9月12日消息,據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,,由于 2nm 良率持續(xù)存在問題,,三星電子已決定從其位于美國(guó)的泰勒工廠撤出人員,,這標(biāo)志著其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折,。該決定是在大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)間表一再推遲之后做出的,現(xiàn)在量產(chǎn)時(shí)間已從原來的2024年底推遲到了2026年,。
三星對(duì)于美國(guó)泰勒工廠最初設(shè)想為 4nm以下先進(jìn)工藝的大規(guī)模生產(chǎn)中心,,目的是靠近主要的美國(guó)客戶,為他們提供本地化的制造服務(wù),。然而,,盡管工藝開發(fā)迅速,但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰(zhàn),,與其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電相比,,不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足,良率也更低,。
三星的代工良率目前低于 50%,,尤其是 3nm以下的工藝,而臺(tái)積電的3nm工藝良率約為 60-70%,。這種良率差距將兩家公司之間的市場(chǎng)份額差距擴(kuò)大到 50.8 個(gè)百分點(diǎn),,臺(tái)積電在第二季度占據(jù)了 62.3% 的全球代工市場(chǎng),而三星僅為 11.5%。
一位業(yè)內(nèi)人士評(píng)論說:“三星的 GAA (應(yīng)該是指三星2nm制程)良率率在 10-20% 左右,,這對(duì)于訂單和批量生產(chǎn)來說都是不夠的,。這種低良率迫使三星重新考慮其戰(zhàn)略,并從泰勒工廠撤出人員,,只留下極少的員工,。
報(bào)道稱,為了解決良率問題,,三星董事長(zhǎng)李在镕親自拜訪了 ASML 和 Zeiss 等主要設(shè)備供應(yīng)商,,努力尋找工藝和良率改進(jìn)的突破口。盡管做出了這些努力,,但并未取得重大成就,,而且將人員重新部署到泰勒工廠的時(shí)間仍不確定。
相比之下,,臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn),,其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。
值得注意的是,,今年4月,,美國(guó)商務(wù)部宣布已與三星電子簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT),將根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》向三星電子提供高達(dá)64億美元的直接補(bǔ)貼資金,,以加強(qiáng)美國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性,,推進(jìn)美國(guó)的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位,并增強(qiáng)美國(guó)的全球競(jìng)爭(zhēng)力,。
作為協(xié)議的一部,,三星承諾未來幾年將在美國(guó)德克薩斯州投資金額由原來的170億美元提升至超過400億美元,擬議的投資將把三星在德克薩斯州的現(xiàn)有業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€(gè)全面的生態(tài)系統(tǒng),,用于在美國(guó)開發(fā)和生產(chǎn)尖端芯片,,包括兩個(gè)新的領(lǐng)先邏輯晶圓廠、一個(gè)研發(fā)工廠和位于泰勒市的一個(gè)先進(jìn)封裝工廠,,以及擴(kuò)建他們現(xiàn)有的奧斯汀工廠,。預(yù)計(jì)將支持創(chuàng)造超過20,000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。
其中,,對(duì)于德克薩斯州泰勒市的投資將包括兩個(gè)領(lǐng)先的邏輯代工廠,,專注于4nm和2nm工藝技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn),一個(gè)致力于開發(fā)和研究當(dāng)前生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)之前的技術(shù)代的研發(fā)工廠,,以及一個(gè)生產(chǎn)3D高帶寬存儲(chǔ)器和2.5D封裝的先進(jìn)封裝設(shè)施,。
現(xiàn)在看來,由于2nm良率問題,,三星泰勒工廠的2nm晶圓廠項(xiàng)目將要大幅推后,,之前部署的人員撤出也是自然。不過,,由于美國(guó)“芯片法案”補(bǔ)貼本身就有設(shè)置很多限制條款,,三星在泰勒工廠的投資進(jìn)度延后,必然會(huì)影響到美國(guó)商務(wù)部基于“芯片法案”對(duì)其承諾的64億美元補(bǔ)貼資金的落實(shí),。