《電子技術(shù)應(yīng)用》
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消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內(nèi)存2026年后商業(yè)化

2024-09-03
來源:IT之家

9 月 3 日消息,韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱,,三星電子SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實現(xiàn)商業(yè)化,。

消息人士表示這兩大韓國內(nèi)存巨頭將堆疊式移動內(nèi)存視為未來重要收入來源,計劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī),、平板電腦和筆記本電腦中,,為端側(cè) AI 提供動力。

綜合IT之家此前報道,,三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存,,SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線,,即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起,。

三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit,是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍,,較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬,。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒,2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒,。

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而 SK 海力士的 VFO 技術(shù)驗證樣品將導(dǎo)線長度縮短至傳統(tǒng)內(nèi)存的不到 1/4,,能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量,,但封裝厚度減少了 27%,。

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報道指出,關(guān)于這些堆疊式移動內(nèi)存如何同處理器集成尚無定論,,討論中的方案包括類似 HBM 的 2.5D 封裝或 3D 垂直堆疊,。

半導(dǎo)體封裝行業(yè)人士表示,移動處理器如何設(shè)計與布置將影響堆疊式移動內(nèi)存的配置與連接方式,,這意味著新一代移動內(nèi)存將根據(jù)合作伙伴的需求定制供應(yīng),,徹底改變移動 DRAM 市場格局。


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