8月13日消息,，據(jù)Thelec報(bào)道，SK 海力士研究員Seo Jae Wook 周一在韓國(guó)首爾舉辦的產(chǎn)業(yè)會(huì)議中指出,，自從1c納米制程DRAM 商業(yè)化之后,，極紫外光（EUV）光刻制程成本將快速攀升，SK海力士計(jì)劃開(kāi)發(fā)3D DRAM以進(jìn)一步控制成本,。

Seo Jae Wook 認(rèn)為,，現(xiàn)在是確認(rèn)使用EUV制造DRAM 是否有利可圖的時(shí)刻，目前公司考慮未來(lái)DRAM 制造采用垂直柵極（VG）技術(shù),，即所謂的“3D DRAM”,。

所謂的垂直柵極技術(shù)是DRAM制造商內(nèi)部所稱的“4F2”結(jié)構(gòu)，這是一種經(jīng)過(guò)大量研究的單元陣列結(jié)構(gòu),，其中晶體管以垂直方式堆疊,，也就是3D DRAM。三星將這種3D DRAM 稱為“垂直通道晶體管”（vertical channel transistor,，簡(jiǎn)稱VCT）,。

4F2結(jié)構(gòu)從下而上依序?yàn)樵礃O（source）、閘極（gate）,、汲極（drain）和電容器（capacitor）。字元線（Word Line）連接到閘極,，位元線（Bit Line）則連接到源極,。與6F2 DRAM 相比，采用這種單元陣列可將芯片表面面積減少30%,。

知情人士表示,，三星和SK 海力士目標(biāo)是10nm制程以下的DRAM 應(yīng)用4F2 技術(shù)。 SK 海力士的Seo Jae Wook 認(rèn)為,，采用VG 或3D DRAM 制程設(shè)計(jì),，可將EUV 制程成本降一半。

三星此前宣布成功將3D DRAM 堆疊到16 層,，但表示現(xiàn)在不是量產(chǎn)階段,，而是可行性驗(yàn)證階段。