9月4日，晶圓代工廠商力積電宣布,，AMD等美國及日本廠商將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),，結(jié)合一線晶圓代工廠的先進(jìn)邏輯制程，開發(fā)高帶寬,、高容量,、低功耗的3D AI芯片，為大型語言模型AI應(yīng)用及AI PC提供低成本,、高效能的解決方案,。

針對AI帶來的對于GPU與HBM需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中介層）,，也通過了國際大廠認(rèn)證,，將在力積電銅鑼新廠導(dǎo)入量產(chǎn)。

此前,，力積電與工研院合作開發(fā)了全球首款專為生成式AI應(yīng)用所設(shè)計(jì)的3D AI芯片,，剛拿下2024 World R?&D100 AI芯片大獎(jiǎng)，同時(shí)于今年SEMICON Taiwan 2024大展發(fā)布了3D晶圓堆疊的Logic-DRAM芯片制程技術(shù),，以此創(chuàng)新制程生產(chǎn)的3D AI芯片,，應(yīng)用在人工智能推論（Inference）系統(tǒng)，已展現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸帶寬是傳統(tǒng)AI芯片10倍,、功耗僅七分之一的優(yōu)異性能,。

力積電近年大力研發(fā)的3D晶圓堆疊Logic-DRAM芯片制程技術(shù)，目前已和AMD、日本GPU芯片設(shè)計(jì)業(yè)者及多家國際系統(tǒng)大廠聯(lián)手,，以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),，與一線晶圓代工大廠先進(jìn)邏輯制程合作開發(fā)新型3D AI芯片，發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢,。

根據(jù)不同客戶的AI芯片設(shè)計(jì)需求,，力積電表示，透過合作伙伴愛普公司設(shè)計(jì)定制化DRAM芯片,，再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù),，與現(xiàn)有采用HBM的2.5D AI芯片構(gòu)架相較，新款3D AI芯片能在相同單位面積提供高達(dá)100倍傳輸帶寬,、龐大內(nèi)存容量,。

另外，為支持GPU與HBM2E,、HBM3的傳輸,，力積電根據(jù)客戶需求開發(fā)的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產(chǎn)品，已通過國際大廠的認(rèn)證,，目前該公司正積極在銅鑼新廠布建生產(chǎn)線,，以因應(yīng)客戶需求加速導(dǎo)入量產(chǎn)。