8月26日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞報道,，日本專業(yè)的半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)TechanaLye社長清水洋治表示,，隨著中國半導(dǎo)體實力進(jìn)步,，已經(jīng)達(dá)到了僅落后臺積電三年的水平,。美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術(shù)革新,，但卻進(jìn)一步刺激了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主生產(chǎn)腳步,。

清水洋治以2021年華為旗艦手機(jī)處理器Kirin 9000和2024年4月開售的華為最新智能手機(jī)華為Pura 70 Pro的處理器“Kirin 9010”為例,，兩款芯片均由華為旗下海思半導(dǎo)體設(shè)計，Kirin 9000是由臺積電5nm代工,，而Kirin 9010則是由中國國產(chǎn)7nm工藝代工,。

作為每年拆解約100項電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體調(diào)查公司，TechanaLye在報告中指出,，一般來說,，晶體管線寬變細(xì)的話，處理器的性能就會變高,、芯片面積也可以變小,。清水洋治表示，采用國產(chǎn)7nm工藝量產(chǎn)的Kirin 9010芯片面積為118.4平方毫米,，與臺積電5nm芯片的Kirin 9000面積（107.8平方毫米）差距不大,，不過處理性能卻幾乎相同。

清水洋治表示,，雙方在良率上雖有落差,，但從出貨的芯片性能來看，中國半導(dǎo)體邏輯制程的制造實力已經(jīng)逼近到僅落后臺積電三年的地步,。

報告稱,，除了DRAM芯片和傳感器外，華為Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導(dǎo)體器件,，其中海思半導(dǎo)體設(shè)計了其中的14個,、其他中國廠商負(fù)責(zé)18個，非中國制產(chǎn)品僅DRAM（SK Hynix）,、運動感測器（Bosch）等5個,，也就是說，高達(dá)86%半導(dǎo)體為中國制造,。

關(guān)于中國能自主生產(chǎn)如此廣泛的半導(dǎo)體產(chǎn)品,，清水洋治認(rèn)為，“這代表美國管制對象實質(zhì)上僅限于使用在AI等用途的服務(wù)器用先進(jìn)半導(dǎo)體,。只要不構(gòu)成軍事威脅,，（美國）應(yīng)該就會容許?！?/p>

清水洋治總結(jié)指出,，“美國政府的管制措施、當(dāng)前僅是稍微拖慢中國的技術(shù)革新,，但卻刺激了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自家生產(chǎn)腳步,。”