shù)將允許通過拋光、蝕刻,、沉積和布線等方法連接不同的晶圓,。

整個(gè)過程需要幾個(gè)步驟，如Cell結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),，重點(diǎn)是每層Cell的排列和堆疊,。然后通過清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來制備硅片。然而,，當(dāng)通過大量重復(fù)逐一堆疊層時(shí),，該過程需要細(xì)致地執(zhí)行。

SK海力士達(dá)到400層的方法是通過Peripheral Under Cell方法將控制存儲(chǔ)單元的外圍電路位于底部,，而存儲(chǔ)單元?jiǎng)t堆疊在頂部,。這種方法會(huì)提升集成度，控制尺寸,，但也確實(shí)會(huì)帶來損壞外圍電路的問題,，因?yàn)樘砑訉訒?huì)產(chǎn)生更多的熱量和壓力。

因此,，SK海力士正計(jì)劃實(shí)施混合鍵合方法,，該方法涉及在兩個(gè)單獨(dú)的晶圓上分別制造存儲(chǔ)單元和外圍電路。然后,，通過混合鍵合技術(shù)將晶圓粘合在一起,，以降低損壞的風(fēng)險(xiǎn)。通過高層數(shù),，NAND芯片可以在不增加尺寸的情況下存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù),。這不僅為緊湊型系統(tǒng)節(jié)省了空間并增加了存儲(chǔ)容量，而且還帶來了更經(jīng)濟(jì)的存儲(chǔ)解決方案,。

SK海力士此前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了321層NAND Flash的樣品,，并于2023年8月展出，目前計(jì)劃于2025年上半年開始量產(chǎn),。美光最近推出了具有 276 層的NAND Flash,。三星已開始大規(guī)模生產(chǎn)具有 290 層的TLC單元，即第 9 代垂直堆疊 NAND Flash,。

相對(duì)于SK海力士400層NAND Flash的目標(biāo),，三星期待在2030年推出高達(dá)1000層的NAND Flash。而目前只達(dá)到218層NAND Flash的日本鎧俠公司計(jì)劃在三星之前達(dá)到1000層,。